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公开(公告)号：CN117080289A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310831933.4
申请日：2023-07-07
Applicant: 电子科技大学 , 成都燎原星光电子有限责任公司
IPC: H01L31/102
Abstract: 本发明属于光电领域，具体为一种适用于微型红外光谱仪的石墨烯铁电等离激元探测器。解决了传统红外光谱仪体积大的问题，为红外光谱仪的小型化提供了一种可行的设计方法。主要解决方案包括通过铁电畴的超高静电场对图形化的石墨烯进行静电掺杂，来激发石墨烯自身的等离激元效应，进而实现红外波段的探测，同时改变铁电畴的剩余极化强度，即可实现石墨烯探测波段的可调谐性。相较于传统的光谱仪减少了分光模块以及减小了探测器数量，这极大减小了器件的体积。
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公开(公告)号：CN113035965B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202110253989.7
申请日：2021-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器及其制备方法，该传感器采用PI薄膜作为基底，ITO作为电极，禁带宽度为1.2‑2.4eV的P型硒化物(如禁带宽度约为2.1eV的GaSe)和禁带宽度为1.8‑2.2eV的n型硫化物(如禁带宽度约为1.8eV的MoS2)形成的异质结作为功能层。器件制备流程为：首先通过光刻技术和ITO湿法刻蚀得到ITO电极，再采用机械剥离的方式得到硒化物和硫化物的亚微米薄片，并精确对准转移到基于PI基底的ITO电极上，形成超薄二维半导体异质结(各层厚度在10nm‑30nm之间)，结区面积在1×102‑2.5×103平方微米之间。该种制备方法方便环保且成本低，且基于该方法制备的硒化物/硫化物异质结光电探测器具有良好的弯曲性，相较于刚性光电探测器可应用于更多的场景，且得益于硒化物/硫化物异质结的材料特性，此类光电探测器具有良好的光电探测性能，可实现良好的光电探测效果。
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公开(公告)号：CN113410317B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110690461.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种具有表面等离激元的二硒化钨/二硫化钼异质结光电探测器及其制备方法，包括ITO电极、异质结：由二维二硒化钨和二硫化钼以范德华力结合在一起以及表面等离激元：由金纳米颗粒构成。发明提出的光电探测器，利用表面等离激元对光子能量的吸收作用来增强二维二硒化钨/二硫化钼异质结的光吸收和光响应。发明提出制备方法包括通过激光直写光刻技术在异质结区域的光刻胶上精确地刻出亚微尺寸特定图形如矩形或圆形等窗口、利用移液器在窗口区域滴加纳米颗粒溶液如金纳米颗粒溶液或银纳米颗粒溶液、在震动和加热环境下将金纳米颗粒富集在矩形窗口内的方式在异质结区域上引入表面等离激元。本发明提出的具有表面等离激元的二维材料异质结光电探测器的结构及其制备方法具有新颖和简单的特点。
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公开(公告)号：CN113075189B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110242939.9
申请日：2021-03-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光学领域，具体提供一种基于法诺共振的表面增强拉曼传感基底及其制备方法，用以克服现有表面增强拉曼传感基底存在的制备太复杂、成本高等问题。本发明中表面增强拉曼传感基底通过纳米球与金膜间的局域表面等离子体的共振耦合及镜面成像场效应产生不对称曲线特征的Fano共振；使用亲和素和生物素对纳米球和金膜进行化学连接，结合力强，稳定不易脱落；并且，能够通过改变纳米球的球径、纳米球与金膜的间距等参数调控Fano dip的光谱位置和强度。综上，本发明提供的表面增强拉曼传感基底具有制备简单、灵敏度高、均一性好的优点，可制备大尺寸阵列结构。
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公开(公告)号：CN114252094A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111443060.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光学领域，具体提供一种基于法诺共振增强的光电探测结构及其制备方法，用以克服现有基于法诺共振增强的光电探测器存在的制备复杂、成本过高、均一性差等问题。本发明中的光电探测结构通过七个纳米球和金膜的局部表面等离子共振产生不对称曲线特征的法诺共振；利用分子间作用力，使二硫化钼和七个纳米球之间，七个纳米球和金膜之间，进行物理结合，结合力较高，结构稳定且不易脱落；并且，能够通过改变七个纳米球结构的球径、七个纳米球之间的间距等参数调控法诺谷的光谱位置和强度。与现有技术相比，本发明提供具有结构简单、易于制备、成本较低、灵敏度较高、均一性较好等优点，可制备大尺寸的阵列式结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113702354A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111025756.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于纳米技术领域，提供一种基于阵列式微结构的柔性SERS基底及其制备方法用以解决现有柔性SERS基底采样时基底表面的贵金属微结构易被损坏的问题。本发明基底包括：柔性薄膜基材、孔洞微结构、贵金属薄膜层以及贵金属纳米颗粒，孔洞微结构呈阵列式分布于柔性薄膜基材表面，贵金属薄膜层覆盖于阵列式孔洞微结构表面，贵金属纳米颗粒填充于阵列式孔洞微结构内。本发明基于金属化的阵列式孔洞微结构与贵金属纳米颗粒共同增强待测物分子的拉曼信号，使得基底具有均一性好、高灵敏度的优点；同时，擦拭采样时金属化的阵列式孔洞微结构会对内部的贵金属纳米颗粒起到保护的作用，使其不易被擦除损坏，即本发明基底的稳定性好。
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公开(公告)号：CN111740485A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010643929.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于无源峰值检测的脉冲型微能源电源管理电路，涉及微能源能量管理领域，其技术方案要点是：包括依次连接的整流电路、降压电路以及储能模块，所述整流电路、降压电路之间设有基于无源峰值检测的开关电路，所述基于无源峰值检测的开关电路包括无源峰值检测电路和电子开关；所述无源峰值检测电路，用于对所述整流电路输出的单向脉冲信号进行脉冲检测，并在所述单向脉冲信号达到峰值时向所述电子开关发出开关控制信号；所述电子开关，串联于所述整流电路与降压电路之间，用于根据所述开关控制信号闭合后将整流电路与降压电路导通以实现能量最大化转移，在实现电路自驱动的基础上提高电路的通用性及其能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111464327A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010116118.6
申请日：2020-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L12/24
Abstract: 本发明公开了一种基于图卷积网络的空间信息网络抗毁性评估方法，包括：步骤1，确定目标网络的网络拓扑；步骤2，计算网络均衡度：(1)对目标网络中的网络节点的重要性进行排序；(2)计算目标网络中的网络节点的重要性数学期望；(3)根据网络节点的重要性数学期望计算网络均衡度；步骤3，计算网络桥接度；(1)训练图卷积神经网络模型，以进行网络节点分类；(2)计算网络分割攻击效率；(3)根据网络分割攻击效率计算网络桥接度；步骤4，根据网络均衡度和网络桥接度计算得到网络抗毁性。分析本发明与经典的跳面节点法、结构差异度法在计算网络抗毁性方面的特点，证明本发明能够更为准确地区分出不同规模网络的抗毁性大小。
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公开(公告)号：CN110727957A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910975518.X
申请日：2019-10-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F21/62
Abstract: 本发明公开了一种基于采样的差分隐私保护方法和系统，所述方法包括：步骤1，收集个人用户的数据形成原始数据库；步骤2，对原始数据库中的数据进行随机采样得到临时数据库；步骤3，接收查询用户的查询请求q；步骤4，根据查询请求q涉及数据的数据特征选择差分隐私保护机制；步骤5，在临时数据库中运行选择的差分隐私保护机制，使差分隐私保护机制在临时数据库中查询查询请求q的真实答案；步骤6，利用数据噪声混淆所述真实答案；步骤7，将混淆后的真实答案返回给查询用户。本发明中查询用户可以对海量数据进行统计分析；查询用户不能获得数据库中任何用户的具体信息；能够加强已有差分隐私保护方法的隐私保护强度。
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公开(公告)号：CN110186599A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910406353.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/20
Abstract: 本发明提供一种可图形化调节性能的超线性阻变氧化还原石墨烯应力传感器的制备方法，属于柔性应力传感器领域。本发明先在衬底上制备氧化石墨烯薄膜，然后将氧化石墨烯薄膜在激光作用下受热还原，制备不同图形的RGO薄膜，用于改进提高氧化还原石墨烯(RGO)应力传感器的灵敏度，通过改变RGO在形成过程中的图形结构来调节RGO应力传感器的检测范围，从而使得基于形状改性的RGO薄膜形成的柔性应力传感器适用于人体特定部位的应力监测。
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