公开(公告)号：CN103028406A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210592220.9

申请日：2012-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张峻 ,  胡轩升 ,  席俊华 ,  季振国

IPC: B01J23/72 ,  B01J35/06 ,  B01J37/34 ,  C02F1/30 ,  C02F1/58

CPC classification number: Y02W10/37

Abstract: 本发明涉及一种制备纳米Cu2O复合TiO2电纺纤维光催化剂的方法。本发明方法先混合钛酸四丁酯（Ti(OBu)4）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、乙醇及乙酸作为电纺前驱体电纺出TiO2纤维，之后把TiO2纤维与醋酸铜溶液混在在水浴中滴加NaOH、葡萄糖溶液进行还原合成纳米Cu2O复合TiO2电纺纤维光催化剂。复合比例可以通过调整醋酸铜与TiO2纤维的原子比例来实现控制。实验证实与普通的TiO2电纺纤维相比，适合比例的纳米Cu2O复合TiO2电纺纤维光催化剂能有效抑制光生载流子的复合，对亚甲基蓝的光催化降解速率得到提高。

公开(公告)号：CN102560362A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210059150.0

申请日：2012-03-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 黄延伟 ,  席俊华 ,  季振国

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/30

Abstract: 本发明涉及一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法。本发明首先，以Cu2O和Al2O3为原料，经过人工研磨或机械球磨混合均匀，将混合粉末装入粉末压片机，制成圆柱状靶材坯料，将靶材坯料放入刚玉坩埚中盖好后置于单晶炉中，在温度为1100oC～1200oC之间烧结10～12小时即得到CuAlO2陶瓷靶材；然后，将烧制好的CuAlO2靶材放入电子束蒸发镀膜设备的坩埚内，抽至本底真空，在不通入任何反应气体的情况下，进行电子束蒸发镀膜，控制电子束流和沉积时间即得到p型CuAlO2透明导电薄膜。本发明方法制备的p型CuAlO2导电靶材具有制备过程简单、烧结过程受热均匀、产物纯度高、制备过程清洁无污染。

公开(公告)号：CN102323284A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110260339.1

申请日：2011-09-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  梁晓勇 ,  席俊华

IPC: G01N23/223

Abstract: 本发明公开了一种X射线荧光光谱定量分析的装置及方法。现有技术数学校正法和实验校正法的理论计算和标样比较过程复杂。本发明从高能脉冲激光器发出的激光束通过反光镜后由激光导入窗口入射到真空腔体内的固体样品上，固体样品表面受热释放出成分与其相同的粒子。从固体样品上释放出来的粒子沉积在位于固体样品上方的石墨沉积台上形成薄膜。X光管发出的X射线照射到该薄膜上，薄膜发出的X射线荧光由位于其下方的X射线荧光探测器进行探测。本发明提出的方法通过薄膜沉积技术从源头上消除了产生基体效应的因素，简化了XRF定量分析中基体效应影响的消除过程，提高了检测效率和测试精度。

公开(公告)号：CN101824593A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010182394.9

申请日：2010-05-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  席俊华 ,  毛启楠 ,  柯伟青

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，硅薄膜通过激光脉冲沉积法制作，所用的靶材为硅材料。本方法制作工艺简单，沉积时工件不需加热，所用材料及工艺对环境没有污染，硅薄膜同时兼具耐腐蚀和抗静电两种功能，性能十分稳定。

公开(公告)号：CN202523771U

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201220139116.X

申请日：2012-04-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。

公开(公告)号：CN202585542U

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201220124500.2

申请日：2012-03-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华 ,  毛启楠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、掺杂氧化锌薄膜、金属薄膜电极构成，掺杂氧化锌薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。

公开(公告)号：CN201204106Y

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200820120021.7

申请日：2008-06-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  黄东 ,  席俊华

IPC: H01C7/112

Abstract: 本实用新型公开了一种阈值电压可调的低压薄膜压敏电阻器，它由绝缘基底上面沉积的两个或多个由金属电极-氧化锌薄膜-金属电极构成的基本单元串连而成，其中氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜；本实用新型的阈值电压可调，制作工艺简单，适应性较强。

公开(公告)号：CN211843747U

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201922108378.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  李阳阳 ,  席俊华

IPC: B41K1/02 ,  B41K1/36

Abstract: 本实用新型公开了一种具有计数功能的印章。印章管理党政机关和企事业单位管理的难题之一。本实用新型包括印章件和印泥件。印章件包括印章本体和印章壳体。印章本体依次包括按压手柄、印面平台、印面，印章本体整体侧部固定设置有磁钢。印章本体设置在印章壳体内，印章壳体内壁设置有传感器件，印章壳体外壁设置有显示屏。印泥件包括印泥、印泥内盒、印泥外盒、印泥盒盖，印泥外盒底部开孔，印泥盒盖顶面设有凸起。本实用新型耗电极小，使用方便，工作效率高。主管领导只要检查公章计算器的的计数与办公人员人工记录的盖章次数及时间是否与此一致，即可判断公章有没有被偷盖。

公开(公告)号：CN202523770U

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201220124497.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李红霞 ,  季振国 ,  席俊华 ,  牛犇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。

公开(公告)号：CN201188337Y

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200820086526.6

申请日：2008-04-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  席俊华 ,  黄东

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/112 ,  H01C7/12

Abstract: 本实用新型公开了一种用于低压电子线路与电器保护的低压薄膜压敏电阻器，它是绝缘基底上面沉积的金属电极－氧化锌薄膜－金属电极单元；氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体膜。本实用新型的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单，阈值电压低，重复性好，工艺可控性强的特点。