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公开(公告)号:CN101246981B
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200810064152.2
申请日:2008-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器,它涉及双频移相器。它解决了现有传统移相器功耗高、插入损耗高、可靠性差、成本高等缺点,还解决了现有同类装置激励电压大、结构复杂、较难控制谐振点的问题。本发明的介质基片(5)的宽度与信号线(2)的宽度相同,信号线(2)沿纵向方向开有n组垂直表面的凹槽,每一组凹槽对应设置在介质基片(5)的下方并至少露出l2长度,每一组凹槽由两个沿横向并行排列的矩形凹槽(7)组成,矩形凹槽(7)之间的距离为W2,每一个矩形凹槽(7)的长度为l1、宽度为G2。本发明结构简单、条理清晰、逻辑严密,仿真结果相对理想,而且加工工艺简单,成本低廉,在两个频率下稳定工作的特点。
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公开(公告)号:CN100566010C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200610010061.1
申请日:2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 低激励电压和精确控制相移特性的微机电系统毫米波移相器,涉及一种移相器。针对现有的微机电系统移相器存在激励电压过高、移相精度偏低的问题,本发明提供一种激励电压低和相移控制精确的微机电系统毫米波移相器,它在地线(3)上固定有电感量在10nH以上的电感线圈(8),电感线圈(8)与地线(3)之间设有绝缘层(7),所述电感线圈(8)与金属弹簧(6)的一端连接,金属弹簧(6)的另一端与金属桥(4)连接并对金属桥(4)进行支撑,在金属桥(4)下方的信号线(2)的上表面设置有介电常数εr为:2≤εr≤20的介质基片(5)。本发明所述移相器不但具有宽频带、低损耗等电气特性,而且进一步降低了激励电压和提高了相位控制精度,并且成本低、体积小,利于推广应用。
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公开(公告)号:CN101246981A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200810064152.2
申请日:2008-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 凹槽型共面波导结构的毫米波射频微机电系统双频移相器,它涉及双频移相器。它解决了现有传统移相器功耗高、插入损耗高、可靠性差、成本高等缺点,还解决了现有同类装置激励电压大、结构复杂、较难控制谐振点的问题。本发明的介质基片(5)的宽度与信号线(2)的宽度相同,信号线(2)沿纵向方向开有n组垂直表面的凹槽,每一组凹槽对应设置在介质基片(5)的下方并至少漏出l2长度,每一组凹槽由两个沿横向并行排列的矩形凹槽(7)组成,矩形凹槽(7)之间的距离为W2,每一个矩形凹槽(7)的长度为l1、宽度为G2。本发明结构简单、条理清晰、逻辑严密,仿真结果相对理想,而且加工工艺简单,成本低廉,在两个频率下稳定工作的特点。
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