分片式自动插片装置及控制器

    公开(公告)号:CN105170596B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201510517780.1

    申请日:2015-08-23

    Abstract: 本发明涉及自动化技术领域,尤其涉及一种分片式自动插片装置及控制器,该装置由安装在工作台面上的装插机构、标准洗篮、洗篮平动机构组成。该控制器包括可编程控制器,可编程控制器电连接有限位开关、电磁阀、继电器、步进驱动器,限位开关分别检测推片气缸的左极限位和右极限位、插片气缸的上极限和下极限位。本发明采用装插机构和洗篮平移机构配合动作,装插机构设置两套,可同时装片、分片、插片,提高了生产效率;机构简单实用,其通用性好;整个装置自动程度高,可节约人工成本。

    摆臂式自动插片方法及控制器

    公开(公告)号:CN105107790B

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201510517785.4

    申请日:2015-08-23

    Abstract: 本发明涉及自动化技术领域,尤其涉及一种摆臂式自动插片方法及控制器,该方法包括设备准备、复位检查、上料、自动分片、自动取片插片、洗篮走位步骤。该控制器包括可编程控制器,与可编程控制器电连接的限位开关、电磁阀、继电器、步进驱动器。本发明采用分片机构、摆臂式插片机构配合动作,分片机构推板上一左一右设置有两个方槽,一边的方槽装料时另一边吸料,两套机构交错装片、分片、插片,提高了生产效率;机构简单实用,其通用性好;整个装置自动程度高,可节约人工成本。

    NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件

    公开(公告)号:CN106842757A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710217430.2

    申请日:2017-04-05

    Applicant: 台州学院

    CPC classification number: G02F1/15

    Abstract: 本发明涉及材料技术领域,尤其涉及一种NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件,该材料包括衬底和设置在衬底上的NiO层,所述NiO层为形貌均一、六角堆积排列的球壳状纳米结构阵列。制备方法包括清洗衬底;在衬底制备聚苯乙烯单层薄膜,用衬底捞起薄膜后热处理,再置于磁控溅射仪中,进行溅射镀膜;加热,去除模板。使用上述材料或制备方法制备的电致变色器件。本发明形貌均一,周期性排列的球壳状NiO纳米结构阵列,球壳的纳米单元尺寸可通过微球的尺寸、溅射功率、溅射时间等参数来调控,这种周期性的空心纳米结构阵列不仅具有巨大的比表面积,也为离子在材料中的脱嵌提供了便利,可解决材料电致变色的响应速度慢的问题。

    强磁性TiO2半导体材料、制备方法、自旋电子器件

    公开(公告)号:CN105590838A

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201510984282.8

    申请日:2015-12-25

    CPC classification number: H01L21/02104 H01L21/02 H01L29/82

    Abstract: 本发明涉及材料领域,尤其涉及一种强磁性TiO2半导体材料,包括衬底和设置在衬底上的TiO2层;所述TiO2层为形貌均一、六角堆积的蜂窝状纳米结构阵列;所述TiO2层的纳米颗粒大小3~5nm。该材料制备方法包括:清洗衬底;在硅衬底形成单层胶体晶体模板;浸泡在前驱体溶液中;取出后浸入二氯甲烷中,溶解掉聚苯乙烯模板,形成蜂窝状结构的TiO2纳米阵列材料。本发明以单层胶体晶体为模板,结合溶液浸渍法成功制备出形貌均一,周期性排列的蜂窝状TiO2纳米结构阵列,该材料在室温下显现出较强的铁磁性。本发明可促进TiO2稀磁半导体材料在新型自旋电子器件领域的应用。

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