公开(公告)号：CN104733612A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510099978.2

申请日：2015-03-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王来国 ,  李爱东 ,  方国勇 ,  吴迪

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜； c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。

公开(公告)号：CN104733612B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510099978.2

申请日：2015-03-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王来国 ,  李爱东 ,  方国勇 ,  吴迪

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。