反应堆用大长径比管材真空镀膜机的工件架及其镀膜机

    公开(公告)号:CN112899636A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110117962.5

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明公开了反应堆用大长径比管材真空镀膜机的工件架及其镀膜机,解决了现有的核反应堆用的大长径比的锆管镀膜所用的镀膜机的加热均匀性、电弧均匀性不好以及密封性不好,从而导致镀层要么结合力不足,要么均匀性不足,要么稳定性不足的技术问题。本发明包括公转组件和自转组件,所述公转组件包括大转盘和大齿轮,所述大转盘和大齿轮通过轴连接,所述大转盘位于所述大齿轮的下方,所述自转组件包括小齿轮和自转轴,所述小齿轮与所述大齿轮啮合,所述自转轴与所述大转盘连接,所述自转轴上安装工件。本发明具有镀膜均匀、结合力好等优点。

    一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN110483055A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910727806.3

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法,包括以下步骤:采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积,以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积;载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气;利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积,碳化硅源气体为三氯甲基硅烷,载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料,在纤维与基体之间为PyC-SiC复相界面,PyC-SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法,主要包括利用CVI共沉积制备PyC-SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤,界面制备更容易控制且制备效率也更高;所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。

Patent Agency Ranking