一种基于一阶贝塞尔光束的STED超分辨显微镜及调节方法

    公开(公告)号:CN105182523B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201510612186.0

    申请日:2015-09-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于一阶贝塞尔光束的STED超分辨显微镜及其调节方法。本发明的STED显微镜包括:激发光光源、损耗光光源、激发光扩束准直系统、损耗光扩束准直系统、螺旋形相位板、贝塞尔光束产生系统、损耗光聚焦透镜、合束系统、物镜、压电扫描系统、滤波片、信号收集系统和单光子探测器;本发明的损耗光为一阶贝塞尔光束,其本身具有抗散射和自愈特性,在样品较深的位置可以保持很好的光斑形貌,从而提高样品深层区域的分辨率;相比于调节物镜校正环来实现STED超分辨显微镜深层成像的方法,本发明实验操作上较为简单,无需主动调节;相比于使用自适应光学系统的方法,本发明实验装置上较为简单且廉价。

    一种超材料-微腔复合结构及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN105093777B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201510438094.5

    申请日:2015-07-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种超材料‑微腔复合结构及其制备方法和用途。本发明的复合结构从上至下依次包括:从上至下依次为超材料、二维材料和光学微腔的三层复合结构,上层的超材料具有多个周期性排布的共振单元;泵浦光从超材料入射,引起中间层的二维材料的非线性折射率改变,并且泵浦光激发的超材料的局域场增强效应和光学微腔的局域场增强效应共同作用,提高二维材料的非线性折射率,使得超材料周围的有效折射率改变,从而改变探测光透过复合结构的透射状态。本发明提高了材料的非线性折射率,减小响应时间,增强全光可调性;并且制作工艺简单,可用材料广泛;本发明的复合结构可用于全光开关或传感器。

    一种基于钙钛矿材料的X射线防护结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN107316668A

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201710649910.6

    申请日:2017-08-02

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: G21F1/125 G21F1/106

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿材料的X射线防护结构及其制备方法。本发明在基底与顶部封装层之间形成一层或多层钙钛矿吸收层,钙钛矿吸收层的材料采用钙钛矿或者钙钛矿混合物,有效吸收X射线;通过顶部封装层不仅能避免钙钛矿材料和空气接触,提高了该种结构防护的稳定性,又能有效防止铅泄露,避免对环境造成污染;当基底的材料采用玻璃等硬质基底时,X射线防护结构用于X射线防护墙或防护屏;同时通过调节卤素的掺杂比例,从而改变钙钛矿材料的颜色;当基底的材料采用PET等柔性基底时,用于可穿戴设备;本发明提供的基于钙钛矿材料的柔性防护结构具有灵巧轻便的优势。

    一种水滴法胶质量子点微盘的制备方法

    公开(公告)号:CN107221837A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710378082.7

    申请日:2017-05-24

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: H01S5/1042 C09K11/025 C09K11/883 H01S5/1067

    Abstract: 本发明公开了一种水滴法胶质量子点微盘的制备方法。本发明将胶质量子点溶解在两种具有不同链长的有机溶剂中,控制两种有机溶剂的体积比和环境温度滴涂在成膜基底上,烘烤使混合溶剂完全挥发后,形成高质量的胶质量子点薄膜;通过在胶质量子点薄膜表面滴水,利用水滴的表面张力释放胶质量子点薄膜内部的残余应力,胶质量子点薄膜在胶质量子点薄膜‑水‑空气三相接触线位置破裂成大量形状不同的小块,形成微米尺寸的胶质量子点微盘,移到表面洁净的转移基底上,在泵浦光的作用下实现了单模和多模室温片上激光器,并与波导实现片上集成;本发明的胶质量子点微盘在恶劣环境下也十分稳定;本发明的方法简单廉价,在固态小尺寸激光器领域具有重要意义。

    基于非对称纳米沟槽结构的SPPs模式转换器及其转换方法

    公开(公告)号:CN104730625B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201510157698.2

    申请日:2015-04-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构的SPPs模式转换器及其转换方法。本发明的表面等离激元模式转换器包括:金属薄膜;在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽;在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽,形成非对称纳米沟槽结构;通过操控共振结构的附加纳米沟槽的深度控制主纳米沟槽中一阶波导模式和二阶波导模式的相互转换系数,从而实现了不同模式表面等离激元的效率可控转换;模式转换的效率最多可以高达90%。本发明为进一步通过一阶和二阶波导模式的干涉实现对总的电磁场分布的操控提供了极大的便利;同时该表面等离激元模式转换器还具有几百纳米的超小尺寸,有利于高度集成,因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。

    一种界面修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN104953030B

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201410112818.2

    申请日:2014-03-25

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开了一种界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明衬底、透明底电极、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其中所述透明底电极与钙钛矿吸光层接触的界面被铯盐修饰过,从而改变了底电极的表面能级。本发明的钙钛矿太阳能电池不再使用金属氧化物致密层作为电子传输层,而是通过修饰底电极的表面能级,实现底电极与钙钛矿活性层的最佳匹配,从而简化了器件的制备步骤,降低了器件成本,且所制备的器件具有较高的光电转换效率和良好的稳定性。

    一种基于光栅滤波全正色散掺铒光纤激光器及其调节方法

    公开(公告)号:CN103779767B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201410013629.X

    申请日:2014-01-10

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光栅滤波全正色散掺铒光纤激光器及其调节方法。本发明的全正色散掺铒光纤激光器包括:偏振分光棱镜、隔离器、第一1/4波片、光栅、第一准直器、增益光纤、第二准直器、第二1/4波片片和1/2波片,构成环形谐振腔;泵浦源经波分复用器耦合至增益光纤中,耦合器经光纤连接至第二准直器;环形谐振腔中插入了光栅,利用光栅作为谐振腔内滤波器,通过调节第一准直器的横向位置以及角度以调节第一准直器的方向,使某一中心波长的衍射光进入准直器,从而滤波实现激光器的自锁模;并调节第一准直器与光栅的衍射点之间的距离,实现输出脉冲的光谱宽度的调节。

    基于低浓度有机无机杂化钙钛矿溶液的快速成膜方法

    公开(公告)号:CN105140419A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510387117.4

    申请日:2015-07-03

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: H01L51/0003

    Abstract: 本发明公开了一种基于低浓度有机无机杂化钙钛矿溶液的快速成膜方法,包括:用有机溶剂配制低浓度的有机无机杂化钙钛矿前驱体溶液,将基底保持特定温度状态,然后将前驱体溶液涂于基底上快速成膜。本发明通过低浓度的钙钛矿前驱体溶液,于特定温度下利用溶剂挥发的特点,在各种常见基底上快速制备毫米量级晶粒大小且致密均匀的钙钛矿薄膜。该方法原材料利用率高、成本低廉、污染较小,生产周期短,适用范围广,在实际应用中效果显著。

    基于非对称纳米沟槽结构宽带SPPs单向激发器及控制方法

    公开(公告)号:CN104733998A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510158732.8

    申请日:2015-04-03

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构宽带SPPs单向激发器及控制方法。本发明的宽带表面等离激元单向激发器包括:金属薄膜;在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽;在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽,形成非对称纳米沟槽结构;通过操控结构中主纳米沟槽和附加纳米沟槽的深度调控所激发SPPs的相对振幅和相位差,实现了SPPs的单向激发,进一步,使纳米沟槽内不同模式之间的干涉效应变得对波长的依赖不敏感,从而实现了带宽达到220nm的宽带SPPs的单向激发器。本发明的SPPs的单向激发器同时还具有高SPPs激发效率和高消光比等高性能,和几百纳米的超小尺寸,有利于高度集成,因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。

    透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极

    公开(公告)号:CN104575869A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510013392.X

    申请日:2015-01-12

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公布一种透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极,包括步骤:制成待图案化的电极;其上制备图案化的保护层;置于刻蚀液或气体中刻蚀;置于清洗液中清洗去掉刻蚀产物和保护层。用本发明方法对金属纳米线进行网格状图案化,制备成一种网格状图案化的透明导电电极。本发明通过气体或较低浓度的刻蚀液对金属或金属纳米线薄膜实现快速、低成本且安全低毒的化学刻蚀,既可彻底刻蚀,也能无影刻蚀,且安全低毒、刻蚀速度快,在实际应用中效果显著。制成的网格状图案化透明导电电极综合纳米线和纳米网格透明电极的优点,在导电性损失极小的前提下大幅提高透明度,性能良好。

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