-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102583496B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210052869.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明涉及一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法。本发明首先配置电解液，并调节pH值至7。其次用标准三电极的电解槽装置作恒电位极化一个小时。然后再次调节电解液的pH值，并用标准三电极的电解槽装置再作恒电位极化一个小时。最后将电解液中出现的沉淀分离，用去离子水清洗，在马弗炉中加热，得到浅黄色纳米氧化铈晶体粉体。本发明工艺可控，效率高，制备的氧化铈粉体纳米颗粒小，足氧态，少团聚。
-
公开(公告)号：CN102660694A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210145042.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及低温磁制冷用稀土-镍-硼-碳基磁性材料及制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：RNiBC，其中R为稀土金属Gd、Tb、Dy或Er，该磁性材料为四方晶体结构，属于P4/nmm空间群。本发明方法首先将稀土金属Tb、Gd、Dy或Er与Ni、B和C按比例混合成原料，将原料置于熔炼容器内，氩气保护下反复熔炼，得到成分均匀的合金铸锭；将熔炼制得的合金铸锭密封在真空石英容器中，高温下退火，然后快速冷却至常温，制得成品。本发明稀土-镍-硼-碳材料，不仅在各自相变温度附近有大磁熵变，而且具有良好的磁、热可逆性质，是一种理想的低温磁制冷材料。
-
公开(公告)号：CN102383018B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110354856.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr2-Si2，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属Er、Gd或Dy与Cr、Si按比例混合成原料，将原料置于熔炼容器内，氩气保护下反复熔炼，得到成分均匀的合金铸锭；将熔炼制得的合金铸锭密封在真空石英容器中，高温下退火，然后快速冷却至常温，制得成品。本发明方法工艺简单、成本低廉、适用于工业化，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
-
公开(公告)号：CN102583496A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052869.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明涉及一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法。本发明首先配置电解液，并调节pH值至7。其次用标准三电极的电解槽装置作恒电位极化一个小时。然后再次调节电解液的pH值，并用标准三电极的电解槽装置再作恒电位极化一个小时。最后将电解液中出现的沉淀分离，用去离子水清洗，在马弗炉中加热，得到浅黄色纳米氧化铈晶体粉体。本发明工艺可控，效率高，制备的氧化铈粉体纳米颗粒小，足氧态，少团聚。
-
公开(公告)号：CN102383018A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110354856.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr2-Si2，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属Er、Gd或Dy与Cr、Si按比例混合成原料，将原料置于熔炼容器内，氩气保护下反复熔炼，得到成分均匀的合金铸锭；将熔炼制得的合金铸锭密封在真空石英容器中，高温下退火，然后快速冷却至常温，制得成品。本发明方法工艺简单、成本低廉、适用于工业化，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.031 seconds)
