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公开(公告)号：CN113130765A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110393474.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于无机CsPbI2Br粉末的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于光电材料和光电器件技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、CsPbI2Br无机钙钛矿光活性层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层、Au电极构成。本发明通过预先合成无机CsPbI2Br钙钛矿粉末能够解决化学计量比偏差和非钙钛矿杂质引入等问题，可以改善钙钛矿薄膜结晶性并提高相稳定性，避免单一前驱组分过量或杂质引入造成的钙钛矿相不稳定问题，从而提高钙钛矿太阳能电池的效率和长期稳定性。将该无机CsPbI2Br材料应用于钙钛矿电池领域，有助于高效、稳定和可重复器件的制备。实验结果表明，经过60天的暗态存储，实施例制备的钙钛矿太阳能电池能够保持初始效率的86.1％以上。
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公开(公告)号：CN109728122B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910003336.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于无机半导体光电探测器技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、TiO2纳米线、MoO3纳米层、Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO一侧入射；其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，TiO2纳米线的厚度为2～3μm，MoO3纳米层的厚度为2～5nm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明制备的低暗电流、高光暗抑制比、高响应度的紫外探测器具有操作简单，成本较低，且基底材料均为无机半导体材料、无毒环保的特点，具有一定的发展前景和应用价值，对波长330nm～400nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN108242506B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810013882.3
申请日：2018-01-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有银/金纳米粒子和光子晶体的半透明聚合物太阳能电池及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。是由ITO导电玻璃阴极、PFN阴极缓冲层、PTB7‑Th:PC71BM有源层、MoO3/Ag/Au纳米粒子/MoO3复合阳极缓冲层、Ag阳极、[WO3/LiF]2光子晶体组成。MoO3/Ag/Au纳米粒子/MoO3复合阳极缓冲层中，Ag和Au纳米粒子(NPs)选择性地通过局域表面等离子体共振(LSPR)触发近场增强效应，使有源层对太阳光的利用率提高，降低接触电阻，提高MoO3层的空穴传输能力，从而提高器件的能量转换效率；[WO3/LiF]2光子晶体作为光谱调节层，使透射光谱增强和分层，同时使透射光谱平坦，进而提高器件的显色指数。在MoO3层内掺入Ag/Au纳米粒子，可以有效地提高MoO3层的电导率。
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公开(公告)号：CN110970564A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911334276.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种以TBA-Azo材料为界面疏水层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，所述电池由ITO/PTAA/MAPbI3/TBA-Azo：PCBM/C60/BCP/Cu组成。本发明使用的TBA-Azo疏水材料将有效的填充三维钙钛矿材料的界面与表面，从而有效阻止三维钙钛矿中有效成分的挥发；另一方面其具有的独特的疏水结构，将使得空气中的水分被阻挡，大大增加了钙钛矿太阳能电池的抗水性。在此基础上，TBA-Azo作为界面钝化层材料，与PCBM材料共混，将与钙钛矿材料界面与表面中剩余未匹配的Pb离子结合，进而有效消除钙钛矿本身存在的深能级缺陷，从而增加钙钛矿太阳能电池器件的效率。
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公开(公告)号：CN109728122A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910003336.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种基于FTO/TiO2/MoO3异质结的紫外探测器及其制备方法，属于无机半导体光电探测器技术领域。从下到上依次由SiO2/FTO衬底、TiO2纳米线、MoO3纳米层、Ag电极组成；待测的紫外光从SiO2/FTO一侧入射；其中SiO2/FTO衬底的厚度为2～3mm，TiO2纳米线的厚度为2～3μm，MoO3纳米层的厚度为2～5nm，Ag电极的厚度为1～3mm。本发明制备的低暗电流、高光暗抑制比、高响应度的紫外探测器具有操作简单，成本较低，且基底材料均为无机半导体材料、无毒环保的特点，具有一定的发展前景和应用价值，对波长330nm～400nm的紫外线具有良好的检测性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109686845A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811598672.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有气致变色功能的半透明聚合物太阳能电池及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。从下至上，由ITO导电玻璃阴极、PFN阴极缓冲层、PTB7-Th：FOIC有源层、MoO3阳极缓冲层、Ag阳极、WO3/Pt气致变色结构层组成；有源层受体材料FOIC在可见光到近红外区(600～950nm)具有很强的光吸收，消光系数可以高达2×105m-1cm-1，低带隙为1.32eV，且具有较高电子迁移率1.2×10-3cm2V-1s-1。WO3薄膜在着色态时对太阳光谱的红外和可见波段有很强的吸收，将其与半透明聚合物太阳能电池器件相结合，在通入氢气的情况下，器件对可见光和红外区域的光吸收将显著增强，从而达到提高光电转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN106546637B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610977931.6
申请日：2016-11-08
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种以Al掺杂的立方体结构In2O3微米颗粒为敏感层的乙酸乙酯气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。由Al2O3衬底、Pd金属叉指电极、在带有Pd金属叉指电极的Al2O3衬底上采用涂覆技术制备的Al掺杂的立方体结构In2O3微米颗粒敏感层组成；其中Al掺杂的立方体结构In2O3微米颗粒的粒径为1～1.2μm。Al掺杂到立方体结构In2O3微米颗粒中引起晶格缺陷，这些晶格缺陷有利于提高气敏材料的气敏响应。本发明具有制备方法简单、成本低廉、响应恢复速度快、有望大规模生产的特点，对乙酸乙酯气体具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN106058059B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610695362.6
申请日：2016-08-22
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种基于活性层掺杂和传输层修饰的互补型等离子体共振有机太阳能电池及其制备方法，属于有机太阳能电池技术领域。本发明所述的一种基于活性层掺杂和传输层修饰的互补型等离子体共振有机太阳能电池，其特征在于：从下至上，依次为ITO导电玻璃衬底/TiO2电子传输层/Au‑Ag核壳结构纳米粒子掺杂的活性层/Ag‑Au核壳结构纳米粒子层/MoO3空穴传输层/Ag阳极组成。本发明工艺简单，器件制备过程基于溶液方法，低能耗，成本低，不产生有害副产物，易于操作。有效提高有机太阳能电池的效率，为未来有机太阳能电池的发展有很大借鉴意义。
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公开(公告)号：CN108242506A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201810013882.3
申请日：2018-01-08
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/441
Abstract: 一种带有银/金纳米粒子和光子晶体的半透明聚合物太阳能电池及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。是由ITO导电玻璃阴极、PFN阴极缓冲层、PTB7-Th:PC71BM有源层、MoO3/Ag/Au纳米粒子/MoO3复合阳极缓冲层、Ag阳极、[WO3/LiF]2光子晶体组成。MoO3/Ag/Au纳米粒子/MoO3复合阳极缓冲层中，Ag和Au纳米粒子(NPs)选择性地通过局域表面等离子体共振(LSPR)触发近场增强效应，使有源层对太阳光的利用率提高，降低接触电阻，提高MoO3层的空穴传输能力，从而提高器件的能量转换效率；[WO3/LiF]2光子晶体作为光谱调节层，使透射光谱增强和分层，同时使透射光谱平坦，进而提高器件的显色指数。在MoO3层内掺入Ag/Au纳米粒子，可以有效地提高MoO3层的电导率。
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公开(公告)号：CN106356421B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610910686.7
申请日：2016-10-20
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于垂直导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结所形成光控传输沟道的紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由衬底、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2薄膜、采用蒸镀法在纳米TiO2薄膜上制备的一对Au引线点、采用蒸镀法及控制氧化法在纳米TiO2薄膜表面和Au引线点上制备的Au/Ni叉指电极、采用蒸镀法及控制氧化法在TiO2薄膜表面和Au/Ni叉指电极上制备的NiO薄膜构成，其中NiO薄膜的厚度为20～60nm。叉指电极间形成垂直于器件导电方向的TiO2‑NiO异质P‑N结，在暗态下空间电荷区较宽，器件传输沟道较窄，有效限制暗电流；在紫外光照下，P‑N结内建电场减弱，空间电荷区变窄，光控传输沟道变宽，实现器件的高光电流。
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