公开(公告)号：CN101041231A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089147.2

申请日：2007-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  樋熊政一 ,  青砥雅 ,  菊池英一郎

IPC: B24B21/04 ,  B24B7/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B1/00 ,  B24B21/04

Abstract: 本发明提供一种通过使静电卡盘的表面平滑从而能够提高其与基板的传热效率的表面处理方法。基板处理装置(10)具有收容晶片(W)的腔室(11)，该腔室(11)内配置有作为载置晶片(W)的载置台的基座(12)，该基座(12)的上部配置有静电卡盘(42a)。在静电卡盘(42a)中，首先，在其表面上形成喷镀膜(1)，接着，通过与固定有磨粒的圆盘状的砂轮(2)接触，对表面进行磨削，然后，通过与表面上喷涂有将磨粒和润滑剂混合而形成的悬浊液的研磨平板(3)接触，将表面磨削至平坦，通过对具有涂敷固着有磨粒(9)的带(5)和由弹性体构成的辊(6)的带研磨装置(4)施加压力，与带研磨装置(4)的带(5)接触，将表面磨削至平滑。

公开(公告)号：CN3370151D

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN03342341.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 高桥秀一 ,  加藤幸司 ,  滨元新二 ,  佐佐木康晴

Abstract: 1.因左视图与右视图对称，故省略左视图。2.B为本外观设计产品。

公开(公告)号：CN305978927S

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201930684613.5

申请日：2019-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 高山将步 ,  佐佐木康晴

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体制造装置用静电吸盘。
2.本外观设计产品的用途：被用作半导体制造装置用静电吸盘，用于在执行半导体制造的等离子处理等工序时吸附晶片。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN305528664S

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201930258175.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 佐佐木康晴 ,  内田阳平 ,  高山将歩

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：聚焦环。
2.本外观设计产品的用途：本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN3349265D

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03352229.4

申请日：2003-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 高桥秀一 ,  佐佐木康晴

Abstract: 1.因左视图与右视图相对称，所以省略左

公开(公告)号：CN306024351S

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201930258942.3

申请日：2019-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 佐佐木康晴 ,  内田阳平 ,  阿部晃 ,  氏家智也

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：聚焦环。
2.本外观设计产品的用途：本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN300766806D

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200730002042.X

申请日：2007-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 佐佐木康晴 ,  小坂井守

公开(公告)号：CN3360481D

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03342350.4

申请日：2003-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 高桥秀一 ,  加藤幸司 ,  滨元新二 ,  佐佐木康晴

Abstract: 后视图及左、右视图与主视图相同，故