一种基于生物电阻抗的脑部颅骨厚度测量方法

    公开(公告)号:CN116269329A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310207730.8

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于生物电阻抗的脑部颅骨厚度测量方法,包括:通过有限元法对目标区域进行剖分,建立有限元模型。使用脑部电阻抗成像检测平台,采用四电极法获取颅骨表面电压信号。通过求解电压逆问题,得到三角单元各节点的电导率分布。将电导率分布输入有限元模型,通过求解正问题,计算出有限元模型中电阻率变化最大的节点和该节点对应的边界电压节点的距离,即可以得到一组信号对应位置的颅骨宽度。使用十六电极循环激励,分别测量节点电压并求得对应节点电压颅骨厚度,最终将所有节点电压颅骨厚度组成平面即可得到颅骨的整体厚度。本发明设计了一种脑部颅骨厚度测量方法,基于生物电阻抗的思路,提供了一种准确的脑颅骨厚度的计算方法。

    一种基于残差全连接神经网络的电阻抗成像方法

    公开(公告)号:CN116246037A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310207579.8

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于残差全连接神经网络的电阻抗成像方法,该方法包括一下步骤:S1:对场域采用三角形为剖分单元的有限元方法进行剖分,建立有限元模型;S2:采用改进的残差网络构建残差全连接神经网络成像模型,得到电阻抗和电压值;S3:将仿真数据和S2步骤得到的电阻抗和电压值输入到网络模型中,利用损失函数进行计算,根据损失值,不断迭代优化残差全连接神经网络的参数,得到优化后的残差全连接神经网络。S4:利用训练好的残差全连接神经网络模型,求解待测物体的阻抗分布值,根据阻抗分布值进行图像重构。本发明使用残差全连接神经网络以及一范式和FocalLoss相结合的损失函数,相比较于传统成像方法,经过训练的神经网络精度高,鲁棒性强,能够有效提升电阻抗成像的精确度。

    一种基于GO-COOH/Au复合材料的汗液葡萄糖检测装置及方法

    公开(公告)号:CN116223581A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310147185.8

    申请日:2023-02-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于GO‑COOH/Au复合材料的汗液葡萄糖检测装置及方法,该检测装置中的电化学模块以GO‑COOH/Au复合材料作为电化学三电极体系的工作电极,Ag/AgCl作为参考电极,碳电极作为对电极;该装置还包括刺激排汗模块、汗液收集模块以及上位机。使用该汗液葡萄糖检测装置检测葡萄糖的流程如下:(1)使用刺激排汗模块刺激皮肤发汗,并使用汗液收集模块收集汗液;(2)收集到的汗液与0.1M NaOH溶液1:1混合;(3)三电极电化学检测模块检测混合溶液的葡萄糖浓度;(4)结果上传至上位机显示。本发明的GO‑COOH/Au汗液葡萄糖电极得益于石墨烯的稀疏多孔结构,只为葡萄糖提供活性检测位点,其他带电离子和氧化物无法附着于电极上,即可以在复杂样本溶液中进行葡萄糖测量,具有良好的稳定性和灵敏度,并且电极活性不会受温度和pH的影响,具有广泛的应用前景。

    一种基于广义回归神经网络的电阻抗成像方法

    公开(公告)号:CN116152467A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310161845.8

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于广义回归神经网络的电阻抗成像方法,所述方法包括:对待测场域使用有限元法进行三角形剖分,求解正问题,建立FEM模型;搭建系数加权广义回归神经网络,并构建系数加权广义回归神经网络成像模型,输出电阻抗分布结果;利用粒子群算法对系数加权广义回归神经网络成像模型中的平滑因子进行寻优计算,得到平滑因子的最优解;代入平滑因子的最优解得到优化后的电阻抗成像模型,求解电阻抗分布并进行图像重构。通过对传统广义回归神经网络的模式层的神经元设置系数权重,得到系数加权广义回归神经网络,从而达到抑制或去除成像伪影的目的;再结合粒子群优化算法,利用粒子群算法优化系数加权广义回归神经网络的平滑因子,改变由于网络平滑因子选择不当而导致的成像精度不足的问题,提升网络的非线性逼近能力,进而提高图像重建的质量。

    一种基于感兴趣区域增强的电机磁瓦缺陷分类方法

    公开(公告)号:CN113687227B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202110974397.4

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明公开一种基于感兴趣区域增强的电机磁瓦缺陷分类方法,首先,构建分类模型,该分类模型由卷积层、特征还原层、最大池化层、4个卷积块、4个带特征还原的转换块和预测层组成;然后,获取电机磁瓦分类训练样本集,并利用电机磁瓦分类训练样本集对所构建的分类模型进行训练,得到训练好的分类模型;最后,采集待检测电机磁瓦的电机磁瓦表面灰度图,并将该电机磁瓦表面灰度图送入到训练好的分类模型中,由此得到待检测电机磁瓦的类别标签。本发明通过对特征张量的特征进行恢复和大范围空间关联,增强了电机磁瓦缺陷分类网络的感兴趣区域,从而提高了模型的分类与抗干扰能力,进而提升分类模型分类性能与鲁棒性。

    一种光电互联网络系统及数据传输方法

    公开(公告)号:CN111343519B

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202010113269.6

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种光电互联网络系统及数据传输方法,所述光电互联网络系统包括资源节点、资源网络接口、路由控制器、电路路由器、光电转换接口和光路路由器,将链路配置数据包通过传输方式控制器传输至路由控制器网络;接收所述链路配置数据包,进行配置请求的传输,得到配置完成信号;根据所述配置完成信号产生数据包,通过光电转换接口传输至光路路由器;经过所述光路路由器的传输后,通过所述光电转换接口将数据包传输至资源节点并计数;完成计数,释放传输链路,完成光电互联网络的数据传输,降低传输时延,提高抗干扰性和通信带宽。

    一种基于磁隧道结的读逻辑电路
    78.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115064192A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210771643.0

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明公开一种基于磁隧道结的读逻辑电路,由磁隧道结器件MTJ1~MTJ2、反相放大器I1~I2、PMOS晶体管PM0~PM5、以及NMOS晶体管NM0~NM4组成。该读逻辑电路包括预充电阶段和放电阶段两个阶段:当控制信号clk为低电平时,读逻辑电路进入预充电阶段;当控制信号clk为高电平时,逻辑读电路进入放电阶段。本发明将预充电电路和放电支路分离开来,有效地降低了读错误率;在预充电阶段,预充电电压的相关节点电压变小,有效的降低了电路的相关功耗。

    S型金属结构带割口的带阻滤波器

    公开(公告)号:CN115020946A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210579653.4

    申请日:2022-05-25

    Abstract: 本发明涉及太赫兹技术功能器件技术领域,具体涉及一种S型金属结构带割口的带阻滤波器;带阻滤波器包括多层单元结构,多层单元结构从上至下依次堆叠设置,每层单元结构均包括金属层、两组线条结构和方形基底,金属层设置于方形基底的顶侧,每层单元结构还具有四个形状为长方体的第一割口,每个第一割口的厚度等同于对应方形基底的厚度和对应金属层厚度之和,每个第一割口的底边为边长与方形基底的厚度相同正方形,解决的当前传统的基于金属‑介质滤波器结构的阻带普遍较窄,上升沿和下降沿不陡峭的缺点,并且该S型结构与线割结构复合相比于单线结构的滤波器,容易产生可需要的带宽及较优的滤波性能。

    一种用于光片上网络的光子晶体三通道全光开关

    公开(公告)号:CN114967275A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210799616.4

    申请日:2022-07-06

    Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的光子晶体三通道全光开关,由正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体构成;该二维光子晶体上设有3个光子晶体波导、3个光子晶体谐振腔、3个输入波导和3个输出波导。本发明仅在正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体的基础上上进行介质柱的删减和介质柱尺寸的设计,并未进行介质柱的增加,且大部分介质柱的结构参数都相同,在实际制作时比较方便;采用硫系玻璃Ge20Sn10Se70和半导体材料Si制成,利用具有较高三阶非线性折射率系数的Ge20Sn10Se70硫系玻璃,实现了工作波长通信波段的光子晶体光开关。本发明具有结构简单、尺寸小和消光比高、品质因数大的特点。

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