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公开(公告)号：CN113720466B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110324025.7
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔，介质层至少包括一层牺牲层和一层热敏感介质层，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料；CMOS红外传感结构包括由反射层和热敏感介质层构成的谐振腔、控制热传递的悬空微桥结构以及具有电连接和支撑功能的柱状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，优化了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN113720467B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110324031.2
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括位于反射层、密闭释放隔绝层和红外转换结构，所述密闭释放隔绝层位于所述反射层和所述红外转换结构之间，所述密闭释放隔绝层分别与所述反射层和所述红外转换结构接触设置；所述反射层包括反射板和支撑底座，所述红外转换结构通过所述支撑底座与所述CMOS测量电路系统电连接。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
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公开(公告)号：CN113720451B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110324018.7
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J1/44
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔，介质层至少包括一层牺牲层和一层热敏感介质层，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料；CMOS红外传感结构包括由反射层和热敏感介质层构成的谐振腔、控制热传递的悬空微桥结构以及具有电连接和支撑功能的柱状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，优化了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN113720481B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110324082.5
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；红外转换结构包括位于同层的吸收板和梁结构，吸收板将红外信号转换为电信号并通过梁结构与柱状结构电连接；吸收板包括临近或远离CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分反射板位于金属结构的正投影内。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
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公开(公告)号：CN113566982B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110783303.5
申请日：2021-07-12
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种微桥结构红外探测器，红外探测器中的CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺、IMD工艺以及RDL工艺，多层结构的红外探测器中，第一柱状结构包括至少一层实心柱状结构和/或至少一层空心柱状结构，第二柱状结构包括至少一层实心柱状结构和/或至少一层空心柱状结构，牺牲层用于使CMOS红外传感结构形成镂空结构，构成牺牲层的材料包括硅、锗或锗硅中的至少一种，采用刻蚀气体并采用post‑CMOS工艺腐蚀牺牲层，刻蚀气体包括氟化氙、氯气、溴气、四氯化碳和氟氯代烃中的至少一种。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN114112056A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110324054.3
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；红外转换结构包括吸收板和多个梁结构，吸收板用于将红外信号转换为电信号，并通过对应的梁结构与对应的柱状结构电连接；红外探测器像元还包括加固结构；加固结构用于增强柱状结构与梁结构之间的连接稳固性。由此，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题；且提升了结构稳定性。
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公开(公告)号：CN113945286A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111191849.8
申请日：2021-10-13
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/20
摘要： 本发明涉及一种具有实心柱的CMOS红外探测器的制备方法及红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第一互连柱；在第一互连柱上方沉积第二金属互连层以形成梁结构；沉积第三金属互连层以形成第二互连柱；沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，优化了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN113720483A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110324096.7
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构，及位于反射层上的介质保护层以及刻蚀阻挡层；柱状结构包括叠加设置的至少两层立柱，位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；每层立柱均可为实心金属柱、非金属实心柱或空心柱中的至少一种；介质保护层包围柱状结构的侧面，刻蚀阻挡层至少覆盖于介质保护层的棱角位置处。由此，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题；且提高探测灵敏度和结构稳定性。
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公开(公告)号：CN113720477A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110324051.X
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；CMOS红外传感结构还包括位于反射层上的密闭释放隔绝层，构成密闭释放隔绝层的材料包括非晶碳、碳化硅、氧化铝、碳氮化硅或氮化硅中的至少一种，密闭释放隔绝层的厚度大于等于1微米，小于等于2微米。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
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公开(公告)号：CN113720473A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110324024.2
申请日：2021-03-26
申请人： 北京北方高业科技有限公司
IPC分类号： G01J5/24
摘要： 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔，介质层至少包括一层牺牲层和一层热敏感介质层，热敏感介质层包括电阻温度系数大于设定值的热敏材料；CMOS红外传感结构包括由反射层和热敏感介质层构成的谐振腔、控制热传递的悬空微桥结构以及具有电连接和支撑功能的柱状结构。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，优化了红外探测器的性能。
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