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公开(公告)号:CN108111296A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711353958.9
申请日:2017-12-15
Applicant: 华中科技大学 , 深圳市九州安域科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Hitag2密码的破解方法和防御方法,属于嵌入式系统安全领域。本发明将破解的重点放在破解Hitag2密码的中间变量state上,利用短时间内监听采集的多条数据的IV高位数据相同的特点,推导出多条数据对应的state的部分数据位也相同,再利用多条数据中的密文计算state中相同的部分数据位各种候选值的概率得分,找出概率得分大于中值的候选值,再结合少数不相同数据位组合得到state的少量组合,再利用所有state进行滚码得到少量密文组合,最后将这些密文发送到密文接受方进行破解。同时本发明还实现了一种Hitag2密码的防御方法。本密码破解方法将暴力破解时的逐位指数增长变成了逐位倍数增长,能够将计算量降低7个数量级以上,极大的减小了破解时长和计算资源。
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公开(公告)号:CN105760762B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201610134408.7
申请日:2016-03-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F21/56
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式处理器的未知恶意代码检测方法,包括创建嵌入式系统自体集、生成检测器集、检测未知恶意代码的步骤;在处理器指令级对系统内正常程序的指令序列信息进行采集编码生成二进制串集合作为自体集,随机生成二进制串作为候选检测器,并将其与自体集中的元素进行否定选择生成检测器集;利用检测器集里的二进制串与从指令级收集到的待检测代码的行为信息二进制串进行匹配;采用双阈值的海民规则进行自体集的二进制串、检测器二进制串以及待检测二进制串之间的模糊匹配,以提高对未知恶意代码的检测率,降低检测系统的资源消耗;本发明中的自体集与检测器集均采用CAM字内存可寻址存储器存储,以提高查找匹配效率,提高检测器的生成效率。
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公开(公告)号:CN105912064B
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201610259342.4
申请日:2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种高精度高电源抑制比的带隙基准源,包括启动电路和基准电压产生模块;基准电压产生模块包括电源抑制比增强电路、基准电压产生电路和温度补偿电路;电源抑制比增强电路的第一输入端连接至启动电路的第一输出端,基准电压产生电路的第一输入端连接至启动电路的第二输出端,基准电压产生电路的第二输入端连接至电源抑制比增强电路的第一输出端;温度补偿电路的第一输入端连接至启动电路的第二输出端,温度补偿电路的第二输入端连接至基准电压产生电路的输出端,温度补偿电路的第三输入端连接至电源抑制比增强电路的第二输出端,温度补偿电路的输出端连接至电源抑制比增强电路的第二输入端;电源抑制比增强电路的第三输出端用于输出基准电压。
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公开(公告)号:CN105958983A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610259339.2
申请日:2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H03K5/22 , A61B5/14542
Abstract: 本发明公开了一种适用于血氧饱和度检测的电压比较器,包括依次连接的预放大级模块A、正反馈判断模块B和输出缓冲级模块C;所述预放大级模块A用于将两个模拟输入信号进行预放大处理;所述正反馈判断模块B用于对经过预放大级模块A处理的信号进行比较判断后输出信号差;所述输出缓冲级模块C用于对所述信号差进行转换,并输出一个二进制信号。本发明采用全模拟电路,将采集并初步处理后的血氧信号与参考值比较,以实现自动增益控制,继而检测血氧饱和度。本发明在具有正确输出逻辑的前提下,还具有精度高、功耗低、占用面积小等特点。
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公开(公告)号:CN103544410A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310460138.5
申请日:2013-09-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F21/12
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式微处理器非可克隆函数密钥认证系统,包括嵌入式端、烧写设备端和PC端,嵌入式端包括PUF待分析数据提取模块以及IAP模块,烧写设备端包括待烧写程序处理模块,PC端包括嵌入式认证程序生成模块、PUF分析模块、数据库模块、散列数据生成模块、以及帮助数据生成模块,PUF待分析数据提取模块用于多次提取SRAM中的初始上电数据,并将数据发送到PUF分析模块,PUF分析模块用于对采集到的初始上电数据及其样本大小进行分析,PUF分析模块还用于将获得的密钥发送到散列数据生成模块和帮助数据生成模块。本发明避免了攻击者通过物理攻击对嵌入式设备的密钥进行破解从而对整个嵌入式的软件进行复制的行为,从而保证嵌入式软件版权受到了保护。
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公开(公告)号:CN100573570C
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200710052018.6
申请日:2007-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K19/073 , H05F3/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泄放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泄放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泄放静电脉冲和射频高压。本发明减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本发明不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。本发明在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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公开(公告)号:CN100505101C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200610124853.1
申请日:2006-10-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器,包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2,检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3,N4,N5;其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本发明利用了MOS管的双向导通性,从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起,大大减少了充电电路的数目;利用电压检测的方式进行信息的区分,通过修改反相器的反相阈值,降低充电电压,从而提高读出的速度。本发明特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用,在保证数字逻辑工作电压的情况下,降低整个芯片的复位阈值,较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。
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公开(公告)号:CN100476682C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200610125130.3
申请日:2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了一种低电压参考源电路。该电路包括PTAT电流产生电路、启动电路和低压基准产生电路;PTAT电流产生电路用于产生一个正比于绝对温度电流,该电流为PN结的热电压与其中电阻的比值;该电流镜像到低压基准产生电路;启动电路用于简并零电流的工作点,上电后为低压基准产生电路提供非零初始电流,引导其进入稳定状态,实现电路的正常启动;低压基准产生电路镜像出一个正比于温度的电流,并通过电阻产生低压降,提供低压参考电压。本电压参考源电路基于双极结型晶体管的热电压,产生与该电压成一定比例的参考电压。本发明参考电压源电路简单,实现成本低,能在不同温度下和不同电源电压下给集成电路提供稳定的、可低至10mV级的参考电压。
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公开(公告)号:CN101394177A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200810197387.9
申请日:2008-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种具有抗噪声和负载自适应能力的输出缓冲电路,它包括前级驱动器、第一充放电电路和第二充放电电路,前级驱动器为第一充放电电路和第二充放电电路提供驱动信号,并使得第一充放电电路和第二充放电电路在不同的时刻导通。第一放电电路中二极管形式连接的PMOS管和二极管连接的NMOS管在充放电快结束时自动关断,增大了从输出端看到的电阻,使得电路具有很好的抗噪声特性。另外,本发明的结构可以使得两条充放电电路同时导通的时间长短占整个转换过程的比例大小,即电路提供的驱动能力,随负载的变化而变化,从而具有负载自适应能力。因此本发明具有低功耗、抗噪声、负载自适应特性。
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公开(公告)号:CN101221814A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810046620.3
申请日:2008-01-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路。本发明提供的用于EEPROM的灵敏放大器包括充电控制电路、检测电路和保持整形输出电路;充电控制电路由相同的二个充电控制子电路构成;检测为一个同或门;保持整形输出电路对检测电路的输出进行保持并整形为标准数字电平。由上述的灵敏放大器构成的读电路,包含两个完全对称的第一、第二存储模块,各灵敏放大器的两根位线分别接到第一、第二存储模块的对应位线上。该灵敏放大器电路结构简单,不需要偏置电路,占用面积小,读取速度快,动态功耗低,静态功耗几乎为0;工作电压范围大;由上述的灵敏放大器构成的读电路具有抗器件特性退化,性能稳定的特点。
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