公开(公告)号：CN101962803B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010526918.1

申请日：2010-10-30

申请人： 北京大学

发明人： 杜彦浩 ,  吴洁君 ,  张国义 ,  于彤军 ,  杨志坚 ,  康香宁 ,  贾传宇 ,  孙永健 ,  罗伟科 ,  刘鹏

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B25/18

摘要： 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放条件渐变到高质量生长条件；以周期调制的方式连续重复第一阶段和第二阶段；生长材料达到预定厚度时停止生长；以及将材料的生长效果作为反馈，调整质量调制幅度参数，确定下次材料的生长条件。本发明解决了材料异质外延的两个主要问题，兼顾了材料质量的提高和应力的有效释放，并引入了控制参数质量调制幅度，实现对质量和应力的有效控制，能够良好地实现高质量单晶厚膜材料的异质外延。

公开(公告)号：CN101962804A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010527353.9

申请日：2010-10-30

申请人： 北京大学

发明人： 张国义 ,  吴洁君 ,  杜彦浩 ,  于彤军 ,  杨志坚 ,  康香宁 ,  贾传宇 ,  孙永健 ,  罗伟科 ,  刘鹏

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的位置时，工艺条件跃变调制，实现应力在该预定位置的跃变；再次工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力随厚度增加而逐渐释放，也即实现应力逆向集中于预定位置；外延生长结束，并逐渐降温，以使得预定自分离位置两侧的应力差进一步放大，从而实现单晶厚膜在预定位置的自分离。本发明在保证外延材料质量的基础上，能有效控制外延材料中应力的整体分布，良好地实现外延材料的自分离。