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公开(公告)号：CN113130134B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110381404.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态沉积第二代高温超导带材的装置和方法，涉及镀膜工艺装备技术领域。本发明提供的装置包括动态卷绕系统和真空热处理炉；所述动态卷绕系统包括放卷装置、缠绕骨架和前驱液槽；所述放卷装置和缠绕骨架均连接有伺服电机；所述真空热处理炉包括真空炉腔和转动装置；所述真空炉腔的外壁设置有控温热电偶、进气口、抽气口、冷却水进口和冷却水出口，所述真空炉腔的内壁设置有加热线圈；所述转动装置的中心轴贯穿真空炉腔的中心。利用本发明提供的装置动态沉积第二代高温超导带材，通过化学溶液法连续浸涂和高温热处理能够制备出百米级的第二代高温超导带材，且得到的第二代高温超导带材表面平整、致密，电学性能良好。
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公开(公告)号：CN111533551B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010384586.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/80 , C23C18/12
Abstract: 本发明提供了一种YBCO超导薄膜及其制备方法，属于第二代高温超导带材领域。本发明通过采用三氟乙酸盐‑金属有机沉积法制备含有纳米钛酸钡的YBCO超导薄膜，本发明在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇和乙酰丙酮钛，再经过低温热分解和高温烧结后，制备了含有纳米棒状钛酸钡的四方相YBCO膜，然后经过退火处理，再采用氢质子轰击，在YBCO超导薄膜前体内部产生非常均匀的纳米点，利用纳米棒状的钛酸钡与氢质子轰击产生的纳米点两种不同结构的纳米相的协同作用，提高了YBCO膜的临界电流密度。
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公开(公告)号：CN114388195A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210115858.7
申请日：2022-02-07
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B12/06
Abstract: 本发明公开一种多层YBCO超导带材剥离装置及其剥离方法，涉及高载流超导带材制备领域，通过剥离装置，将采用“面对面”方式焊接在一起的超导带连续剥离，制备具有多层YBCO的超导长带材；本发明解决了人工剥离半径难以掌控；人工剥离过程中力度难以控制；人工剥离速度不稳定等不确定因素。本发明巧妙地避开了上述人工剥离多层YBCO超导层的缺点，采用创新型剥离装置，简化了操作步骤，剥离更加稳定步骤简洁，对制备多层YBCO超导长带具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114360894A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210037037.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种闭环超导磁体的绕制方法及闭环超导磁体。所述方法包括：将主带盘中的超导带材缠绕在过渡带盘上；将过渡带盘上的超导带材缠绕在第1个双饼线圈骨架的一侧形成第1个双饼线圈中的第1个单饼；将主带盘上的超导带缠绕在第n个双饼线圈骨架的另一侧形成第n个双饼线圈中的第2个单饼；将第n个双饼线圈中的第2个单饼上的超导带材缠绕在第n+1个双饼线圈骨架的一侧形成第n+1个双饼线圈中的第1个单饼，至此完成第n个双饼线圈的绕制；将最后一个双饼线圈的超导带材抽头的端部与第一个双饼线圈的超导带材抽头的端部连接形成闭环超导磁体。本发明可以解决超导接头制备困难，机械性能差的缺点。
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公开(公告)号：CN114220650A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111563000.9
申请日：2021-12-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01F41/04 , H01F41/076 , H01F41/12 , H01F6/06
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材闭合线圈及其制备方法，属于超导材料技术领域。本发明将绝缘材料包裹的第二代高温超导带材绕制成线圈后，裸露出待连接接头的超导层，通过熔融扩散焊接的方式把两端带材连接在一起，熔融扩散焊接过程中，超导层失去超导性；本发明在含氧气氛下，对具有焊接接头的线圈进行热处理，在热处理的过程中，超导层进行充氧，提高超导层成分的含氧量，恢复其超导电性，从而实现线圈两端第二代高温超导带材超导态的连接。本发明对所述初步闭合线圈的焊接接头处进行覆铜处理，能够提高接头的机械强度，将覆铜处理后的线圈浸渍环氧树脂，能够提高线圈整体的机械强度和稳定性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122181A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111414150.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光伏器件技术领域，尤其涉及一种铁电‑半导体耦合光伏器件及其制备方法。本发明提供了一种铁电‑半导体耦合光伏器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型铁电材料层、第二载流子传输层和电极层；或包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型非铁电材料层、铁电材料层、第二载流子传输层和电极层。所述铁电‑半导体耦合光伏器件具有较高的光电转化效率和较低的制备成本。
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公开(公告)号：CN111524653B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010365211.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，涉及超导电工领域。本发明的连接方法可以不破坏金属基带，同时又能提供氧扩散通道；最终得到的接头在液氮温区具备超导特性。具体的，本发明通过在超导层刻蚀出条纹状微槽提供大范围的氧扩散通道，缩短超导电性恢复时间；经过超导层熔融扩散可以使搭接的两个超导层界面的部分区域熔融并相互扩散紧密连接为一体，实现超导层之间的连接，使接头具备超导特性，形成超导接头。
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公开(公告)号：CN113594348A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010367418.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种复合超导线及其制备方法与连接方法、一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后的超导线可再次镀银和重复剥离，从而制备多超导层的复合超导线。与超导层相邻的银层可作为快速的氧扩散通道，保证了复合超导线及其接头后期的超导性能恢复。进一步地，利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了复合超导线及其接头的机械性能。本发明的制备方法使复合超导线具有多层超导层，且具有较高的工程电流密度Je、成本低廉。同时，可以改善连接后的超导层的性能恢复，极大地提高超导接头的临界电流与制备效率。
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公开(公告)号：CN113121234A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110381401.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C04B41/87 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种具有高温稳定性的Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料包括Mg3～3.2Sb1.5Bi0.5‑xTex热电块体材料和沉积在所述Mg3～3.2Sb1.5Bi0.5‑xTex热电块体材料表面的氮化硼涂层；0＜x≤0.06。本发明在Mg3Sb2基热电材料中引入氮化硼涂层，Mg3Sb2基热电材料在氮化硼涂层的保护下热电性能在高温下非常稳定，可以有效抑制高温下的Mg损失，大大提高Mg3Sb2基热电材料的工作温度，并因此保证了其在高温下热电转换效率。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料即使在500℃高温下热电性能也非常稳定。
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公开(公告)号：CN111106453A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911250570.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 东部超导科技(苏州)有限公司 , 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明涉及一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，连接方法包括以下步骤：去除保护层：去除第二代高温超导带材的待连接区域的部分区域银层，使剩余银层和裸露出的超导层间隔分布；银层扩散焊：将至少两根经过去除保护层步骤处理的第二代高温超导带材的待连接区域两两搭接形成搭接区域，使彼此的剩余银层重合接触，然后夹住搭接区域，对银层进行扩散焊；超导层熔融扩散焊；以及超导电性恢复。本发明所述方法可以不破坏超导层结构，同时又能提供氧扩散通道，制备的超导接头在液氮温区具备超导特性的同时还具有较高的机械强度，同时剩余银层也可通过电流，使得超导接头还具有一定的失超保护能力。
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