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公开(公告)号：CN114483972B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202011254140.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室，属于半导体刻蚀工艺配套设备领域，解决了现有技术中由于阀门开启时压力的不同步的问题。本发明公开的半导体设备腔室压力调节阀总成，包括：摆阀阀体、振子板和蝶阀；所述摆阀阀体两端分别通过真空管连通设备腔室和真空泵；振子板垂直于摆阀阀体内部的气体通道方向，一端与摆阀阀体转动连接，通过振子板的转动调节摆阀阀体内部气体通道的开闭状态；振子板中央设有圆形通气孔，蝶阀设置在所述通气孔处，蝶阀为两分体式的对称结构，两分体部分能够绕对称轴反向转动调节通气孔的开闭。实现了半导体刻蚀工艺进行中压力的平稳有效的控制。
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公开(公告)号：CN116666278A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210147426.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , B08B17/02
Abstract: 本发明公开一种晶片传送设备、传送方法及传送系统，涉及半导体设备技术领域，能够减少设备前端模块在传送晶片过程中引入的颗粒污染物，提高半导体制造工艺质量。该晶片传送设备包括设备前端模块，排气装置，以及压力控制阀，排气装置设在设备前端模块具有的排气口上，压力控制阀设置在排气装置上。本发明提供的一种晶片传送设备、传送方法及传送系统用于半导体器件、半导体芯片制造。
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公开(公告)号：CN116666252A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210148676.X
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种清洗装置，该清洗装置用于清洗晶圆。该清洗装置包括清洗腔、以及设置在清洗腔内且用于固定晶圆的支撑台，且支撑台能够带动晶圆旋转。在清洗腔内还设置有用于向晶圆喷洒清洗剂的喷嘴组件，还设置有用于收集喷洒在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂的吸附装置。在上述的方案中，通过设置吸附装置，以吸附喷嘴在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂，从而防止从晶圆表面溅起的清洗剂附着在清洗腔或喷嘴组件上或逆向重新回到晶圆表面，防止污染清洗腔，防止晶圆被污染。
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公开(公告)号：CN111799196B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010693065.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体清洗设备及半导体清洗设备的紧急排水方法，属于半导体清洗技术领域，解决了现有半导体清洗设备价格高昂，安装周期长，安全性差的问题。半导体清洗设备包括紧急排水装置，紧急排水装置包括废水排水主管道，废水排水主管道外设有液体传感器，废水排水主管道内设有排水自动阀门。半导体清洗设备的紧急排水方法是在半导体清洗设备的废水排水主管道外设置液体传感器，在半导体清洗设备的废水排水主管道内设置排水自动阀门，通过液体传感器检测废水排水主管道内的漏液，液体传感器检测到漏液后，排水自动阀门自动开启，进行废水排水主管道及与其连通的废水排水支管道的排水。本发明的半导体清洗设备成本低，使用安全性高。
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公开(公告)号：CN114950085A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110213228.9
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种有害气体净化装置，涉及半导体器件技术领域，以提供一种可以在气体发生器泄露有害气体时，对该有害气体进行处理的装置。包括：气体检测设备、排气通道、设置在所述排气通道内的吸气设备和气体净化设备，以及与所述气体检测设备和所述吸气设备相连接的控制器。所述气体检测设备用于检测所述有害气体产生源是否泄露有害气体，并将检测信号发送给控制器。所述控制器用于在所述检测信号表征所述有害气体产生源泄露有害气体的情况下，控制所述吸气设备通过所述排气通道的进气口将所述有害气体吸入排气通道中。所述气体净化设备用于对所述排气通道中的所述有害气体进行净化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823295A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110113662.X
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于使得目标掩膜图案的尺寸满足刻蚀要求，确保在目标刻蚀结构上形成的图案轮廓与刻蚀要求的轮廓相一致，提高半导体器件的良率。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底。基底具有目标刻蚀结构、以及形成在目标刻蚀结构上的第一掩膜图案。第一掩膜图案包括至少两个芯轴、以及位于相邻两个芯轴之间的芯轴槽。形成覆盖目标刻蚀结构和第一掩膜图案的二氧化钛侧墙层。二氧化钛侧墙层位于芯轴槽内的部分围成间隙。在间隙内形成有机填充层。去除二氧化钛侧墙层位于芯轴的顶部和侧壁上的部分，以形成目标掩膜图案。并在目标掩膜图案的掩膜下，刻蚀目标刻蚀结构。
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公开(公告)号：CN114743853A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110018473.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法，涉及半导体加工技术领域，以提高半导体处理件的清洗效率。半导体处理腔室，用于对半导体处理件进行氢等离子体清洗处理。该半导体处理腔室包括腔室本体。腔室本体上设有与氢气发生器连通的窗口，腔室本体内设有加热组件。该半导体处理腔室还包括与加热组件通信连接的控制组件。控制组件用于在半导体处理件处于氢等离子体清洗阶段时，控制加热组件，使腔室本体内的温度达到预设温度，以减少半导体处理件的清洗时间。上述半导体处理设备包括上述半导体处理腔室。上述半导体处理方法应用于上述半导体处理腔室及上述半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN114695214A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011625499.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种晶圆传送机械臂及其制造方法、晶圆的传送方法，涉及半导体技术领域，用于在传送晶圆的过程中，固定晶圆在晶圆传送机械臂上的位置，防止晶圆由晶圆传送机械臂上滑动或滑落的同时，可以加快晶圆的传送速度，提高半导体器件的制造效率。所述晶圆传送机械臂包括：承载部和静电吸附部。承载部用于承载晶圆。静电吸附部设置在承载部内。静电吸附部用于在晶圆传送机械臂传送过程中，固定晶圆在承载部上的位置。所述晶圆传送机械臂应用于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN114695166A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011643761.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗。所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件、以及控制组件。所述检测方法包括上述技术方案所提的检测装置。本发明提供的检测装置用于提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114678361A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011555730.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一基底、形成在基底中的着陆焊盘图案、形成在基底上的下电极图案、形成在下电极图案之间的支撑结构。着陆焊盘图案包括多个呈阵列排列的着陆焊盘。下电极图案包括多个呈阵列排列的下电极，多个下电极与多个着陆焊盘一一对应；每个下电极为筒状结构，且每个下电极的底部与对应的着陆焊盘接触。支撑结构包括连接在纵向或横向任意相邻的两个下电极之间的支撑线。通过设置连接在纵向或横向任意相邻的两个下电极之间的支撑线，形成栅格状的支撑结构，以提高对下电极的支撑效果，防止下电极倾斜、弯曲或塌陷。
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