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公开(公告)号：CN114023966B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111264049.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔‑致密双层保护层的锂离子电池硅负极材料及其制备方法，属于锂离子电池硅负极材料领域，获得了具有高容量、长循环寿命的纳米多孔‑致密双层保护的锂离子电池硅负极材料。本发明在纳米硅颗粒负极上使用分子层沉积和原子层沉积技术生长纳米多孔‑致密双保护层，所制备得到的材料由内向外依次为纳米硅、纳米多孔保护层、致密保护层。
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公开(公告)号：CN110508155B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910771709.4
申请日：2019-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: B01D67/00
Abstract: 本发明公开了一种锌基无机‑有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法，属于分离膜材料领域，采用淋浴式分子层沉积技术，一步直接制备无机‑有机多孔纳米分离膜，无需任何后处理工艺，工艺简单，非常有利于大规模生产。本发明包括：准备杂化多孔分离膜所用的担体和杂化多孔分离膜制备两步，杂化多孔分离膜制备采用分子层沉积技术，采用淋浴式垂直式反应室，反应前驱体自上而下进入反应腔，所述金属前驱体为二乙基锌，所述有机前驱体为对苯二酚，沉积使用的脉冲循环为：0.1‑2 s金属前驱体脉冲、2‑15 s清洗脉冲、5‑25 s有机前驱体脉冲、2‑20 s清洗脉冲，沉积循环数大于35，即可得到锌基对苯二酚无机‑有机杂化多孔分离膜。
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公开(公告)号：CN110284121B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910543381.0
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种成分可调的Co‑Pt/Fe‑Pt纳米颗粒的制备方法，属于纳米材料制备领域，利用原子层沉积技术简单的膜厚控制方法，通过改变ALD沉积氧化钴或氧化铁和Pt的循环数，可精确调控材料的组成；并且结合ALD优异的三维贴合性，可在三维结构基体上实现均匀包覆，该制备方法工艺简单，组成精确可控，获得的Co‑Pt/Fe‑Pt纳米颗粒可用于高密度磁存储、电催化等领域。本发明首先在衬底上沉积氧化钴或氧化铁；再进行铂的ALD沉积；重复沉积氧化锆或氧化铁和铂，获得氧化钴或氧化铁/铂纳米叠层；最后进行退火处理获得组成可调的Fe‑Pt或Co‑Pt纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN112599664A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011337428.7
申请日：2020-11-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法，属于柔性电子学半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层/原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的超低能耗柔性双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成；所述的底电极为导电的高分子薄膜材料；本发明制备的柔性忆阻器具有良好神经突触仿生功能、超低能耗和优异弯折性。
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公开(公告)号：CN109904316A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910156030.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，属于半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层沉积和原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的无机-有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机-有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108342714A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810120748.3
申请日：2018-02-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/01 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸柔性三维多孔碳结构的制备方法，属于微纳结构与功能材料制备领域，该制备方法工艺简单，易于实施，且能大规模生产。本发明应用分子层沉积技术（MLD）在适宜的三维模板表面沉积无机-有机杂化物作为前驱体，通过高温热处理将杂化物转化为碳-金属氧化物的复合物，最后通过化学腐蚀的方法去除模板与金属氧化物，以此来制备大尺寸的柔性三维多孔碳结构材料。由于三维模板的尺寸、结构可根据需要进行选择，而丰富有机官能团、多变的碳链长度，使得设计与调谐多孔碳的分级微结构与对碳掺杂成为可能，为大尺寸柔性多孔碳材料的制备提供了一种可行的途径。
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公开(公告)号：CN106782639A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710045259.1
申请日：2017-01-22
Applicant: 南京大学
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/15 , H01L27/11502
Abstract: 本发明公开了一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件，所述的电磁存储器件为叠层结构，所述的叠层从下之上依次为硅片、下电极、CoPtx磁性纳米晶层、氧化物薄膜阻变层、上电极；本发明的存储器具有优异的阻变存储功能，又具有磁记录特性，可实现高密度多态电磁存储功能；本发明还公开了其制备方法，该方法是在基于原子层沉积的多功能高密度电磁存储器件制备技术，与微电子工艺具有很好的兼容性，为未来产业化规模应用提供了可行性，且可以保障存储器件结构的均匀性、共形性和可控性，并与成熟的半导体工艺兼容，便于实现高密度多功能电磁存储器件与微电子器件集成，实现规模化、产业化的应用。
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公开(公告)号：CN104733612A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510099978.2
申请日：2015-03-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜； c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。
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公开(公告)号：CN103510074A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310508835.3
申请日：2013-10-25
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531
Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的复合无机-有机杂化物薄膜的制备方法，首先进行衬底或沉积载体的准备，之后将准备好的衬底或沉积载体转移入ALD反应室，使用有机分子作为有机前驱体，同时引入两种或两种以上的无机前驱体，交替将无机前驱体和有机前驱体通入ALD反应室，在衬底或沉积载体表面原位生成复合无机-有机杂化物薄膜。本发明通过在生长无机-有机杂化物薄膜的过程中，使用有机分子作为前驱体，同时引入多种无机前驱体，并调节其脉冲序列流程，原子层沉积循环次数比，可以得到成分可调的复合无机-有机杂化物薄膜。
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公开(公告)号：CN102583533A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110009704.1
申请日：2011-01-18
Applicant: 南京大学
IPC: C01G27/00
Abstract: 本发明公开了一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法及其在ALD方法沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用，该合成方法首先是将发烟硝酸和五氧化二磷反应，产生的氮氧化物气体在低温下成为固态五氧化二氮；使固态五氧化二氮逐渐液化，伴随四氧化二氮气体产生；让四氧化二氮和混合金属氯化物充分反应，最后获得白色粉末状的无水铪锆复合硝酸盐初产物；初产物通过升华提纯装置得到白色晶状无水铪锆复合硝酸盐。本发明成功制备了具有良好挥发性且不含碳的无水铪锆复合硝酸盐，并以此单源作为ALD双金属前体，用ALD方法成功沉积了铪锆复合氧化物薄膜，获得了较好的性能。
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