低电压静态分频器集成电路芯片

    公开(公告)号:CN102130678B

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201010022736.0

    申请日:2010-01-12

    Abstract: 本发明提供了一种新的低电压静态分频器集成电路芯片,涉及集成电路领域。和已经公开发表的其它结构(如分布式负载结构以及单共栅时钟开关结构)相比,本发明采用的是“全共栅时钟开关”结构,所述结构降低了电源电压,减小了功耗。同时,利用“动态负载”结构,提高了工作频率。电路全部由场效应管构成,降低了芯片面积。本发明采用0.18微米的混合信号金属-氧化物-半导体场效应晶体管工艺进行了设计验证,结果证明了本发明可行性。

    一种太赫兹成像系统的探测装置

    公开(公告)号:CN102128841B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201010022764.2

    申请日:2010-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹成像系统的探测装置。该太赫兹成像系统的探测装置的像素单元是一种H面扇形喇叭天线阵列,天线阵列的基本单元是一种喇叭天线,这种喇叭天线是由矩形波导馈线和与之制成一体的截面由矩形波导的H平面(即波导的宽边)逐渐展开而成的波导喇叭体两部分组成,波导喇叭体由矩形波导沿宽边逐渐展开而成,是一个金属做的空心角锥型喇叭,矩形波导馈线由空心的矩形金属管构成。矩形波导馈线用于传输像素单元接收的THz信号;波导喇叭体用于接收THz信号。本发明给出的探测装置可以应用于工作在太赫兹波段的成像系统。

    双频段可重构混频器集成电路芯片

    公开(公告)号:CN102130654A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010022737.5

    申请日:2010-01-12

    Abstract: 本发明设计了一种新型可重构混频器集成电路芯片,特别是应用于高级国际移动通信(Advanced International Mobile Communications,IMT-Advanced)和超宽带(Ultra-Wide Band,UWB)通信两种系统的一种双频段可重构混频器集成电路芯片。本发明采用可调电容与电阻网络结构来实现两频段间的可重构,与目前报道的其他混频器结构相比,所述电路加入开关选频调谐网络,通过调节外加的控制电压,使电路在两种工作模式间切换。同时,通过调节所述电路中的元件参数,使电路在两频段同时达到性能最优化。综合考虑线性度,可变增益平坦度,复杂度以及芯片面积和功耗等因素,本设计和其他发表的技术相比有较大改进。我们采用SMIC公司0.13微米的混合信号CMOS工艺,验证了本发明的可行性。

    第四代移动通信与脉冲无线电超宽带集成的可重构系统

    公开(公告)号:CN101588639B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200910032081.2

    申请日:2009-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种第四代移动通信与脉冲无线电超宽带集成的可重构系统,属于无线通信双模式可重构系统集成领域。本系统包括发射机和接收机,发射机选择直接上变频后的第四代移动通信(4G)射频信号或脉冲无线电超宽带(IR-UWB)通信信号,经过可重构功率放大器放大后通过智能天线发射到空间;接收机从智能天线接收信号后输入到可重构低噪声放大器,将4G移动通信信号下变频、模数转换或将IR-UWB信号高速采样,再输入到基带进行信号处理,从而实现两种通信系统的可重构集成。本发明中4G系统为直接变频结构的宽带通信系统,IR-UWB不再具有传统的中频和射频概念,通信过程不需要调制解调,使该系统同时兼容两种通信标准。

    一种有源衰减器电路
    85.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114726340B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202210075829.2

    申请日:2022-01-23

    Abstract: 本发明公开了一种有源衰减器电路,包括:第一匹配网络、第二有源幅度衰减调制模块、第三幅度及相位补偿模块、第四匹配网络。其中,第二有源幅度衰减调制模块采用共源共栅结构,用于依据第一调节指令调节衰减范围,按照调节后的衰减范围双端差分信号进行衰减,并将衰减后的双端信号传输到第三幅度及相位补偿模块。第三幅度及相位补偿模块用于调节幅度及相位补偿,对信号实现高精度、低附加相移的衰减。相比于传统结构,本发明的有源衰减器电路具有宽带、高集成度以及低附加相移和良好的带内平坦度。

    频率相关的电容中和方法
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118523728A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410569503.4

    申请日:2024-05-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了频率相关的电容中和方法,所述频率相关的电容中和方法,将电容元件与电感元件串联形成等效容性电路,并与可变电容元件并联,所述等效容性电路的容值‑频率关系与可变电容元件的容值‑频率关系变化趋势相反,产生频率相关的电容中和效应。将n个电容元件与电感元件串联形成的电路结构级联,形成容值‑频率相关性更高的等效容性电路,与可变电容元件并联,产生增强的频率相关的电容中和效应。将具有频率相关的电容中和效应的电路与电感元件连接,构成谐振电路,可以在压控振荡器及低噪声放大器等电路结构中进行应用。

    一种带有二次谐波增强次谐振腔的注入锁定三分频电路

    公开(公告)号:CN114513207B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202210086894.5

    申请日:2022-01-25

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种带有二次谐波增强次谐振腔的注入锁定三分频电路,包括:两对互补交叉耦合对管,注入锁定电路、第一输出缓冲电路、第二输出缓冲电路、第一主开关电容阵列、第二开关电容阵列、第三开关电容阵列;由两对互补交叉耦合对管和主谐振腔构成振荡器,在主谐振腔中加入二次谐波增强电感,增强反馈信号中二次谐波的成分;注入锁定电路由差分注入电路和二次谐波增强次级谐振腔构成,提高了注入信号与反馈信号二次谐波的混频效率;本发明采用开关电容阵列调谐的方法,同时改变主次谐振腔的谐振频率,从而进一步提高分频器的分频范围。本发明同已有的注入锁定三分频器技术相比,可实现更宽的锁定范围,且不会增加芯片面积和直流功耗。

    一种毫米波宽带数控振荡器

    公开(公告)号:CN113067550B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202110276269.2

    申请日:2021-03-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种毫米波宽带数控振荡器,包括LC谐振腔和负阻电路。LC谐振腔采用电感调谐和电容调谐协同工作的宽带调谐机制,其中,电感调谐采用基于互感开关的片上变压器结构;电容调谐分为三级:电容粗调电路、电容中调电路及电容精调电路,其中,电容粗调电路由开关电容阵列构成;电容中调电路及电容精调电路均由离散电压控制可变电容构成,不需引入开关。与已有的毫米波宽带数控振荡器技术相比,本发明实现的毫米波数控振荡器的带宽更大、寄生电容更小、芯片面积更小,更利于数字锁相环的片内集成,极大节省了整个数字锁相环芯片面积。

    一种快速响应的三环LDO电路结构
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117055677A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311261937.X

    申请日:2023-09-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种快速响应的三环LDO电路结构,包括运算放大器电路、电流偏置电路、控制电压产生电路、翻转电压跟随器。翻转电压跟随器包括超级源跟随器、推挽输出级、快速负反馈环路。该结构充分利用了推挽输出结构栅电压共同降低的特性,大幅度提升了抽拉电流的能力,同时通过增加额外的增益级,提升了低频时的电源噪声抑制比。此外,本结构由于采用了超级源跟随器结构,通过负反馈降低节点阻抗,有效提高了环路稳定性。

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