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公开(公告)号：CN114114101A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110240071.9
申请日：2021-03-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件，其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面，该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴；第一轭部，其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置；以及第一偏置磁场产生部，其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置，第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。
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公开(公告)号：CN110926506B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910887182.1
申请日：2019-09-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及角度传感器系统。磁场产生部产生与检测对象的角度相关的检测对象磁场。角度传感器包含第一磁传感器、第二磁传感器和运算器。第一磁传感器在第一检测位置上检测包含检测对象磁场的第一施加磁场，并且生成与检测对象的角度具有对应关系的第一检测信息。第二磁传感器在第二检测位置上检测包含检测对象磁场的第二施加磁场，并且生成与检测对象的角度具有对应关系的第二检测信息。运算器使用第一检测信息和第二检测信息生成角度检测值。第二检测位置上的检测对象磁场的强度相对于第一检测位置上的检测对象磁场的强度之比为1.65以上。
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公开(公告)号：CN107976644B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710771480.5
申请日：2017-08-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备第一软磁体、第二软磁体和磁场检测元件。第一软磁体和第二软磁体，沿着包括第一方向和与该第一方向正交的第二方向的双方的第一面扩展，并且在与第一方向和第二方向的双方正交的第三方向上对向配置。磁场检测元件在第三方向上设置于第一软磁体与第二软磁体之间。
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公开(公告)号：CN112946543A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011348315.7
申请日：2020-11-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和螺旋线圈。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜。螺旋线圈具有并联部，并且设置为沿着第三轴向行进同时旋绕于磁阻效应元件的周围，并联部包含第一部分和第二部分，第一部分和第二部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻且并联，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方不同。磁阻效应膜配置为在第四轴向上与第一部分和第二部分的双方互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。螺旋线圈通过供给电流，可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108627944B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201810166482.6
申请日：2018-02-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 位置检测装置具备产生第1磁场的第1磁场产生部、产生第2磁场的第2磁场产生部、磁传感器。第2磁场产生部其相对于第1磁场产生部的相对位置能够进行变化。磁传感器在检测位置上检测第1磁场与第2磁场的合成磁场，并生成对应于检测的磁场的方向的检测信号。如果相对于第1磁场产生部的第2磁场产生部的相对位置发生变化的话则检测位置上的第2磁场的强度发生变化。在检测位置上，第2磁场的方向相对于第1磁场的方向所成的相对角度大于90°且小于180°。
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公开(公告)号：CN112068048A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010517993.5
申请日：2020-06-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁、和磁传感器。磁传感器对检测对象磁场进行检测，从而生成与磁铁的位置对应的检测值。磁传感器包含MR元件和基板。基板包含主面。MR元件接受的检测对象磁场具有在第一平面内变化的第一方向。MR元件含有具有方向可在与主面平行的第二平面内变化的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成90°之外的二面角而交叉。检测值依存于第一磁化的方向。
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公开(公告)号：CN111090063A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911016372.2
申请日：2019-10-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有：自由层(24)，其磁化方向响应于外部磁场而改变；钉扎层(22)，其磁化方向相对于所述外部磁场固定；间隔层(23)，其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应；以及至少一个磁性膜(25)，其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤TC_HM/TC_FL≤1.05，其中TC_HM是所述磁性膜的居里温度并且TC_FL是所述自由层的居里温度。
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公开(公告)号：CN107179093B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710114925.2
申请日：2017-02-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的位移检测装置具备：磁体，具有被磁化成S极的第一磁极区域和被磁化成N极的第二磁极区域，并且在自身的周围形成磁场；以及磁场检测单元，以可以沿着第一方向相对该磁体移动的方式设置，并且通过检测磁场的变化来检测磁体在第一方向上的位移。磁体包含迁移部分，在迁移部分，第二方向上的第二磁极区域的磁容量对第一磁极区域的磁容量的比沿着第一方向逐渐变化，第二方向与第一方向正交。
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