- 专利标题: 具有实心柱的CMOS红外探测器的制备方法及红外探测器
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申请号: CN202111191849.8申请日: 2021-10-13
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公开(公告)号: CN113945286A公开(公告)日: 2022-01-18
- 发明人: 翟光杰 , 武佩 , 潘辉 , 翟光强
- 申请人: 北京北方高业科技有限公司
- 申请人地址: 北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301
- 专利权人: 北京北方高业科技有限公司
- 当前专利权人: 北京北方高业科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301
- 代理机构: 北京开阳星知识产权代理有限公司
- 代理商 王艳斌
- 主分类号: G01J5/20
- IPC分类号: G01J5/20
摘要:
本发明涉及一种具有实心柱的CMOS红外探测器的制备方法及红外探测器,制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构;制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层;采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第一互连柱;在第一互连柱上方沉积第二金属互连层以形成梁结构;沉积第三金属互连层以形成第二互连柱;沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案,解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低,像素规模低,良率低以及一致性差的问题,优化了红外探测器的性能。
公开/授权文献
- CN113945286B 具有实心柱的CMOS红外探测器的制备方法及红外探测器 公开/授权日:2023-01-10