公开(公告)号：CN1458665A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03123823.8

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L2221/68368 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明的目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。