公开(公告)号：CN205335262U

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201521089303.1

申请日：2015-12-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘玉荣 ,  姚若河 ,  耿魁伟 ,  韦岗

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L51/40

Abstract: 本实用新型公开了一种电阻栅薄膜晶体管。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极；所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间；所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方；所述源漏极在半导体有源层上，且源漏电极两端与两个栅端电极存在交叠区域。本实用新型可通过两个栅端电极偏压有效调控器件处于不截止、遥截止或锐截止转移特性,可根据实际应用需要获得所需的阈值电压、关态电流和跨导值，两个栅端电极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效扩大了薄膜晶体管的应用范围，能有效地解决阈值电压漂移、大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。

公开(公告)号：CN204946726U

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201520343615.4

申请日：2015-05-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  罗龙

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01L51/46 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本实用新型提供基于TiO2-ZnS光阳极的染料敏化太阳能电池，其结构从下至上依次包括导电玻璃层FTO、TiO2-ZnS多孔复合薄膜、染料N719、电解质、铂对电极。本实用新型采用TiO2-ZnS多孔复合薄膜结构作为染料敏化太阳能电池光阳极，可以提高载流子的分离，减小载流子的复合减小暗反应的进行以提高染料敏化太阳能电池的转化效率。同时TiO2-ZnS复合结构可以用于净化污染物，用于环境净化。

公开(公告)号：CN215265952U

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202120552419.3

申请日：2021-03-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  龙思屹 ,  刘玉荣 ,  姚若河

IPC: H01G11/00 ,  H01G11/22 ,  H01G11/46 ,  H01G11/84

Abstract: 本实用新型公开了一种自充电超级电容器。本实用新型的自充电超级电容器的组成包括依次设置的第一柔性基底、第一电极、ZnO压电纳米发电机、第二电极和第二柔性基底，还包括固态电解质；所述第一电极、ZnO压电纳米发电机和第二电极均设置在固态电解质内部；所述第一电极和第二电极均由若干表面生长有NiO纳米片的ZnO纳米棒组成。本实用新型的自充电超级电容器的器件集成度高、能量传输损耗小、基于ZnO优化后的器件性能优异，制备工艺简单，且柔性基底和无毒无害的ZnO纳米结构非常适合用于可穿戴电子产品。

公开(公告)号：CN209117220U

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201821843012.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘玉荣 ,  林峰 ,  姚若河 ,  耿魁伟

IPC: G01L1/16 ,  G01D5/12

Abstract: 本实用新型公开了一种柔性压电式的三维触觉传感器阵列，其结构包括从上至下依次连接的PDMS半球形凸起层、上电极层、纳米结构压电薄膜层、下电极层、印刷电路板柔性基底层；所述纳米结构压电薄膜层为ZnO纳米线压电敏感膜，且位于呈阵列图案化分布的上下电极层之间，形成多个压电敏感单元；所述三维触觉传感器阵列由M×N个相互分离的传感器单元构成，每个传感器单元含一个PDMS半球形凸起和三个压电敏感电容，PDMS半球形凸起将三维接触力传递至三个压电敏感电容，通过三个压电敏感电容产生电荷的大小以测量外界三维接触力。本实用新型具有三维接触力测量、高灵敏度、高柔韧性、动态响应好的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN202930386U

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201220621155.3

申请日：2012-11-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄华茂 ,  王洪 ,  杨洁 ,  耿魁伟

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 本实用新型公开大尺寸LED芯片，其衬底为长方体，而外延层分割成多个发光单元，发光单元侧壁制备有微结构，微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底，所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以并联的形式组成单个的大功率LED芯片；对于绝缘型衬底的大尺寸LED芯片，所述发光单元台形结构的台基和台面分别为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以串联或并联的形式组成单个的大功率LED芯片。本实用新型保持简单的芯片切割工艺，而对芯片内部的发光单元应用塑形技术和侧面粗化技术，并对电极优化设计，增强各发光单元的光提取效率和电注入效率，从而提高大尺寸LED芯片的发光效率。