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公开(公告)号：CN102097106B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010597849.3
申请日：2010-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G11B5/851
Abstract: 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层，形成基片；步骤5：对基片进行退火处理，完成磁记录介质的制备。
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公开(公告)号：CN101789462B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010113745.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；p型硅基衬底；n型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明，可充分利用黑硅材料的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，同时利用背面掺杂梯度自建场分离黑硅中产生的光生电子-空穴对，使之被电极接收转化为光电流，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1微米以上波长太阳光谱的问题；该结构的pn结由扩散结形成，能确保电池开路电压不受黑硅低能光子转化降低的影响，从而有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101882636B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010175445.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101685776B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810223613.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/461 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102130229A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607413.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能，具体包括如下步骤：使用掩膜将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管盖住，露出需要进行氢等离子体处理的ZnO部分；将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管送入电容耦合等离子体系统中进行氢等离子体处理；氢等离子体处理过程中器件的温度为T，射频功率为WH，处理时间为tH。利用本发明，改善了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097106A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010597849.3
申请日：2010-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G11B5/851
Abstract: 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层，形成基片；步骤5：对基片进行退火处理，完成磁记录介质的制备。
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公开(公告)号：CN102051576A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237087.3
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低，容易精确控制掺杂元素浓度，还具有使杂质原子均匀分布在薄膜内的优点。
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公开(公告)号：CN102050481A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237099.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备氧化锌纳米材料的方法，该方法包括：用磁控溅射法在硅衬底上沉积氧化锌薄膜作为籽晶层；将该籽晶层放入反应釜中，利用水热反应制备氧化锌纳米结构材料，并通过调节反应参数来实现氧化锌纳米材料的形貌控制并增强其发光。本发明提供的这种制备形貌可控、高效率发光的氧化锌纳米材料的方法，用水热法制备氧化锌纳米结构材料，通过添加表面活性剂调控氧化锌纳米材料的形貌并增强其发光，能制备出具有良好垂直取向的氧化锌纳米线阵列，水热反应生长纳米材料能耗低、原料廉价易得、设备简单、产物结晶良好；通过调节反应温度、反应物浓度以及表面活性剂的选择，实现了对产物形貌、尺寸的调节以及发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN101871089A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910082081.3
申请日：2009-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶，在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜；5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜，保留衬底上面的Al薄膜，完成有序Al纳米颗粒的制备。
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公开(公告)号：CN101866999A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010183370.5
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02
Abstract: 本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5)在ZnO薄膜上制作n型电极。
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