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公开(公告)号：CN111879989A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010438104.6
申请日：2020-05-21
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电容组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接，该检测电路能够有效的避免寄生电感对电流采样电阻检测性能的影响，且成本较低，体积较小。
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公开(公告)号：CN111865078A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010663385.5
申请日：2020-07-10
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H02M3/155
摘要： 本发明公开了一种单输入对称双极性双输出DC-DC变换器，第一端口的正极与第一开关的一端相连接，第一端口的负极与第二开关的一端、第一电感的一端、第三电容的一端、第四电容的一端、第二二极管的负极、第二端口的负极及第三端口的负极相连接，第一开关的另一端面与第一电容的一端、第二电容的一端及第二开关的另一端相连接，第一电容的另一端与第一二极管的正极及第一电感的另一端相连接，第一二极管的负极与第三电容的另一端及第二端口的正极相连接，第二电容的另一端与第二二极管的正极及第二电感的一端相连接，第二电感的另一端与第四电容的另一端及第三端口的正极相连接，该变换器的器件数量少，成本低。
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公开(公告)号：CN110246835B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910428016.5
申请日：2019-05-22
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 发明公开了一种三维集成高压碳化硅模块封装结构，其包括自上而下的源极基板、芯片子模块、上驱动端子、上驱动基板、陶瓷外壳、可集成水冷散热器的金属基板、进水口、出水口、芯片子模块、下驱动端子、下驱动基板、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等组成。采用三维集成结构让回路不收二维布局的局限，寄生参数大幅降低；采用集成水冷散热器的中间基板能保证每层芯片都是双面散热结构，提高模块的散热效率；采用外接解耦电容组，减小电压振荡的同时也不会影响模块内部的可靠性；采用金属平板作为引出端子，能够与现有的电网输变电系统相兼容。
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公开(公告)号：CN110190049A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910428010.8
申请日：2019-05-22
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 发明公开了一种高压功率模块封装结构，其包括自上而下的源极基板芯片子模块、驱动基板、驱动端子、外壳、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动源极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等。本发明结构合理，采用纳米银烧结工艺的新型高压碳化硅封装结构有利于提高压接模块的可靠性；在芯片终端设置绝缘结构以及用固体绝缘材料填充模块提高了器件的耐压性；封装结构集成了驱动基板并实现开尔文连接，提高了驱动的可靠性。
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公开(公告)号：CN108512273A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810326720.5
申请日：2018-04-12
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于变频移相控制的SS谐振无线电能传输系统参数设计方法，包括以下步骤：在蓄电池恒流充电阶段，以SS谐振无线电能传输系统在谐振频率处的最小互导增益为谐振网络中耦合线圈电感的第一边界条件；在蓄电池恒压充电阶段，以SS谐振无线电能传输系统在恒压增益点处的电压增益在预设电压增益带内为谐振网络中耦合线圈电感的第二边界条件；在蓄电池整个充电过程中，以SS谐振无线电能传输系统的品质因数大于预设值作为谐振网络中耦合线圈电感的第三边界条件；将各边界条件的交集作为谐振网络中耦合线圈电感值的取值范围，该方法基于变频移相控制进行SS谐振无线电能传输系统的参数设计，并且能够满足蓄电池两段式充电特点。
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公开(公告)号：CN118920853A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411034063.9
申请日：2024-07-30
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种通用三维集成变换器结构，包括超薄平面磁件、原边绕组、副边绕组、变压器原边PCB、变压器副边PCB、原边绕组、若干超薄平面磁件及若干副边绕组；其中，变压器原边PCB、原边绕组、副边绕组及变压器副边PCB自上到下依次分布，一个副边绕组对应一个超薄平面磁件，副边绕组的两侧均连接于变压器副边PCB的顶部，副边绕组的中部穿过对应超薄平面磁件，原边绕组的两侧连接于变压器原边PCB的底部，原边绕组的中部依次穿过各超薄平面磁件，该电源具有体积小、转换效率高以及功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN118739797A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410770974.1
申请日：2024-06-14
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种宽调压范围谐振变换器的最优轨迹脉冲跨周期控制方法，基于谐振变换器宽范围调压，包括以下步骤：获取谐振变换器中输出负载两端的电压信号或流经输出负载的电流信号；根据所述输出负载两端的电压信号或流经输出负载的电流信号，采用基于最优轨迹控制的脉冲跨周期调制控制策略，在若干开关周期内对原边逆变模块及周波变换器跨过的脉冲数量进行控制，以调整对应开关周期内的平均输出功率，拓宽谐振变换器的调压范围，该方法实现原副边开关管的软开关并消除谐振电感电流尖峰。
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公开(公告)号：CN115048896B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210636655.2
申请日：2022-06-07
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/373
摘要： 本发明公开了一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法，包括非线性电容子结构Cce、非线性电容子结构Cgc和非线性电容子结构Cge；所述非线性电容子结构Cce的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接，所述非线性电容子结构Cgc的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，所述非线性电容子结构Cge的一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接。本发明能够很好地表征IGBT在瞬态时经历的物理过程，且能够提高IGBT集总电荷模型在瞬态过程中的表征精度。
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公开(公告)号：CN118431178A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410514801.3
申请日：2024-04-26
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/538
摘要： 本发明公开了一种GaN器件并联用混合双面散热功率模块封装，本封装结构采用将PCB和若干组并联的GaN器件分别连接在底部MCB上，同时使得PCB通过底部MCB与GaN器件的栅极相连；将栅极布局与功率布局实现解耦，互不干扰，降低并联GaN器件栅极和功率布局复杂度，轻松实现较小且一致的电路布局，确保高开关速度和电流均流；将GaN器件的衬底侧通过第一金属缓冲块与顶部MCB连接，实现GaN器件的双面散热，使得该封装的热性能相比于单面散热的封装提高约一倍；同时在顶部MCB和底部MCB之间放置第二金属缓冲块，既实现顶部MCB和底部MCB的连接又能保护GaN器件；本封装能够轻松拓展并联GaN器件的个数，无需对功率和栅极布局进行大的调整，可应用于各种电流等级的功率模块。
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