公开(公告)号：CN1138208A

公开(公告)日：1996-12-18

申请号：CN95118252.8

申请日：1995-10-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中博由 ,  小寺宏一 ,  内田正雄

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01L35/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种电子发射阴极包括：一个n型半导体膜，该膜包含部分地从该n型半导体膜表面上突出的金刚石颗粒；及一个与n型半导体膜对置的阳极，并在它们之间具有真空。利用在阳极与n型半导体膜之间施加电压使电子发射。

公开(公告)号：CN202394977U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120418814.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 提供一种半导体元件及半导体装置。半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；位于半导体基板主面上的第1导电型的第1碳化硅半导体层；与第1碳化硅半导体层的表面相接且位于第1碳化硅半导体层内的第2导电型的体区域；位于体区域内的第1导电型的杂质区域；与体区域及杂质区域相接且配置于第1碳化硅半导体层表面的第1导电型的第2碳化硅半导体层；与杂质区域电连接的第1欧姆电极；设置于半导体基板背面的第2欧姆电极。第2导电型的体区域包括与第2碳化硅半导体层的表面相接的第1体区域和介于第1体区域与第1碳化硅半导体层之间的第2体区域。从垂直于半导体基板主面的方向看，第2体区域的外周的上端部分与第1体区域的外周一致。