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公开(公告)号：CN119300500A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410484480.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，所述基板包括第一光电二极管(PD)区域和与所述第一PD区域相邻的第二PD区域；第一PD，所述第一PD具有第一面积，位于所述第一PD区域中；第二PD，所述第二PD位于所述第二PD区域中，所述第二PD具有比所述第一面积小的第二面积；微透镜，所述微透镜位于所述基板上并且覆盖所述第一PD区域；以及分光器，所述分光器位于所述基板和所述微透镜之间，所述分光器包括具有与所述微透镜的折射率不同的折射率的材料。所述分光器从所述第一PD区域延伸到所述第二PD区域。
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公开(公告)号：CN110310965B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910137817.6
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器包括基底，所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。图像传感器包括位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷的第一光电门和第二光电门。此外，图像传感器包括第一微透镜和第二微透镜，所述第一微透镜和第二微透镜位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
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公开(公告)号：CN118156278A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311631198.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素，其中，每个像素包括第一光电二极管、第二光电二极管、第一传输栅极、第二传输栅极和多个有源区域；以及逻辑电路，被配置为控制像素。多个有源区域包括第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域。第一有源区域与第一传输栅极相邻地设置。第二有源区域与第二传输栅极相邻地设置。第三有源区域电连接到第二有源区域。第一有源区域和第二有源区域设置在包括第一光电二极管和第二光电二极管的主基板上。第三有源区域设置在附着到主基板的子基板上。
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公开(公告)号：CN108257985B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201711442531.6
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本公开提供了光传感器。第一基板包括多个单元像素区域。深沟槽隔离结构设置在第一基板中并使所述多个单元像素区域彼此隔离。多个光电转换器的每个设置在所述多个单元像素区域中的对应一个中。多个微透镜设置在第一基板上。多个分光器设置在第一基板上。所述多个分光器的每个设置在所述多个微透镜中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。多个光电转换增强层的每个设置在所述多个分光器中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。
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公开(公告)号：CN110248124B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910090962.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/77 , H04N25/772 , H04N25/78 , H04N25/76
Abstract: 提供图像传感器、包括其的图像检测系统以及操作其的方法。所述图像传感器可包括被配置为响应于入射在像素上的光生成图像信号的像素。像素可包括被配置为在感测时间段期间收集由入射在像素上的光产生的电荷的电荷收集电路以及浮置扩散区。所述图像传感器还可包括被配置为存储所述电荷并在感测时间段之后的转移时间段期间被配置为将所述电荷的至少一部分转移到浮置扩散区的存储单元。从存储单元转移到浮置扩散区的电荷量可由施加到存储单元的存储控制端的存储控制信号的电压电平来控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895668A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310344223.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和车辆。所述图像传感器包括：像素组，包括第一区域和第二区域；以及具有第一颜色的滤色器，位于所述像素组上，其中，所述第一区域包括第一像素，所述第一像素包括第一光电二极管、位于所述第一光电二极管上的第一浮置扩散区和位于所述第一光电二极管上的第一转移晶体管，所述第二区域包括第二像素，所述第二像素包括第二光电二极管、第二浮置扩散区以及连接到所述第二光电二极管和所述第二浮置扩散区的第二转移晶体管，所述第一像素和所述第二像素中的至少一者以m×n(m和n是2或更大的自然数)布置，从平面图看，包括在所述第一区域中的第一光电二极管的总面积大于包括在所述第二区域中的第二光电二极管的总面积。
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公开(公告)号：CN116666407A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310183289.4
申请日：2023-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，具有第一表面和与第一表面背对的第二表面；第一像素分离图案，限定多个单位像素，所述多个单位像素包括基底中的光电转换区，每个第一像素分离图案包括第一导电膜和第一导电膜上的第二导电膜；以及微透镜，在基底的第二表面上，其中，第一导电膜沿第二导电膜的侧壁延伸以将第二导电膜与基底分开，对于预定波长范围，第一导电膜具有比第二导电膜大的反射率，并且第二导电膜具有比第一导电膜大的台阶覆盖。
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公开(公告)号：CN115775807A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210928402.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H01L27/146 , H04N23/54 , H04N25/70
Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：光感测元件，其位于衬底中；多个传输栅极(TG)，其在基本平行于衬底的表面的水平方向上彼此间隔开，多个TG中的每一个延伸穿过衬底的一部分，并且接触光感测元件；以及浮置扩散(FD)区域，其位于衬底的与多个TG相邻的部分上，其中，FD区域在平面图中位于多个TG之间。
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公开(公告)号：CN115623342A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210725891.1
申请日：2022-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , G01S17/894 , G01S7/4865 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种用于距离测量的图像传感器以及一种包括所述图像传感器的图像传感器模块。所述图像传感器包括：像素阵列，所述像素阵列包括多个像素，所述多个像素包括布置在第一线上的多个第一像素和布置在第二线上的多个第二像素，其中，所述多个第一像素和所述多个第二像素被布置为彼此交错，并且所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每一个像素包括多个调制晶体管，所述多个调制晶体管用于在光电荷收集时段期间接收多个调制信号；行译码器，所述行译码器向所述像素阵列提供控制信号和所述多个调制信号；以及模数转换电路，所述模数转换电路从所述像素阵列接收多个感测信号并且将所述多个感测信号转换成多个数字信号。
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公开(公告)号：CN115225833A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210258247.8
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 陈暎究
IPC: H04N5/347 , H04N5/345 , H04N9/04 , H04N13/271 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种像素阵列和包括该像素阵列的图像传感器。像素阵列包括：多个子像素，该多个子像素彼此相邻；以及读出电路，通过浮动扩散节点连接到多个子像素。子像素中的每一个包括：光电转换元件；溢出晶体管，连接到光电转换元件；光电晶体管，连接到光电转换元件和溢出晶体管；以及存储元件，连接到光电晶体管。
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