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公开(公告)号：CN112332215A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011205747.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种带有衍射光学元件VCSEL芯片结构及制备方法，VCSEL芯片结构为底发射型结构，在VCSEL芯片结构的衬底层顶部刻蚀有沟槽并填充有材料，形成衍射光学图形结构；带有衍射光学图形结构的衬底层的顶部依次设有传输介质填充层和增反膜，共同形成VCSEL出射激光的外腔振荡。本发明带有衍射光学元件的衬底层和增反膜构成VCSEL发光单元的外腔结构；带衍射光学元件的衬底层在外腔内参与外腔激光振荡并通过改变光场相位分布，使输出激光等效光束质量因子M2小于1；同时，本发明可以在半导体工艺下一步制成，且不需要光学元件，易实现器件小型化、芯片化。
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公开(公告)号：CN112310803A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011204352.0
申请日：2020-11-02
Abstract: 本发明公开了一种基于VCSEL的泵浦光源及制备方法，包括：二维VCSEL阵列芯片、衬底层和光学耦合系统；二维VCSEL阵列芯片设置在衬底层的底部；衬底层的顶部沿激光出射方向刻蚀有多个沟槽，沟槽内填充有第一材料形成填料层；其中，第一材料的折射率高于衬底材料、且对VCSEL出射激光吸收率低于衬底材料；衬底层的顶部连接光学耦合系统，光学耦合系统将二维VCSEL阵列芯片的出射激光聚焦进光纤激光器或半导体激光器泵浦的固体激光器中。本发明在衬底层刻蚀有沟槽，并在沟槽内填充折射率高于衬底材料、且对VCSEL出射激光吸收率低于衬底材料的材料，可以降低VCSEL作为泵浦源时的损耗。
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公开(公告)号：CN111751802A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010733594.2
申请日：2020-07-27
Abstract: 本发明公开了一种光子级自适应高灵敏度空间微弱目标探测系统及探测方法，包括：激光发射单元，用于向目标探测区域发射自适应调频单模激光，辐照目标探测区域中的空间微弱目标；目标反射激光脉冲，产生反射回波光信号；探测单元，用于对回波光信号进行滤波聚焦后分成若干路信号，分别对各路信号进行光电转换得到与各路信号对应的电信号；数据采集处理单元，用于根据若干路电信号区分探测目标的类型和大小信息以及目标的距离信息；控制单元，用于根据目标的类型和大小信息以及目标的距离信息自适应调节激光发射单元的激光脉冲的频率、功率、脉冲宽度。本发明可进一步提升信号光与噪声的区分度，达到精准探测目标的目的。
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公开(公告)号：CN109470656A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811596838.6
申请日：2018-12-26
IPC: G01N21/47
Abstract: 本发明公开了一种新型双向反射分布函数快速测试系统及方法，半球型测试暗室的顶部设有通光孔，通光孔的正上方设有测试光源；半球型测试暗室的内球面上紧密排布有多个光电探测器，所有光电探测器与信号处理系统相连；半球型测试暗室内设有四维工作转台，待测样品通过样品支撑部件安装在四维工作转台上，四维工作转台带动待测样品水平面旋转和垂直面旋转；测试光源的光束经准直后，经通光孔入射至待测样品上；入射光经待测样品散射后，散射光信号被光电探测器接收，光电探测器输出信号至信号处理系统进行处理，得到待测样品的双向反射分布函数。本发明可实现2π半球空间范围内样品双向反射分布函数的快速测量，测量精确度高。
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公开(公告)号：CN108962815A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810780383.7
申请日：2018-07-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种SOI材料的制备方法，涉及半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1)在表面覆有SiO2的硅片A中注入低熔点金属离子，形成金属离子富集层；2)将离子注入后的硅片与另一支撑硅片B进行亲水键合；3)将键合后的硅片A、B放入退火炉进行两个阶段热处理；4)对SOI结构进行抛光工艺获取所需镜面状结构。本发明利用离子注入造成金属离子富集层的体积膨胀，引起晶格结构的破坏和相应化学键的断裂，从而造成晶格强度降低；选择合适的热处理过程，使硅片的上表层硅膜转移到另一硅片上，有效降低了硅片分离界面的粗糙度，可获得高质量的SOI结构材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102248286B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201110164379.6
申请日：2011-06-17
Applicant: 山西飞虹激光科技有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种线偏振脉冲光纤激光加工装置，其包括：线偏振固体激光器，用于产生线偏振脉冲激光；多个放大级单元，分别包括偏振相关隔离器、泵浦源、偏振相关合束器以及双包层保偏光纤；以及依次配置在所述多个放大级单元的最终输出端一侧的偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片，使得从所述多个放大级单元输出的经放大的激光经过所述偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片之后照射在被加工件上，而且，由所述被加工物件反射而沿光轴返回的激光经过所述λ/4波片之后，其偏振方向变成与原偏振方向垂直，从而被所述偏振分光器向与光轴垂直的方向反射。根据本发明的线偏振脉冲激光器，其稳定性高、成本低且带有防反射光功能。
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公开(公告)号：CN102240846A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110164672.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 山西飞虹激光科技有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 提供一种全光纤结构线偏振脉冲光纤激光加工装置，其包括：光纤激光器，用于产生脉冲激光；多个放大级单元，分别包括偏振相关隔离器、泵浦源、偏振相关合束器以及双包层保偏光纤；以及依次配置在所述多个放大级单元的最终输出端一侧的偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片，使得从所述多个放大级单元输出的经放大的激光经过所述偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片之后照射在被加工件上，而且，由所述被加工物件反射而沿光轴返回的激光经过所述λ/4波片之后，其偏振方向变成与原偏振方向垂直，从而被所述偏振分光器向与光轴垂直的方向反射。根据本发明的线偏振脉冲激光器，其稳定性高、成本低且带有防反射光功能。
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公开(公告)号：CN101969173A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010285853.6
申请日：2010-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/067
Abstract: 本发明涉及带布拉格结构的双包层光纤，包括纤芯1、内包层2、外包层3，保护层4，在内包层2上具有高低折射率层周期性交叠分布的径向同轴布拉格结构区。本发明所述的双包层光纤，具有大芯径、低NA值，通过给该光纤提供泵浦光，放大传播通过该光纤的信号，可在不增大内包层尺寸的情况下，实现高功率激光基模输出，且有利于高功率激光输出时热量管理，适于制作高功率高光束质量光纤激光器及光纤放大器。
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公开(公告)号：CN117878066A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410052525.3
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/373 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种过渡层键合高压SiC功率器件微通道封装结构及制备方法，其在SiC功率器件的两侧对称依次设有金属电极层、过渡层、金刚石散热层、DBC基板和带有回字形凹槽的微通道热沉层；SiC功率器件的金属电极层与过渡层键合构成第一异质键合层，过渡层与金刚石散热层异质键合构成第二异质键合层；第一异质键合层、第二异质键合层与上述SiC功率器件及其金属电极层实现无焊料致密连接，SiC功率器件及其金属电极层上下表面通过过渡层键合到金刚石散热层上形成三明治型散热结构；回字型凹槽的微通道热沉层为SiC功率器件提供高效散热通道，实现SiC功率器件高功率、高压工作。
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公开(公告)号：CN117855156A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410051261.X
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种双异质键合高压SiC功率器件微通道封装结构及制备方法，其在SiC功率器件的两侧对称依次设有金属电极层、二维材料过渡层、金刚石散热层、DBC基板和带有回字形凹槽的微通道热沉层；二维材料过渡层选用高导热型且具有六方对称结构的二维材料；二维材料过渡层与SiC功率器件的金属电极层键合构成第一异质键合层，金刚石散热层与二维材料过渡层异质键合构成第二异质键合层，第一异质键合层、第二异质键合层与上述SiC功率器件及其金属电极层实现无焊料致密连接，SiC功率器件及其金属电极层上下表面通过二维材料过渡层键合到金刚石散热层上形成三明治型散热结构；微通道热沉层为SiC功率器件提供高效散热通道。
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