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公开(公告)号：CN100353171C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410098998.X
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于电调制光致发光光谱测量的样品架，其特征在于，包括：一绝缘架，该绝缘架为一管状，该绝缘架的一端有一用于固定的法兰，该绝缘架的管壁上开有六个螺孔，与该六个螺孔成90度的方向开有两个观察孔；一载样品杆，该载样品杆概成一杆状，其直径与绝缘架的内径相同，该载样品杆的一端为一十字形的端部，另一端为一旋转端，中间为杆部，该载样品杆插入在绝缘架的内径中；六个电极，该六个电极为螺丝，该六个电极的一端为锥状，其另一端为旋转部，该六个电极分别螺入绝缘架上的螺孔中。
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公开(公告)号：CN101042195A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610011531.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电磁阀，包括：一非磁性阀座位于电磁阀整体的最下面，其上面的中心形成有一气室，自该气室至外壁有导阀口和主阀口；一阀体的断面为倒T型，且为中空，该阀体用螺丝与非磁性阀座连接，其最上部分有螺纹；一磁性阀芯为一柱体，在其端部的中心开有一圆孔，其位于阀体的中空部，在该磁性阀芯与阀体之间的下部有一弹簧，该弹簧套在磁性阀芯的外壁上；一氟胶条，其大小与磁性阀芯的圆孔大小一致，放在磁性阀芯的圆孔内；一电磁线圈缠绕在阀体的外壁上；一外壳套置在阀体的外面，其上面有一圆口，大小与磁性阀芯的最上部分相同，两个之间由螺母固定。
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公开(公告)号：CN1314081C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410004028.9
申请日：2004-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/318
Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹三族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：(A)首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；(B)然后生长一层氮化铝缓冲层，该氮化铝缓冲层中铝的含量大于氮的含量。
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公开(公告)号：CN1797711A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098993.7
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/30 , C23C16/34
Abstract: 一种III族氮化物衬底的生产设备，为复合型MOCVD－HVPE设备。在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中封闭生长室内设有金属舟，金属舟内装有金属，另有氯化氢气体通过金属舟，具有卤化物气相外延功能，使设备同时具有金属有机物化学气相淀积和卤化物气相外延双层功能。用该设备只需要在一个反应室中即可完成氮化镓衬底整个生长过程：先用金属有机源和氨气在衬底上生长0.1～1微米的氮化物结晶层，然后关闭金属有机源，同时将装有金属的金属舟升温并通入氯化氢气体，生长约300微米的氮化物衬底层。该方法不降温、没有生长停顿、取出等过程，完全避免了由于多次生长造成的样品表面粘污和表面再构等问题。
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公开(公告)号：CN1779913A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009856.1
申请日：2004-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备P型氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入P型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之间的应变以及由应变造成的极化电场，加强P型杂质的离化并实现氧化锌的P型导电。本发明方法克服了氧化锌中P型掺杂元素电离能高和溶解度小所带来的不易实现氧化锌(ZnO)的P型掺杂的困难，制备出高质量的P型氧化锌(ZnO)薄膜材料，提供了一种新的做激光器件的材料。
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公开(公告)号：CN1779910A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009858.0
申请日：2004-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤：a)首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层；b)然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层；c)用卤化物气相外延工艺生长一层氮化镓(GaN)厚膜；d)反复交错对步骤2、步骤3多次重复，成多层结构，直至生长出厚度复合要求的氮化镓(GaN)厚膜衬底材料；e)采用化学腐蚀方法将硅衬底去除，以得到自支撑的氮化镓厚膜。
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公开(公告)号：CN1258000C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN02108158.1
申请日：2002-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 刘祥林
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明一种化学原料新型配送系统，包括，原料瓶、压强控制器、流量控制器，其中：该原料瓶的入口通过管道与压强控制器的一端连结，且该管道伸入到原料瓶的底部；该压强控制器的另一端通过管道与载气加入端相连接；该原料瓶的出口通过管道与多个流量控制器的一端连接，且该管道伸入到原料瓶的内的上部；该流量控制器的另一端分别接有管道，且分别是原料出口，该原料出口分别接入材料生长室。
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公开(公告)号：CN1147010C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN00132745.3
申请日：2000-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层；在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘；在电介质层上第二次开负电极窗口，并在此窗口上制作负电极。
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公开(公告)号：CN1354528A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN00132745.3
申请日：2000-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层;在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘;在电介质层上第二次开负电极窗口,并在此窗口上制作负电极。
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公开(公告)号：CN1338783A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00120889.6
申请日：2000-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法,包括:在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p－n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气),以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如:发光二极管,面输出的激光二极管等)具有光输出效率高,整个发光面发光均匀,避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极,或减少了器件的厚度,以及由此带来制作成本低廉的优点。
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