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公开(公告)号：CN102738298A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210179386.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳能电池光阳极的微纳复合结构及其制备方法，包括：S1：在硅片上匀胶并进行光刻，制作微尺度光刻胶圆盘图形；S2：以光刻胶为掩膜，使用ICP干法刻蚀出微米级硅柱阵列；S3：将带有微米级硅柱阵列的硅片采用SPM工艺清洗并去除微米级硅柱表面的氧化层；S4：进行电化学镀在微米级硅柱表面镀一层银；S5：采用刻蚀剂进行金属催化刻蚀，在微米级硅柱表面制作纳米线并形成微纳复合结构；S6：去除微米级硅柱表面残留的银，并对微纳复合结构进行掺杂使纳米线整体及微米级硅柱表面为N型。本发明提供的微纳复合结构中纳米线垂直于微米柱表面，表面积大，陷光能力强，载流子收集效率高，适合制备高效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102718181A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210168024.9
申请日：2012-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳仿生结构的制造工艺，具体涉及一种仿壁虎脚结构材料的制造工艺，①自组装聚苯乙烯小球，小球直径为100nm～1um；②等离子刻蚀聚苯乙烯小球；③镀保护层；④去除聚苯乙烯小球；⑤镀催化剂层；⑥湿法刻蚀；⑦旋涂光刻胶并光刻显影；⑧铸模并脱模：将聚二甲基硅氧烷PDMS倒在复合模具上，烘烤后从复合模具上剥离，得到微纳分层的仿壁虎脚结构材料。本发明可用于制造一种仿壁虎脚分层结构，该结构具有很强的吸附力又能轻易脱离吸附表面、且具有超疏水性、自清洁能力。
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公开(公告)号：CN102602146A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210053493.6
申请日：2012-03-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压电式三维打印成型系统及其成型方法，该系统包括箱体及其支撑框架、X向运动机构(11)、联接在X向运动机构上的承载结构(21)、位于承载结构之下的储粉腔(13)和成型腔(17)、三维图像分层离散机构，以及装载在承载结构(21)上的铺粉机构(20)和压电式喷头(10)。本发明通过压电式喷头喷射无需加热溶液，可以喷射更多种类的溶液并应用在生物、制药等新兴领域。该系统将粘结成分混合粉末中，可以添加充足的粘结成分并达到满意的粘结强度。此外，本发明结构紧凑，易于操作，设备费用低，并具备成型精度高的优点。
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公开(公告)号：CN102447011A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110421633.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于制造太阳能电池光阳极的方法及其产品，该方法包括：(1)在单晶硅片上涂布光刻胶并通过光刻将掩膜上的微尺度图案进行转移；(2)通过镀膜工艺镀上银膜；(3)清洗以去除光刻胶；(4)采用氟化氢和H2O2的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀，由此形成微柱或微孔结构；(5)对单晶硅片上残留的金属银膜进行清洗处理；(6)采用氟化氢和AgNO3的混合溶液作为刻蚀剂再次进行金属催化刻蚀，由此形成纳米线结构；以及(7)清洗硅片，去除第二次刻蚀过程所形成并残留在硅片表面的银。按照本发明，可以获得纳米线和微孔或微柱阵列相结合的微纳结构，并具备高效率、低成本，适宜太阳能电池大批量生产的特点。
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公开(公告)号：CN119393409A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411684230.4
申请日：2024-11-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于液压控制技术领域，其公开了一种快速复位的先导控制换向回路，包括油泵单元、先导控制阀、快速复位单元和主换向阀；快速复位单元包括缸体和中心开有通孔的活塞，缸体的第一端面设有进油口P、第二端面设有主连接口A，缸体的侧壁在靠近第二端面处设有回油口T；先导控制阀开启时，压力油通过进油口P流入缸体并推动活塞运动至抵紧第二端面，压力油经通孔、主连接口A流入主换向阀推动主换向阀换向；先导控制阀关闭时，压力油流回缸体并推动活塞与第二端面分离，使得回油口T打开，压力油通过回油口T流出、主换向阀复位，实现主换向阀不受先导控制阀通径小的影响从而快速复位，提升工作效率和可靠性，拓宽换向回路的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117096874A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311262455.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 华中科技大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网福建省电力有限公司
Inventor： 陈新宇 , 金天昱 , 王淼 , 冯长有 , 郎燕生 , 严亚勤 , 李理 , 陈郑平 , 胡鑫 , 孙博 , 程芸 , 穆永铮 , 吕闫 , 范海威 , 李金盛 , 石上丘 , 丁凌龙 , 孙略 , 罗雅迪 , 宁剑 , 沙立成 , 刘升 , 门德月 , 陈书里 , 陈茜 , 文劲宇
IPC: H02J3/00 , H02J3/32 , G06Q10/067 , G06Q50/06
Abstract: 本发明公开了一种电力系统调度模型的建模方法及应用，属于电力系统调度技术领域，所构建的电力系统调度模型的优化目标为最小化电力系统调度总成本，优化变量包括热电联产机组在每一时刻下的电力输出功率和热力输出功率，以及每一辆电动汽车在每一时刻下的充、放电功率；其中，电力系统调度总成本为全时间段T内热电联产机组的总运行成本及电动汽车的总购电成本之和减去全时间段T内电动汽车的总售电收益、总备用收益、及热电联产机组的总备用收益之和。本发明在源侧考虑热电联产机组可提供的备用功率，在荷侧考虑电动汽车可提供的备用功率，建立了同时考虑源荷双侧备用的电力系统调度模型，提高了源荷双侧的备用灵活性，电力系统调度灵活性较高。
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公开(公告)号：CN111933650B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010715669.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：将石墨烯薄膜转移至衬底表面，采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列，得到石墨烯电极阵列；在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极，得到初始样品；将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装，得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤，大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111916524B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010716183.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
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公开(公告)号：CN113197114A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110584967.9
申请日：2021-05-27
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明公开了一种温度可调节的动物饲料自动投放仪，包括外壳、进料管、出料管、存料腔、密封盖、制冷装置、隔热板、出料装置、多个固定装置、控制器和温度传感器，其中：所述进料管与所述外壳的顶部固定连接，所述出料管与所述外壳的底部固定连接；所述存料腔开设于所述外壳的内部，且与所述进料管和所述出料管均连通；所述密封盖与所述进料管可拆卸的密封连接。本发明提供的一种温度可调节的动物饲料自动投放仪，能够保证饲料始终在低温状态下进行保存，从而避免高脂饲料变软致使饲料失去一定硬度，进而避免小鼠不愿意食用的情况；可以定时定量的自动喂食小鼠，不需要饲养者定时去喂食，饲养者可以用更多的时间做记录和研究，更便于使用。
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公开(公告)号：CN109378267B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811132392.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了硫化钼薄膜及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形；(2)采用镀膜工艺在该基底上沉积一层钼源薄膜，该钼源薄膜覆盖该光刻胶图形；(3)去除该基底上的光刻胶及覆盖该光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜；(4)将该基底放入高温气氛炉内，并在该图形化钼源薄膜的上方放置衬底，同时该高温气氛炉逐渐升温，待该高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向该高温气氛炉内通入硫源气体；接着，该高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间，并将制得的硫化钼薄膜自该高温气氛炉内取出。本发明提高了硫化钼薄膜的质量，灵活性较好，效率较高。
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