基于丝素蛋白的多响应性软体致动器、制备和调控方法

    公开(公告)号:CN116538037A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310501676.8

    申请日:2023-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于丝素蛋白的多响应性软体致动器及制备方法。软体致动器包括丝素蛋白膜和柔性基底,丝素蛋白膜置于柔性基底之上并紧密结合构成双层膜结构,丝素蛋白膜和柔性基底的热膨胀系数不同;软体致动器制备方法为:柔性基底用等离子处理,随后在柔性基底上刮涂丝素蛋白湿膜,经干燥得到丝素蛋白膜,并与柔性基底构成双层膜,将双层膜置于水中浸泡后干燥,将干燥后双层膜中的丝素蛋白膜整体或局部浸泡在氯化钙水溶液后取出再干燥得到。本发明的软体致动器变形可由微小的能量输入驱动,能耗低,并具有更好的可逆性,具有更大的变形角度,实现不同区域变形的可重复编程性,具有多刺激响应性。

    一种氮化硅波导TE0/TE1宽带模式转换器

    公开(公告)号:CN116520494A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310773243.8

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种氮化硅波导TE0/TE1宽带模式转换器,包括二氧化硅衬底,位于二氧化硅衬底上的氮化硅波导层,以及包裹氮化硅波导层的二氧化硅包层;其中,氮化硅波导层包括第一多模干涉耦合器、直波导连接臂、相移器和第二多模干涉耦合器;通过第一多模干涉耦合器将输入的第一TE0模式光分成两个相位、幅度完全相同的第二TE0模式光,并将两个第二TE0模式光分别输入直波导连接臂和相移器,通过直波导连接臂和相移器使得两个第二TE0模式光幅度相同,相位相差π相位,通过将输入的两个相差π相位的第二TE0模式光进行结合得到TE1模式光。宽带模式转换器结构简单、工作带宽较大。

    一种基于光纤布拉格光栅的微波光子学测量装置和方法

    公开(公告)号:CN116165433B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310455453.2

    申请日:2023-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于光纤布拉格光栅的微波光子学测量装置和方法,属于微波光子学技术领域,包括激光光源、电光调制模块、电混频器、信号接收器、信号发生器、第一光环形器、光纤布拉格光栅、第二光环形器、单模光纤、光电探测器、数据收集器,通过电混频器生成与待测电信号线性相关且能够被参考电信号控制的中间电信号,将中间电信号调制到光信号上后利用光纤布拉格光栅的透射和反射特性将光信号分为上下两路并分别从两个相反方向进入单模光纤中产生受激布里渊散射效应。受激布里渊散射效应的增益放大特性帮助光电探测器准确地得到中间电信号的频率信息,完成了对待测电信号的测量。

    模分复用设计区域参数优化方法、复用/解复用器及系统

    公开(公告)号:CN116299864A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310557866.1

    申请日:2023-05-18

    Abstract: 本发明涉及模分复用设计区域参数优化方法、复用/解复用器及系统,复用/解复用器包括分为多段的多模波导和至少一个单模波导,多模波导通过模分复用设计区域与单模波导连接,单模波导、模分复用设计区域和光的模式一一对应,多模波导的一端和每个单模波导分别连接不同的波分复用/解复用器,模分复用设计区域被划分为多个单元,每个模分复用设计区域的单元的状态由与不同波长下对应的多模波导经过模分复用设计区域后向下一段多模波导分别输出的TE0模式正相关的品质因子决定。与现有技术相比,本发明具有增大信道数量,提高光纤通信容量等优点。

    一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN116226892A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310510638.9

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 本说明书公开了一种数据加密方法、装置、存储介质及电子设备,可以基于干涉原理,将远场图像和近场图像同时调制到由各微纳单元组成的超表面中,从而可以通过超表面记录两个不同图像,以提升超表面的信息容量,还可以通过相变材料实现远场图像和近场图像的动态隐藏,进而可以进一步地提升存储的远场图像和近场图像的安全性。

    一种全光三相耦合器以及全光三相耦合器的控制方法

    公开(公告)号:CN116107022A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310132097.0

    申请日:2023-02-06

    Inventor: 陈晨 张磊 尹坤

    Abstract: 本说明书公开了一种全光三相耦合器以及全光三相耦合器的控制方法,该全光三相耦合器一共有三个输入端口三个输出端口,可以通过控制施加在全光三相耦合器的三个控制单元上的电信号,控制从全光三相耦合器三个输入端口输入的每路光信号在全光三相耦合器中的传输路径,以控制每路光信号从全光三相耦合器的任意一个输出端口中输出到与该输出端口相连的光子集成电路的功能组件中,从而可以增加光子集成电路的普适性。

    一种四维可拓展的光交换网络架构及其构建方法

    公开(公告)号:CN115988360A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211367743.3

    申请日:2022-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种四维可拓展的光交换网络架构及其构建方法,该网络架构分为两个部分,一部分称为可拓展传输区域,由4个N×N的蝶形网络组成,构成了低复杂度、低串扰的光开关阵列;另一部分称为四维路由区域,由N/2个环形网络组成,将构建的可拓展传输区域和四维路由区域连接起来,即可构建N×N×N×N的四维可拓展的光交换网络架构。本发明突破传统二维光开关阵列的限制,实现了光交换阵列维度上的拓展,每个端口可与另外3N个端口实现互连,以更少的光开关单元实现更大的信号交换规模,有效地解决了随着端口数增加光交换网络面积过大的问题。

    一种基于超表面结构的紧凑型集成偏振分束器

    公开(公告)号:CN115685443B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211374592.4

    申请日:2022-11-04

    Inventor: 王琳 张磊 尹坤

    Abstract: 本发明公开了一种基于超表面结构的紧凑型集成偏振分束器,所述分束器由上至下共分为三层,分别为超表面硅层,SOI器件层和埋氧层,此三层结构被置于二氧化硅包层中,所述超表面硅层位于最上方,为带有正方形刻蚀孔的硅层,所述SOI器件层位于超表面硅层下方,为一个平板硅波导,所述埋氧层位于所述分束器最下方,其材料为二氧化硅材料,与所述SOI器件层一同由标准SOI工艺平台制成,所述分束器通过超表面硅层中刻蚀孔的不均匀分布来实现对输入光的TE基模与TM基模的分束,通过本发明可以实现硅光芯片内光的高效模式分束,可应用于硅基光电子芯片等领域,具有结构紧凑、易集成和设计复杂度低等特点。

    一种基于波导上硫化锑的O波段多模干涉型硅基光开关

    公开(公告)号:CN115755442A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211548802.7

    申请日:2022-12-05

    Inventor: 张磊 王海涛 储涛

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导上硫化锑的O波段多模干涉型硅基光开关,包括硅基波导、多模干涉区和相变材料薄膜,所述硅基波导包括输入波导、相移调制波导和输出波导,所述多模干涉区包括调制前多模干涉区和相移调制后多模干涉区构成,与硅基波导皆为脊波导,并位于SOI结构的顶硅层,所述相变材料薄膜由硫化锑制备,位于相移调制波导顶部,两者构成调制光传输相位的复合区,通过激发相变材料硫化锑进行相变,从而改变不同波导之间的光波相位差,实现开关状态的调制,通过本发明可以实现输入光的开关状态调制,可应用于光通信等领域,具有占用面积小、开关速度快和能量消耗小等特点。

    一种基于亚波长结构的小型化狭缝波导模式转换器件

    公开(公告)号:CN115755275A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211471904.3

    申请日:2022-11-23

    Abstract: 一种基于亚波长结构的小型化狭缝波导模式转换器件,包括SOI基体和集成于SOI基体上表面的波导模式转换装置;所述波导模式转换装置以SOI基体长度方向的中心线轴对称分布;所述波导模式转换装置包括沿光路依次连接的条形输入波导、带有微刻蚀结构的模式转换波导和狭缝输出波导;输入所述条形输入波导的光场模斑表现为高斯模式,经由模式转换波导时,受到微刻蚀结构的调制从而转换至狭缝波导模式,被调制为狭缝波导模式的光进一步耦合至狭缝输出波导中,并最终输出所述小型化狭缝波导模式转换器件。本发明实现了极低损耗的条形波导‑狭缝波导间模式转换与传输,在条形波导与狭缝波导之间建立平滑的连接。

Patent Agency Ranking