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公开(公告)号：CN112216458A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011040716.6
申请日：2020-09-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种增强磁热效应材料及其制备方法，所述材料化学式为Ni35Co15Mn35‑xPxQy，其中0≤x≤12，10≤y≤22，P为过渡族元素Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn中的一种，Q为Sc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta中的一种。按照上述化学式配比来称取高纯度原料，然后采用氩气保护的电弧熔炼或提拉法或定向凝固法得到化学式配比的块体样品，将块体样品在真空下进行熔体快淬得到相变薄带材料或直接真空退火处理。后施加等静压来进一步调控相变和磁性，使得在较低温度的磁相变被调控至室温及以上，同时增强的磁热效应。广泛应用在室温磁致冷，高温热泵等生产生活中。
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公开(公告)号：CN111074129B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911236485.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01F1/40 , H01F1/01 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C30/06 , C22C1/02 , C22F1/02 , G11C13/02
Abstract: 本发明提供了一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用，其化学通式为稀土Ra(Mn1‑xGe1+x)bZc，其中R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或多种的混合，Z为Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Mg、Si，Sn、Cd中的一种或多种；20≤a≤25，75≤b≤80，0≤x≤0.1，0≤c≤10，a+b+c＝100，a、b、c、x表示原子百分比含量，本发明在20K‑400K温度范围内具有磁性斯格明子结构，而且具有原材料成本低廉、成分可控、是一种理想的基于斯格明子的磁存储和逻辑运算的候选材料，该方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN110993230A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911071288.0
申请日：2019-11-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的稀土RE2MnCuO6材料及制备方法，本发明的材料具有正交型晶体结构，属于Pnma空间群；本发明在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为4.2-6.4J/kgK，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为8.4～13.9J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为11.5～15.8J/kgK。本发明将氧化钆，氧化铽，氧化镝，氧化钬，氧化铒中的一者或多者之间的混合与氧化锰和氧化铜按混合后，与稀硝酸形成均匀溶液，加入去离子水溶解的柠檬酸，蒸干水分形成凝胶；退火后形成烧结物；压片成型，烧结后冷却得成品。本发明可应用于低温区磁制冷领域。制备方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN110373714A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910477527.6
申请日：2019-06-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯制备领域，尤其涉及一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法。包括以下步骤：（S.1）基底准备：将磨砂玻璃经过清洗后烘干，并在表面均匀旋涂一层液相基底；（S.2）沉积生长：将涂有液相基底的磨砂玻璃固定于碳靶上方的样品台上，室温下抽真空后使用脉冲激光轰击碳靶，将碳原子沉积于液相基底上，沉积结束后继续在真空腔中放置一定时间，得到表面含有单层石墨烯的样品；（S.3）转移：将样品表面的单层石墨烯转移至洁净的目标衬底表面。本发明克服了现有单层石墨烯制备技术中制备温度较高且耗时长等缺陷，具有制备温度低、耗时短、无需催化剂以及易转移等优点，在室温下即可制备大尺寸高品质单层石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103276355B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310188959.8
申请日：2013-05-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针尖增强拉曼测量用新型镀膜针尖的制备方法。本发明包括如下步骤：步骤(1)利用聚焦离子束技术，在硅针尖头部加工出圆形的锥孔；步骤(2)银颗粒在针尖上的圆形锥孔内外形核并长大；步骤(3)将针尖固定在新型针尖夹具上；步骤(4)将新型针尖夹具放置在蒸发源正上方，控制蒸发源的蒸发速度和新型针尖夹具的转速，蒸发速度控制在小于等于0.1nm/秒钟,这样每分钟内生长6nm以内，新型针尖夹具的转速控制在30～60转/分钟，太慢的转速不利用形核生长，太快的转速对设备损害很大。本发明制备的针尖头部晶粒形状稳定，拉曼增强系数能达到500以上，增强效果明显，多个针尖共同测试的结果表明，增强系数非常稳定。
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公开(公告)号：CN102383018B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110354856.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr2-Si2，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属Er、Gd或Dy与Cr、Si按比例混合成原料，将原料置于熔炼容器内，氩气保护下反复熔炼，得到成分均匀的合金铸锭；将熔炼制得的合金铸锭密封在真空石英容器中，高温下退火，然后快速冷却至常温，制得成品。本发明方法工艺简单、成本低廉、适用于工业化，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
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公开(公告)号：CN102583496A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052869.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明涉及一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法。本发明首先配置电解液，并调节pH值至7。其次用标准三电极的电解槽装置作恒电位极化一个小时。然后再次调节电解液的pH值，并用标准三电极的电解槽装置再作恒电位极化一个小时。最后将电解液中出现的沉淀分离，用去离子水清洗，在马弗炉中加热，得到浅黄色纳米氧化铈晶体粉体。本发明工艺可控，效率高，制备的氧化铈粉体纳米颗粒小，足氧态，少团聚。
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公开(公告)号：CN102383018A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110354856.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr2-Si2，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属Er、Gd或Dy与Cr、Si按比例混合成原料，将原料置于熔炼容器内，氩气保护下反复熔炼，得到成分均匀的合金铸锭；将熔炼制得的合金铸锭密封在真空石英容器中，高温下退火，然后快速冷却至常温，制得成品。本发明方法工艺简单、成本低廉、适用于工业化，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
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公开(公告)号：CN203346468U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320279311.7
申请日：2013-05-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/50
Abstract: 本实用新型公开了一种针尖增强拉曼测量用新型镀膜针尖装置。本实用新型包括针尖和新型针尖夹具；针尖加工出圆形的锥孔，圆形锥孔的直径为90～110nm，深度在60～80nm；新型针尖夹具包括针尖架下盖板、针尖架上盖板；针尖架下盖板截面为直角三角形，针尖的背面设置在针尖架下盖板的斜面；针尖架上盖板截面长方形，且其下表面的一端开有通槽，针尖的正面与针尖架上盖板的下表面通槽相接；针尖架上盖板的下表面通过M2螺钉固定在针尖架下盖板的斜面上，且针尖架上盖板通过通槽将针尖固定在针尖架下盖板的斜面上。本实用新型制备的针尖头部晶粒形状稳定，拉曼增强系数能达到500以上，增强效果明显，增强系数非常稳定。
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