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公开(公告)号:CN113929100A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202111173265.8
申请日:2021-10-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳化硅气凝胶及基于天然木材的制备方法,属于碳化硅陶瓷制备技术领域,使用的原料天然木材来源丰富、种类繁多、成本低廉、可再生,且具有高的生物相容性和生物可降解性,为实现规模化工业生产奠定了基础。本发明采用的制备工艺简单且可控,通过化学处理、冷冻干燥、高温热解、碳热还原四步工艺就可将天然木材转化为碳化硅气凝胶,为实现规模化工业生产提供了保障。本发明制备的产品碳化硅气凝胶纯度高,且形状、尺寸、孔隙率、密度等参数可控,适合用作催化剂载体、颗粒吸附、液体分离、保温隔热等材料。
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公开(公告)号:CN111085688B
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201911229833.4
申请日:2019-12-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种W/Si3N4/W对称层状梯度复合材料及其快速制备方法和应用,属于陶瓷基复合材料制备的技术领域,本发明采用SPS烧结技术制备W/Si3N4/W对称层状梯度复合材料,该方法在温度场和压力场的基础上又引进了电场,能起到对原料的等离子活化作用,从而在较低烧结温度和较短保温时间的条件下就可以快速制备出致密的复相陶瓷材料;同时,等离子体的激活作用也有助于原子的扩散,进而可促进W和Si3N4的层间结合,实现W和Si3N4之间的高性能连接,该方法具有升温速率快、烧结温度低、保温时间短的优点,经该方法能够快速制备出致密度高、杂质含量少、界面结合好的W/Si3N4/W对称层状梯度复合材料。
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公开(公告)号:CN107324807B
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201710470661.4
申请日:2017-06-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/634 , C03C3/095 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法,包括以下步骤:1)按照体积配比,选取45~70%的SiC粉末,5~15%的ZrO2粉末,10~30%的Al2O3粉末,10~30%的构成玻璃体系复合氧化物粉末,混合均匀,过200目筛储存备用;2)按照粉料重量:PVA重量=95:5的比例加入8%固含量的PVA,手动混合均匀后,过80目筛,在80MPa压力下压制形成生坯;3)将生坯放入空气炉中进行烧结,升温速率为5℃/h,升温至450℃,保温12h;4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中,填充Ar,升温至1600~1800℃进行烧结,保温时间为1~3h,升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低,火花能量大、不受气压和环境介质的影响,耐热冲击、耐电火花的腐蚀,熄灭再启动、高空性能好等优良性能。
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公开(公告)号:CN108120899B
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201711397294.6
申请日:2017-12-21
Applicant: 国网宁夏电力公司中卫供电公司 , 西安交通大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种配电网单相接地故障单端区段定位方法,首先,在变电所采集10kv出线上的三相故障电流行波;其次,做相模变换,得到线模和零模行波;然后,对线模行波进行HHT变换,标定线模行波初始波头和前若干个反射波头到达时刻;最后,采用本发明提出的基于配网拓扑的定位方法,进行故障区段定位;本发明方法可以仅用单端三相电流行波信息,实现配电网单相接地故障的区段定位。
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公开(公告)号:CN109503172A
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201811456691.0
申请日:2018-11-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/573 , C04B35/64 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,该方法以碳纳米管和微米尺度的SiC为原料,稀土氧化物为烧结助剂,在氩气气氛条件下,首先通过SiO粉末蒸发的气相与碳纳米管的原位气固反应获得纳米SiC均匀分布的块体,再经过高温液相烧结,可获得具有蠕虫状晶粒多孔SiC陶瓷。SiC晶粒的尺寸遗传了碳纳米管的初始形态,因此多孔材料具有较高的强度。本发明的制备工艺简单,易于操作,通过对原料配比调配、烧结温度和保温时间改变能够有效控制孔隙尺寸及孔隙率。本发明获得的多孔碳化硅陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。
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公开(公告)号:CN108083811A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711340250.X
申请日:2017-12-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B38/06
Abstract: 本发明公开的一种双梯度多孔陶瓷材料及其制备方法,属于多孔陶瓷材料制备技术领域。本发明以两种或两种以上成分及粒径均不同的陶瓷颗粒为原料,添加一定量分散剂和烧结助剂配制水系浆料,对浆料依次进行冷冻、冷冻干燥、排胶烧结等工艺,获得一种结构和成分呈双梯度的多孔陶瓷材料。与传统多孔陶瓷制备方法相比,该方法通过配制浆料时对粘度和分散剂含量等条件进行控制,使得浆料在冷冻时,大颗粒的粉末沉降聚集于底部小颗粒的粉末稳定存在于溶液中,得到自下而上的成分梯度。冷冻形成冰晶时,不同粒径的颗粒对冰层的厚度产生不同影响,制备成的材料片层间距不同,形成了自下而上的结构梯度。
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公开(公告)号:CN104894648B
公开(公告)日:2017-09-12
申请号:CN201510256980.6
申请日:2015-05-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种棒状二硅酸锂晶体的制备方法,先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨、烘干、过筛;将干燥过筛后的原料混合粉与Na2SO4采用氧化锆球湿法球磨混料,干燥过筛;将晶种生粉松装入氧化铝坩埚中烧结,最后冷却至室温得到的晶种取出,在60℃的去离子水中搅拌,使其充分溶解,经过过滤、5vol.%HF腐蚀1‑3h,去离子水清洗干净,烘干得到Li2Si2O5晶体;本发明得到的棒状二硅酸锂晶体长径比可控、纯度高,可作为增强相和增韧相加入复合材料基体中,具有改善复合材料的力学性能的特点。
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公开(公告)号:CN106589821A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611148190.7
申请日:2016-12-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种莫来石纤维/环氧树脂复合材料的制备方法,属于复合材料技术领域。本发明所述制备方法先采用溶胶凝胶法获得3Al2O3·2SiO2型莫来石前驱体粉末,所得粉体在不同压力进行模压成型,获得不同气孔率的坯体。所得坯体进行高温烧结后得到不同气孔率的多孔莫来石陶瓷,其中,莫来石为纤维状,并相互搭接。将预热多孔莫来石陶瓷置于环氧树脂、促进剂和固化剂的混合溶液中保持一定时间,经固化后,得到莫来石纤维/环氧树脂复合材料。该制备方法可通过控制多孔材料的体积密度来调控复合材料中莫来石纤维的体积分数;另一方面,复合材料中的莫来石纤维为连续相,可大幅度提高复合材料的高低温力学性能、热导率、抗高温蠕变能力。
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公开(公告)号:CN105236982A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510582695.3
申请日:2015-09-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺,其特征是,以片状石墨作基体,氮化铝作为增强相,均匀分布在石墨片层间,形成三维网状氮化铝骨架与定向排列的石墨片层相结合的各向异性结构;工艺上采用片状石墨颗粒、氮化铝粉体及适量烧结助剂,球磨混料、烘干过筛、预压成型后于1500~1700℃进行放电等离子体烧结,烧结过程中施加的轴向压力,使石墨片层定向排布,氮化铝粉烧结后形成三维网陶瓷骨架,可显著提高石墨基体的强度,并约束石墨的热膨胀,从而形成致密、均匀的沿片层方向高热导率、垂直片层方向低热膨胀的各向异性复合材料,其优异的综合性能,将在电子器件的传热、散热等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN104891999A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510256935.0
申请日:2015-05-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/577 , C04B38/00 , C04B35/19 , C04B35/64
Abstract: 一种近零膨胀多孔LAS/SiC复合材料的制备方法,采用粒径匹配的SiC粉体作为近零膨胀LAS/SiC复合材料的调节剂,根据比例计算对材料热膨胀系数进行宏观调控;得到LAS/SiC复合粉体,最后采用微波烧结制备具有近零膨胀特性的多孔LAS/SiC复合材料,本发明的优点为:微波烧结是通过电磁场直接对物体内部加热,而且加热是整体性的、均匀的,具有很高的热效率、升温速率快、烧结速率高,坯体在烧结过程中直接跳过致密化过程而成为烧结体,大大缩短了烧结时间,可以大幅度的节能;更重要的是SiC颗粒本身具有高的导热率和优异的微波吸收能力(微波介电特性),与LAS混合均匀保证在烧结过程中坯体热量分布均匀,形成的孔隙孔径尺寸和分布都比较均匀。
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