使用Ti-Zr-Ni-Cu钎料钎焊SiC和Zr-4合金的方法

    公开(公告)号:CN106363265B

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201610877209.5

    申请日:2016-10-08

    Inventor: 张杰 漆秦

    Abstract: 使用Ti‑Zr‑Ni‑Cu钎料钎焊SiC和Zr‑4合金的方法,它涉及钎焊SiC和Zr‑4合金的方法。它要解决现有技术无法成功连接SiC和Zr‑4合金的问题。方法:一、母材表面预处理;二、钎料制备;三、清洗;四、装配和钎焊。本发明成功连接了SiC和Zr‑4合金,接头完整致密,没有裂纹和孔洞等缺陷,对提高核反应堆的安全性具有重要意义。本发明在连接SiC和Zr‑4合金时采用了流动性好的非晶钎料,得到的接头较为致密没有缺陷,由于钎料中存在两种活性元素Ti和Zr,使钎料能够与SiC充分反应得到较高的界面结合强度。钎焊完成后可以观察到焊缝组织中存在大量Zr基固溶体,这对提高接头的耐辐照性十分有利。

    一种使用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN107433401A

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201710908531.4

    申请日:2017-09-29

    Abstract: 一种使用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷的方法,它涉及一种用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷的方法。本发明是为了解决现有电接触构件寿命较短的技术问题。本方法:一、制备钎料;二、装配成Ti2AlC陶瓷/钎料/Ti2AlC陶瓷结构件,然后装入真空钎焊炉中,抽真空至6.0×10-3Pa,先以10℃/min的升温速度升至300℃,保温30min,再以10℃/min的升温速度升温至660℃~900℃,然后在0.2~1.0MPa的压力下保温5~30min,再以10℃/min的降温速度降至300℃,随炉冷却,即完成使用Al基钎料钎焊Ti2AlC陶瓷。采用本发明的方法可以获得力学性能优异的接头,接头剪切强度为70~120MPa,电导率为3.73~4.18×106S/m,达到Ti2AlC陶瓷电导率的94%以上。

    具有砂轮修整和磨削加工的两工位加工装置

    公开(公告)号:CN106965090A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201710186958.8

    申请日:2017-03-24

    CPC classification number: B24B53/065 B24B27/00 B24B49/12

    Abstract: 具有砂轮修整和磨削加工的两工位加工装置,属于超精密加工技术领域。解决了对小尺寸球头砂轮在安装后存在偏心量和加工过程中细磨粒球头砂轮磨损导致加工质量和面型精度变差的问题。本发明工作台的上表面等间隔开有T型槽,所述T型槽用于通过T型槽螺钉将两个CCD监测装置、电火花修正装置和工件主轴夹持件固定在工作台上;工件主轴过渡板通过定位块定位于工作台上,并通过T型槽螺钉紧固,工件主轴夹持件连接于工件主轴过渡板上,工件主轴安装于工件主轴夹持件的夹持孔内,并通过旋紧螺钉进行夹紧紧固;所述工件主轴的轴心方向与T型槽方向平行;工作台的四周设有工作台防护罩,所述工作台防护罩的内侧设有工件主轴装置防护罩,工件主轴与电火花修整装置之间设有上边缘高度可上下调节的防护风琴罩。本发明适用于砂轮修整和磨削加工使用。

    离子液体/醇混合溶液体系中CIGS薄膜的电沉积制备方法

    公开(公告)号:CN104451808B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201410574567.X

    申请日:2014-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种离子液体/醇混合溶液体系中CIGS薄膜的电沉积制备方法,其步骤如下:一、量取离子液体置于密闭容器中,于隔绝空气条件下加入氯化铜、氯化铟、氯化镓、氯化硒四种主盐,得澄清透明液体后加入醇,得到澄清透明的电镀液;二、采用恒流电沉积的方法,在工作电极基材上进行CIGS薄膜的电沉积。本发明提出了一种新的离子液体/醇混合溶液体系进行CIGS薄膜的电沉积,相对于单纯的离子液体体系,该体系电导率大,电化学窗口宽,对四种主盐的溶解度高,通过恒流电沉积可得到化学计量比可调节与多种形貌的CIGS薄膜。

    一种MBR反应器自养脱氮工艺的快速启动方法及利用其同步去除生活污水中碳氮的方法

    公开(公告)号:CN103359827B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201310352571.7

    申请日:2013-08-14

    CPC classification number: Y02W10/15

    Abstract: 一种MBR反应器自养脱氮工艺的快速启动方法及利用其同步去除生活污水中碳氮的方法,它属于污水处理领域,本发明是要解决现有的自养脱氮工艺启动时间长的技术问题。启动方法:MBR反应器内接种普通活性污泥,在限氧条件下,逐渐缩短水力停留时间,富集好氧氨氧化菌;之后进一步降低DO及HRT,诱导富集厌氧氨氧化菌,完成启动;在室温条件下利用城市污水厂普通活性污泥经66天即可启动。同步去除生活污水中碳氮的方法为:加大曝气量,增大HRT,逐步引入生活污水,实现生活污水中碳氮的同步去除。本法的COD去除率达到80%以上,同时总氮去除负荷达到0.9kg/m3/d以上,该自养脱氮方法可用于在生活污水处理领域。

    一种基于生物除铁除锰工艺的同时去除铁锰氨氮浊度的方法

    公开(公告)号:CN103420491B

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201310363138.3

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 一种基于生物除铁除锰工艺的同时去除铁锰氨氮浊度的方法,本发明涉及地下水处理方法,它要解决现有的生物除铁除锰技术的出水浊度高的技术问题。本方法:组装二级反应器系统,二级反应器系统由一级滤柱、二级滤柱,调节水箱、中间水箱、第一潜水泵、第二潜水泵、第一反冲洗管、第二反冲洗管组成;二:滤柱培养;三:在一级滤柱滤速为4~8m/h、二级滤柱滤速为6~12m/h的条件下出水处理地下水。本发明是一种两级同步去除铁、锰、氨氮和浊度的方法,本发明的出水中的铁、锰、氨氮分别降到0.2mg/L、0.05mg/L,0.1mg/L以下,同时出水的浊度降至0.5NTU以下,低于国家饮用水标准,本方法可用于地下水的处理。

    常温低溶解氧进水厌氧氨氧化反应器的启动驯化方法

    公开(公告)号:CN102701445B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201210224667.0

    申请日:2012-07-02

    Abstract: 常温低溶解氧进水厌氧氨氧化反应器的启动驯化方法,它涉及反应器的启动驯化方法。它为了解决厌氧氨氧化反应器启动时间较长的不足,进水中所含溶解氧对厌氧氨氧化工艺的不利影响和能耗高的问题。方法:一、反硝化生物膜的培育;二、厌氧氨氧化反应器的启动;三、厌氧氨氧化反应器的驯化。本发明中以反硝化生物膜为二次种泥可在100d内成功启动厌氧氨氧化反应器,在进水含有1~1.5mg/L溶解氧的情况下,可驯化出好氧菌与厌氧菌共存的微生物群落。本发明将厌氧氨氧化反应器运行温度由35℃降至19~22℃,大大降低运行成本,同时反应器系统运行依然稳定,脱氮效率高。

    一种基于生物除铁除锰工艺的同时去除铁锰氨氮浊度的方法

    公开(公告)号:CN103420491A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310363138.3

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 一种基于生物除铁除锰工艺的同时去除铁锰氨氮浊度的方法,本发明涉及地下水处理方法,它要解决现有的生物除铁除锰技术的出水浊度高的技术问题。本方法:组装二级反应器系统,二级反应器系统由一级滤柱、二级滤柱,调节水箱、中间水箱、第一潜水泵、第二潜水泵、第一反冲洗管、第二反冲洗管组成;二:滤柱培养;三:在一级滤柱滤速为4~8m/h、二级滤柱滤速为6~12m/h的条件下出水处理地下水。本发明是一种两级同步去除铁、锰、氨氮和浊度的方法,本发明的出水中的铁、锰、氨氮分别降到0.2mg/L、0.05mg/L,0.1mg/L以下,同时出水的浊度降至0.5NTU以下,低于国家饮用水标准,本方法可用于地下水的处理。

    分离锰氧化菌的培养基
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103409353A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310364594.X

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 分离锰氧化菌的培养基,涉及一种培养基。本发明是要解决现有分离锰氧化菌的培养基所用营养成分高,培养效果差的技术问题。本发明的分离锰氧化菌的培养基由0.001~0.003g的七水硫酸亚铁,0.1~0.3g的四水硫酸锰,0.5~1.2g的蛋白胨,0.1~0.5g的酵母浸粉,5~20mL的HEPE和1L的蒸馏水制成;制备固体培养基时,再加入18~20g的琼脂。本发明的培养基与以往分离锰氧化菌的培养基相比,不仅营养成分降低10%~20%,而且长出的菌体个数提高了3%~8%,分离出高效的锰氧化菌,是一个高效低营养的锰氧化菌分离培养基,应用于滤池中锰氧化菌的分离领域。

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