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公开(公告)号：CN102867905A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210265582.7
申请日：2012-07-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种Sn-S基热电化合物及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：a）提供初始原料，所述初始原料中含有Sn单质、S单质以及Ag、Cu或In单质，所述Sn单质、S单质以及Ag、Cu或In单质的摩尔比为1：0.8～2：0～1；b）将所述初始原料在保护气体气氛中进行干磨；c）将干磨后的物料加入有机液体介质进行湿磨；d）将湿磨后的粉末取出烘干，得到干燥粉末；e）将所述干燥粉末压实后进行真空烧结，得到Sn-S基热电化合物。根据本发明的制备方法，采用的初始原料为无毒无污染原料，价格低廉，该方法工艺流程短，耗时少，效率高，能耗低，获得的产品组织细小均匀，热电性能好，适合于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN101886849A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010108115.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 独立行政法人宇宙航空研究开发机构 , 武汉理工大学 , 清华大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明提供一种太阳热集热体和太阳光热发电模块。太阳热集热体能够防止太阳热集热构造中红外线吸收率低、高温大气环境下侵蚀、装置寿命低、温度落差大的循环环境下的界面的热应力所致的层间剥离，把被照射吸收的红外线波长区域高效地供应到热电发电元件。太阳热集热体形成由高热传导率的金属材料母材(13)、在该母材表面由红外线波长区域的吸收率高的非氧化物陶瓷形成的红外线吸收膜层(14)，在它们之间形成改变了作为母材的金属材料和红外线吸收膜形成材料的混合比率的梯度层(15)，在上述太阳热集热体的太阳热照射面上设置深度达到该集热体的中心部附近的空洞(16)。
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公开(公告)号：CN101338386B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810119192.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种TiNiSn基热电化合物的制备方法，属于新能源材料技术领域。采用高纯的Ti、Ni、Sn单质作为初始原料，按Ti1+xNiSn化学式配料；将原料装入球磨罐中，进行干法球磨；干磨后加入无水乙醇作为介质进行湿磨；将球磨后的粉末取出，烘干，得到中间化合物粉末；将所得中间化合物粉末装入石墨模具中，用石墨压头压实后，安装在放电等离子体烧结机中进行烧结，得到TiNiSn热电化合物。优点在于，本发明的MA+SPS工艺具有流程短，效率高，耗能少，适于工业化大规模生产，烧结温度较低，烧结时间短，可获得细小、均匀的组织，并能保持原始材料的自然状态，所得到的温差电材料具有优异的热电性能。
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公开(公告)号：CN100491554C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710175308.X
申请日：2007-09-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种细晶择优取向Bi2Te3热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和Te单质按照化学成分进行称量配比后，在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨，干磨合成化合物后再进行湿磨，烘干得到Bi2Te3微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料，主要经过两步完成：第一步放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi2Te3块体，第二步采用放电等离子烧结技术进行热锻处理获得织构组织。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点，通过控制烧结工艺可获得均匀细小、具有择优取向的显微组织。该方法通过控制晶粒长大和晶粒取向来提高材料的热电和力学性能，具有工艺简便，合成和成型的时间短等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413109C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410038297.7
申请日：2004-05-21
Applicant: 清华大学
Inventor： 李敬锋
Abstract: 本发明公开了一种具有微米级热电臂的微型热电元件的微加工方法。具有微米级热电臂的微型热电元件的微加工方法是结合硅晶片的深度离子反应刻蚀技术、微型模具粉末填充技术以及气压熔融微型压铸技术在同一片硅片上一次性制备出P-型和N-型材料交错排列的热电臂阵列结构，并配置上下基板，利用半导体的干法气体腐蚀技术去掉硅膜后，组装成热电元件.排列密度可达10000对P-N结/cm2。本发明的技术适合于制备基于热电效应的微型温差电电池和温差制冷器件。
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公开(公告)号：CN100364129C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510011750.X
申请日：2005-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/16 , H01L43/10 , C04B35/472 , C04B35/491 , C22C28/00 , C09J163/00
Abstract: 一种1-3结构巨磁电材料及其制备方法，该材料由压电陶瓷、磁致伸缩材料和高分子粘结剂组成，所述压电陶瓷有一个维度大于另外两个维度，呈长柱状，压电陶瓷柱上下连通分布在磁致伸缩材料粉末与高分子粘结剂组成三维连通的基体中，具有1-3结构。本发明与现有技术相比，这种1-3结构巨磁电材料制备过程简单易行，性能测试表明该材料的磁电转换系数高并且稳定。改变压电陶瓷的含量，可以调节材料的磁电转换系数，使之满足不同的需求。
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公开(公告)号：CN1916201A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610089765.2
申请日：2006-07-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开属于功能梯度复合材料加工领域的涉及金属材料和陶瓷材料对称梯度复合材料的制备方法。该方法主要包括三个部分：(1)利用放电等离子烧结技术实现氮化铝陶瓷的较低温度烧结；(2)利用两步法，先制备氮化铝对称气孔梯度材料，然后在低温下将金属铜渗入外层多孔氮化铝层的气孔中，达到结合的目的。(3)在制备氮化铝气孔梯度材料之前，在粗粉氮化铝粉末中加入适量的金属铜粉末，改善其表面性能。本发明结合了放电等离子烧结和分步烧结的方法，解决了金属铜和氮化铝陶瓷之间的结合困难问题，也实现了高温差、高不相容性梯度复合材料的制备。该材料在厚度方向具有绝缘和导热性，在面内的导电性良好，适用于热电器件的电极材料的要求。
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公开(公告)号：CN1623954A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410088425.9
申请日：2004-11-02
Applicant: 清华大学 , 日本丰田汽车株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/48 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷制备技术领域的有利于环境保护的一种钛酸铋钠－锆钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法。所提供的钛酸铋钠系无铅压电陶瓷的组成成分以式(Bi0.5Na0.5)TiO3－xBa(Ti1－yZry)O3表示，其中x为陶瓷体系中BZT的摩尔含量，y为BaTiO3中的Ti原子被Zr置换的原子数，0≤x≤0.12，0≤y≤0.10。采用两步烧结法制备BNT－BZT无铅压电陶瓷，能得到高致密度陶瓷，陶瓷晶粒大小均匀，同时降低了极化过程中的漏电流，易于陶瓷极化。该压电陶瓷不含铅，并且具有良好的压电性能和铁电性能。
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公开(公告)号：CN1581529A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410038297.7
申请日：2004-05-21
Applicant: 清华大学
Inventor： 李敬锋
Abstract: 本发明公开了一种具有微米级热电臂的微型热电元件的微加工方法。具有微米级热电臂的微型热电元件的微加工方法是结合硅晶片的深度离子反应刻蚀技术、微型模具粉末填充技术以及气压熔融微型压铸技术在同一片硅片上一次性制备出P－型和N－型材料交错排列的热电臂阵列结构，并配置上下基板，利用半导体的干法气体腐蚀技术去掉硅膜后，组装成热电元件。排列密度可达10000对P－N结/cm2。本发明的技术适合于制备基于热电效应的微型温差电电池和温差制冷器件。
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