一种纳米压印模板的制备方法

    公开(公告)号:CN102436140B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201110316409.0

    申请日:2011-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法,包括如下步骤:(1)在多孔阳极氧化铝模板(PAT)表面旋涂缓冲层;(2)在所述缓冲层上贴布粘连层;(3)在粘连层上粘附硬质衬底;(4)压印;(5)去除Al基底;(6)进行两步干法刻蚀。本发明以多孔氧化铝模板作为初始模板,所制得的四层结构纳米压印模板具有自适应功能,能够克服常规纳米压印中表面颗粒和局部不平整带来的影响,真正实现大面积高精度图形转移的目的,同时,结构和制备工艺上的特殊性,使得压印后能够方便完整的将PAT表面多孔层剥离到衬底表面,进而实现孔状和柱状图形复制的功能,所用原材料廉价易得,制作工艺简单便捷,满足大规模工业生产的需求。

    一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法

    公开(公告)号:CN102157643B

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201110087571.X

    申请日:2011-04-08

    Abstract: 本发明提出一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法,包括(1)在蓝宝石衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层,形成GaN基LED外延结构片;(2)对纳米压印硬模板进行防粘处理;(3)制备具有与所述硬模板互补图案的软模板;(4)在外延结构片上分别蒸镀掩膜层和纳米压印紫外胶层;(5)紫外压印经蒸镀处理后的器件,脱模,形成具有光子晶体的图案片;(6)刻蚀所述图案片,进行后续处理即可制得光子晶体LED。本发明利用纳米压印紫外胶层和蒸镀掩膜层相结合作为掩膜,能够克服GaN外延片表面不平整而导致压印困难的问题,从而使光子晶体的有效孔深更大。

    一种GaN基发光二极管的制备方法

    公开(公告)号:CN101488551B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200910060799.2

    申请日:2009-02-20

    Abstract: 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法,该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率,并同时解决透明导电电极与P-GaN的欧姆接触问题;在工艺上,电极选材合理,采用了纳米压印技术,具有制作成本低,生产效率高及光栅分辨率高的特点。

    用于聚光型单色光太阳能电池系统的双锥形分光棱镜

    公开(公告)号:CN101944548A

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN201010286660.2

    申请日:2010-09-19

    Abstract: 本发明属于太阳能电池领域的分光器件,涉及一种用于聚光型单色光太阳能电池系统的双锥形分光棱镜,由n个相同的三角棱镜组成,每个三角棱镜的外表面由一个矩形底面、两个等腰三角形端面,两个梯形侧面组成;两个三角形端面为抛光面,两个梯形侧面之间的夹角为360°的n分之一,相邻三角棱镜的相邻梯形侧面拼接在一起,由三角形端面拼接而成的两个类锥形表面,一个作为入射端面,一个作为出射端面。本发明能有效减小分光棱镜体积,压缩分光面积,从而降低生产成本;并能提高效率,易于加工,适合大批量生产。

    一种采用光子晶体的色散型太阳能电池

    公开(公告)号:CN101777596A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010031383.0

    申请日:2010-01-19

    Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电领域,一种采用光子晶体的色散型太阳能电池包括:聚光单元、分光单元、环状光伏电池组,其分光单元实际是一种色散装置,它具有双锥形的圆对称结构,可以将广谱太阳光中不同频率分量分开,且不同频率的出射角度不相同;环状光伏电池组是一系列单结光伏电池,且为环状结构的外观,各个电池的最大吸收峰波长不同。本发明引入光子晶体结构来提高光电转换效率,从而进一步提高整个太阳能电池的转换效率。

    一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101759431A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200910273178.2

    申请日:2009-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法。本发明是在ZnO-Bi2O3-TiO2系的压敏电阻材料中添加0.4~3wt%的铋硼玻璃。压敏电阻材料优选为:ZnO 92.5~95.9mol%;Bi2O30.5~3mol%;TiO20.4~2mol%;Co2O3 0.1~2mol%;MnCO3 0.2~2mol%;Sb2O30.05~1mol%;Cr2O30.1~1mol%;铋硼玻璃优选为:Bi2O3 30~70mol%,余量为B2O3。本发明可以在提高非线性系数和降低漏电流的同时,得到低电位梯度范围内的一系列电位梯度值。其制备方法可以使其烧结温度也得到大幅度的降低,较好地解决了低电位梯度压敏电阻材料低温烧结和低电位梯度两个相互制约的问题,为实现MLV陶瓷层压敏电阻材料与纯银电极的低温共烧提供了必要条件。

    一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法

    公开(公告)号:CN101320682B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200810048015.X

    申请日:2008-06-13

    Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术,为一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为:①先合成和提纯纳米碳管;②在P型半导体上制备纳米碳管薄膜;③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜;再沉积一层光刻胶;然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定义所设计的图形,曝光后,将半导体器件置入显影液中显影、清洗和坚膜后,以光刻胶作为掩蔽,刻蚀介质膜;利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜,刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料;④在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金。本发明利用纳米碳管薄膜改善半导体器件的欧姆接触特性,具有制作工艺简单、成本低和适合大规模应用等优点,可以提高半导体器件的可靠性和寿命。

    一种基于数据驱动盾构施工参数多目标优化的方法

    公开(公告)号:CN115796019A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211466952.3

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本发明属于隧道施工中的盾构施工控制相关技术领域,并公开了一种基于数据驱动盾构施工参数多目标优化的方法。该方法包括下列步骤:S1采集盾构掘进过程中的多个盾构参数和控制目标值的数据,构建预测模型;S2构建优化模型,求解该优化模型对应的控制参数的可行解形成帕累托解集,根据该帕累托解集可行解绘制掘进速度‑地表沉降解集二维图;S3对于盾构掘进过程中的实际情况,设定掘进速度和地表沉降的权重比值,构建斜率为所述权重比值的直线,该直线与二维图中帕累托前沿首次相切的切点作为最优解,即为当前实际情况下对应的最优掘进速度和地表沉降。通过本发明,解决盾构施工中最优操作参数的难以确定的问题。

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