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公开(公告)号：CN101369594A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810166297.3
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
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公开(公告)号：CN100438049C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410100705.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L31/0256 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
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公开(公告)号：CN101082707A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108170.1
申请日：2007-05-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
IPC: G02F1/13 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F1/1362
Abstract: 一种液晶显示器和液晶投影机。将多个液晶调制电极以矩阵形式布置在半导体基板28上，将具有透明电极23的透光基板47与半导体基板层压在一起并在两者之间夹置液晶，半导体基板连接到电连接到外部的柔性印刷板25，透明电极不通过半导体基板而连接到柔性印刷板的布线，而布线连接到半导体基板，由此透明电极电连接到半导体基板。半导体基板28提供有防静电保护电路，并且透明电极通过布线连接到防静电保护电路。
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公开(公告)号：CN1149429C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN97122811.6
申请日：1997-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/1333 , G09G3/00
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0823 , G09G2310/0205 , G09G2310/0251 , G09G2310/0283 , G09G2310/0297 , G09G2320/041 , G09G2330/021
Abstract: 一种矩阵基底，该矩阵基底包括许多排列在矩阵图形中的像素电极、多个与像素电极相连的开关元件、多个用来给所说众多开关元件提供视频信号的信号线、多个用来给开关元件提供扫描信号的扫描线、一个用来给信号线提供视频信号的水平驱动电路、和一个用来给扫描线提供扫描信号的垂直驱动电路，其中，水平驱动电路由动态型电路组成而垂直驱动电路由静态型电路组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1102246C
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN97122806.X
申请日：1997-10-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/133621 , G02F1/13454 , G02F2001/136245 , G09G3/3648 , G09G2300/0823 , G09G2320/041 , H01L27/1214
Abstract: 一种液晶装置，包括：一个有源矩阵衬底，有源矩阵衬底有多条扫描线和多条信号线，分别设置在扫描线与信号线交叉处的晶体管-其源极区与相应的信号线连接、栅极区与相应的扫描线连接、以及分别连接到晶体管的漏极区的象素电极；一个与有源矩阵衬底相对设置的相对衬底；以及一种液晶材料，填充于所述有源矩阵衬底与所述相对衬底之间的空间。由每对相邻设置的晶体管共用一个源极区，它与相应的信号线连接。
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公开(公告)号：CN1042375C
公开(公告)日：1999-03-03
申请号：CN92108981.3
申请日：1992-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/0203 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/76251 , H01L31/1892 , Y02E10/50 , Y10S148/012
Abstract: 一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基体上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。
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公开(公告)号：CN1191323A
公开(公告)日：1998-08-26
申请号：CN97126288.8
申请日：1997-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136277 , G02F1/133553
Abstract: 一种反射型液晶装置,包括一个像素电极衬底,在该像素电极衬底上具有多个像素电极、一个与所述像素电极面对面设置的对立衬底和一个填充衬底之间的间隔的液晶材料,该液晶显示装置适合于通过使像素电极反射从所述对立衬底进入的入射光来显示图象。在由所述多个像素电极限定的开口下面设置有一个反射层,以便把通过开口进入的光反射回到所述开口。
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公开(公告)号：CN1139777A
公开(公告)日：1997-01-08
申请号：CN96102871.8
申请日：1996-04-11
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
CPC classification number: G06F7/5318 , G06F7/509 , G06F7/607 , G06F2207/3836 , G06F2207/4816 , G06F2207/4822 , H03K19/23
Abstract: 在一种用于进行包括若干多位数据的加法的运算的处理器中将若干多位数据的公共位上的数值以并行方式输入到各个位的数字检测器组中，以二进制的表示方式输出在输入的数值中的高(电平)信号的数目，以及将来自若干ND的输出利用全加器相加，高速完成相加而没有进位。此外，没有公共位的数据在相加之前被总和到一单一数据中。
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公开(公告)号：CN1073550A
公开(公告)日：1993-06-23
申请号：CN92108981.3
申请日：1992-07-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/0203 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/76251 , H01L31/1892 , Y02E10/50 , Y10S148/012
Abstract: 一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基础上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。
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