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公开(公告)号：CN114561693B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210136243.2
申请日：2022-02-14
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶生长装置，包括：外坩埚，外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，第一内坩埚设于生长腔内，且第一内坩埚与籽晶沿轴向相对布置，第一内坩埚的朝向籽晶的一端敞开，第一内坩埚的外侧壁与外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，第二内坩埚在生长腔内且位于第一内坩埚的背离籽晶的一侧，第二内坩埚的朝向第一内坩埚的一端敞开，第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动以连通或隔断气流通道与第二内坩埚的内腔。根据本发明的单晶生长装置，可以提高碳化硅晶体生长过程的连续性。
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公开(公告)号：CN116497436A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310745496.4
申请日：2023-06-25
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅制备方法及制得的碳化硅晶体，涉及半导体领域。碳化硅制备方法应用于碳化硅晶体生长装置，包括通过进气管路向坩埚内输入第一气体，第一气体包括载气和掺杂气体；通过进气口向加热炉内输入第二气体，第一气体和第二气体由下向上运动。本申请的碳化硅制备方法将通入到生长装置中的气体分成独立的两路，通入坩埚内的第一气体中含有掺杂气体，可以直接参与形成碳化硅晶体，保证掺杂气体浓度的稳定性和均一性。由于两路气体单独控制，使得坩埚内、外的压力差更加可控，通过控制坩埚内外的压力差和进气口、出气口的位置设置，控制长晶气相组分的传输方向和浓度分布，降低晶体缺陷形成概率，有利于提高碳化硅晶体质量。
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公开(公告)号：CN114540943B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210227495.6
申请日：2022-03-08
申请人： 山东大学
摘要： 本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法，包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器，其中，所述坩埚置于石墨保温毡中，感应线圈位于石墨保温毡外侧，电阻加热器位于石墨保温毡内部，且位于坩埚的顶部或/和底部。采用感应加热及电阻加热相结合的加热方式，单晶生长系统的温度控制以感应电源加热为主，电阻加热为辅。在单晶生长过程和晶体高温退火过程中，通过调节感应加热和电阻加热器的功率比例，分别构建出近平微凸和平温场，获得大直径高质量SiC单晶。
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公开(公告)号：CN116288673A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310193621.5
申请日：2023-03-02
申请人： 南通罡丰科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种PVT法制备大尺寸4H‑碳化硅单晶扩径的生长装置及生长方法，包括坩埚部件及机台，所述坩埚部件包括石墨锅体，所述石墨锅体顶面内侧开设扩口，所述扩口内侧套接结晶器组件。本发明中结晶器组件采用双锥形口的结构，截面呈现一种半工字型形状，使结晶器组件内外侧最大限度的缩小与石墨锅体内侧壁距离，通过石墨的热导效应，保证结晶器温度不至于过低，导热性能更佳，经过实际使用，在辅以合适的温度梯度后，即便制作6‑7英寸的大尺寸碳化硅晶体时，结晶器内侧壁也不会产生多晶连结，可以成功去除边缘多晶，不会影响碳化硅晶体的取出，也不会出现退火时因边缘多晶的影响导致晶体应力无法释放最终导致晶体开裂的现象。
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公开(公告)号：CN116254607A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211690396.8
申请日：2022-12-28
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种爪式坩埚安装装置，包括提拉件、勾爪部件和盖体。盖体用于可拆卸式安装在坩埚的上端开口位置，以使坩埚内形成密封腔体。盖体的边缘位置设有挂接部。勾爪部件具有勾爪，勾爪与挂接部挂接相连，以通过勾爪提升坩埚和盖体。提拉件与勾爪部件相连，以通过提拉件提升勾爪部件。相比于现有技术，本发明的爪式坩埚安装装置能够减弱坩埚上端、下端中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。
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公开(公告)号：CN116239088A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485440.7
申请日：2021-12-07
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B21/072 , C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/40
摘要： 本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得的源粉用于后继PVT法生长氮化铝单晶，SIMS测量发现，后续生长的AlN晶片氧杂质含量从6x1017cm‑3降低到1x1017cm‑3。本发明可以降低氮化铝单晶晶体中的含氧量，有利于实现高质量氮化铝单晶的制备。
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公开(公告)号：CN116209793A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180065859.9
申请日：2021-09-23
申请人： 艾伯纳工业炉公司
IPC分类号： C30B23/00
摘要： 本发明涉及一种用于通过PVT或PVD或CVD或取向附生升华来培育晶体的方法，所述方法包括以下步骤：提供用于晶体生长的腔室；提供坩埚，所述坩埚设置所述腔室中并且所述坩埚具有带有籽晶的至少一个析出部段以及用于培育晶体的原始材料；提供至少一个温度监控装置、特别是高温计；提供气体供应装置以及至少一个流体入口和出口；提供压力监控装置；通过泵出装置对所述腔室排真空；用惰性气体、优选氩气冲刷所述腔室；通过至少一个加热装置将所述腔室加热到2000℃至2400℃的培育温度；将压力降低到0.1至100mbar；(在生长过程期间，)供应掺杂物、优选是氮；调节生长过程中的过程参数；在生长过程的结束时提高所述腔室中的压力；冷却所述腔室；其中，在10至10000分钟之内将所述腔室(11)从环境温度加热到培育温度。
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公开(公告)号：CN116180226A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310047510.3
申请日：2023-01-31
申请人： 江苏吉星新材料有限公司 , 东旭科技集团有限公司
IPC分类号： C30B27/00 , C30B29/36 , C01B32/956 , C01B32/984 , C30B23/00
摘要： 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种高纯碳化硅及其制备方法，该制备方法包括：(1)将碳化硅粉料进行除碳处理，得到第一碳化硅粉料；(2)将所述第一碳化硅粉料进行超声清洗处理并干燥，得到第二碳化硅粉料；(3)将碳粉、硅粉与所述第二碳化硅粉料进行混料处理，得到混合料I；(4)采用三阶段程序升温法将所述混合料I进行反应，得到高纯碳化硅。本发明提供的制备高纯碳化硅的方法，能够提高碳化硅晶体的纯度，并且能够提高大粒径碳化硅晶体的收率占比。
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公开(公告)号：CN112723904B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110125530.9
申请日：2021-01-29
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： C04B38/06 , C04B35/573 , C04B35/622 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明涉及碳化硅烧结体技术领域，具体而言，涉及SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体。SiC多孔烧结体的制备方法包括：将碳粉、硅粉和粘结剂混合造粒并压制成型后进行加热固化，而后再进行煅烧。该制备方法在原料合成形成SiC的过程中直接形成具有晶体生长的多孔结构，使得形成的SiC多孔烧结体可以直接用于物理气相沉积生长晶体，可以避免进行粉料填装以及二次烧结等工序，提高了生产产率。
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公开(公告)号：CN115819088B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310142259.9
申请日：2023-02-21
申请人： 宁波合盛新材料有限公司
摘要： 本申请公开了一种碳化硅晶体生长装置、其过滤材料以及过滤材料的制备方法，其制备方法包括打孔步骤、浸渍固化步骤和烧结步骤，打孔步骤为：在钽件上设置多个贯穿的通孔，通孔的直径为0.01 mm~1 mm；浸渍固化步骤为：将带孔的钽件浸入分散有石墨乳的树脂溶液中，充分浸渍后固化钽件表面的树脂；烧结步骤为：将带有固化树脂层的钽件烧结得到碳化钽的陶瓷材料。本申请的碳化硅晶体生长装置及过滤材料，能有效避免晶体生长过程中硅碳比失衡而造成的“碳包裹”问题，提高晶体品质。
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