公开(公告)号：CN113283085A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110585878.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 王晨 ,  张卫 ,  黄阳 ,  唐灵芝

IPC: G06F30/20 ,  G16C10/00 ,  G16C20/10 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供了一种选通器开关的仿真方法，包括通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。本发明还提供了一种选通器开关的系统。

公开(公告)号：CN113206093A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110471016.0

申请日：2021-04-29

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈琳 ,  朱宝 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明提供了一种动态随机存取存储器，包括衬底、晶体管和电容器；所述晶体管设置于所述衬底的上表面；所述电容器设置于所述衬底内部且与所述晶体管电接触，所述电容器包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的朝向方向不同且相连通构成所述电容器的三维骨架，使得可以显著增大电容器的表面积，有利于提升动态随机存取存储器的电容值，减少电容器的刻蚀深度，克服了传统的深槽式电容器刻蚀深度要求很深，存在高深宽比的刻蚀要求和刻蚀速率递减效应的工艺难点，而且使得可以适当增加所述绝缘介质的厚度，从而可以降低漏电流，增加电荷保持时间和减少刷新频率。本发明还提供了一种动态随机存取存储器的制备方法。

公开(公告)号：CN113035797A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110240263.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈琳 ,  朱宝 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供了一种封装结构，包括：硅衬底，间隔设有若干通孔；隔离介质，设于硅衬底的上表面、硅衬底的下表面和通孔的内侧面；扩散阻挡层，设于通孔内，扩散阻挡层覆盖隔离介质；第一籽晶层，覆盖扩散阻挡层；导电层覆盖第一籽晶层且隔离介质、扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层依次层叠将若干通孔填充，本发明通过将芯片与若干所述通孔内的导电层一端都电连接，将基板与若干所述通孔内的导电层的另一端都电连接，从而所述基板和所述芯片通过若干所述通孔内的导电层并联的方式实现连接，当其中一个所述通孔内线路出现短路或损坏，其他所述通孔内线路仍然可以传递信号，从而增加了封装结构的可靠性。另外，本发明还提供了封装结构的制造方法。

公开(公告)号：CN112909000A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110321937.9

申请日：2021-03-25

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 张卫 ,  朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明提供了一种半浮栅存储器，包括：衬底；隧穿层，设于所述衬底的上表面；第一半导体，包括覆盖端和邻接端，所述邻接端设于所述衬底且一侧邻接所述隧穿层，所述覆盖端覆盖所述隧穿层，所述第一半导体与所述衬底构成二极管结构；半浮栅，覆盖所述第一半导体，所述半浮栅具有深能级缺陷。本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，当导通时，加快数据的写入半浮栅，实现了快速存储功能，由于二极管结构和隧穿层的性能，半浮栅内的电荷不容易返流回衬底，从而增加了存储时间。最重要的，半浮栅具有深能级缺陷，有效地增强电荷保持能力，增加了存储器的刷新时间。另外，本发明还提供了半浮栅存储器的制造工艺。

公开(公告)号：CN112908990A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110104921.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈琳 ,  朱宝 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种三维集成结构，第一纳米电容，包括第一硅衬底、第一隔离介质、第一底部金属电极层和第一顶部金属电极层；过渡层，设于所述第一顶部金属电极层；第二纳米电容，包括第二硅衬底、第二隔离介质、第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层，第二纳米电容开设有第一连接孔和第二连接孔，并且第一连接孔导通至第一顶部金属电极层，第二底部金属电极层通过第一连接孔与第一底部金属电极层电连接，从而在设置第二底部金属电极层的时候，就通过第一连接孔与第一底部金属电极层电连接，使加工工艺更加简单，并且缩短了制备集成结构的时间，加快了生产效率。另外，本发明还提供了三维集成结构的制造方法。

公开(公告)号：CN111048584B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I‑V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。

公开(公告)号：CN112466846A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011329699.8

申请日：2020-11-24

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种TSV结构及其制备方法，所述TSV结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构设置在所述衬底结构内部并上下贯穿所述衬底结构；嵌入层，所述嵌入层设置在所述通孔结构内壁并插入所述衬底结构内部；化合物层，所述化合物层设置在所述通孔结构内壁，所述化合物层与所述嵌入层的接触部位设置有反应生成层；金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述通孔结构内壁；其中，所述金属互连结构顶端设置有顶部金属接触层，所述金属互连结构底端设置有底部金属接触层，本发明的TSV结构不仅能够实现芯片之间的快速互连，而且具有良好的散热效果，有效提高了TSV结构的性能。

公开(公告)号：CN112435984A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011329627.3

申请日：2020-11-24

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种半导体衬底，包括相对的第一衬底表面和第二衬底表面，贯通所述第一衬底表面和所述第二衬底表面的通孔结构，以及堆叠设置的第一隔离层和电感层。所述半导体衬底的通孔结构内表面开设有凹陷部，能够增加所述通孔结构的比表面积，所述凹陷部的内表面与所述通孔结构的内表面相接以形成连续内表面，且所述第一隔离层覆盖所述连续内表面以及所述电感层填充所述凹陷部，有利于通过提高所述电感层的截面积来增加电感值，同时也便于通过改变所述通孔结构的结构以及所述凹陷部的深宽比来调节所述电感值，从而扩大应用范围。本发明还提供了所述半导体衬底的制备方法以及包括所述半导体衬底的电子元器件。

公开(公告)号：CN112349838A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011160333.2

申请日：2020-10-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种多模式调制的柔性钙钛矿神经突触器件及其制备方法。该多模式调制的柔性钙钛矿神经突触器件包括：柔性衬底；底层电极，形成在所述柔性衬底上；功能层，其为卤化物钙钛矿材料，形成在所述底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在所述功能层上，以可见光源与电学脉冲作为多模式调节的不同信号源，利用卤化物钙钛矿材料的离子效应，在电学刺激或者光学刺激的作用下，通过离子的移动模拟神经突触特性，从而实现多重调制效果。

公开(公告)号：CN112331772A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011155918.5

申请日：2020-10-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  何振宇 ,  陈琳 ,  孙清清

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。