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公开(公告)号：CN115835674A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211697423.4
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，该钙钛矿发光二极管包括：衬底；透明导电电极，设置于衬底上；有机空穴传输层，设置在透明导电电极上，并覆盖透明导电电极的部分区域，使透明导电电极的另一部分区域露出；二维钙钛矿空穴传输层，覆盖于有机空穴传输层上；间隔层，覆盖于二维钙钛矿空穴传输层上；钙钛矿发光层，覆盖于间隔层上；电子传输层，覆盖于钙钛矿发光层上；金属导电电极，覆盖于电子传输层上，包括N个间隔设置的电极单元，N为正整数。本发明以二维钙钛矿代替传统有机空穴传输层作为空穴传输材料，可以提高空穴传输性能，有效提高发光二极管的亮度，实现更好的载流子注入平衡。
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公开(公告)号：CN110875170B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201811012428.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法，涉及纳米材料制备技术领域。该方法包括：将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；对所述h‑BN进行厚度减薄处理；对所述h‑BN进行退火处理；在所述h‑BN衬底表面生长HfS2原子晶体，远程外延制备HfS2/h‑BN异质结材料。本发明制备过程简单，制备成本低，且具有严格意义上的可控性。
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公开(公告)号：CN110629184A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911003590.2
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法。该方法包括：准备一介质衬底；将所述介质衬底预置在一离子束溅射沉积腔室内，沉积腔室内包含氮化硼靶，以及辅助离子源和主离子源，并将该沉积腔室预抽至一背底真空度；该辅助离子源对介质衬底表面实施原位氮化处理；该主离子源溅射该氮化硼靶得到氮、硼原子并沉积至该介质衬底上生长二维六方氮化硼；降温得到二维六方氮化硼样品。本发明提供的介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法，不仅可以提高介质衬底上六方氮化硼的晶体质量，而且可控性好，制备的薄膜表面平整、均匀性好，对其光电子学应用有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN103364595B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310299682.6
申请日：2013-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，其包括：步骤1、利用原子力显微镜AFM分别表征不同条件下制备的多个聚合物太阳能电池样品的光敏层，得到光敏层AFM相图；步骤2、在所述多个相图中分别选取一定大小的感兴趣区；步骤3、将所述多个感兴趣区黑白化，使所述感兴趣区中的给体D和受体A转化成黑白两相；步骤4、分别计算所述多个黑白化后的感兴趣区中给体和受体的接触边界长度，并根据所述计算结果定量分析、比较多个聚合物太阳能电池样品的光敏层相分离程度。本发明的计算方法简单，计算结果可靠，可为进一步深入探究光敏层相分离的影响因素、优化D/A两相相分离尺度，最终提高电池性能提供帮助。
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公开(公告)号：CN102623643B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210101838.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C07D417/14 , H01L51/48 , H01L51/42 , H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层，该氧化锌掺铝层为阴极；步骤2：在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧，旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物，形成光敏层；步骤3：在光敏层上通过热蒸发沉积一层氧化钼层；步骤4：通过热蒸发，在氧化钼层上沉积银层，该银层为阳极，完成反型聚合物太阳电池的制备。其是通过表面改性Au颗粒，解决其不能稳定分散于非极性溶剂的问题，增强电池对太阳光的吸收能力。提高聚合物太阳电池的寿命及光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103337592A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310290296.0
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种提高聚合物太阳能电池效率的方法，该方法是在制备聚合物太阳能电池的过程中，在光敏层与金属阴极之间引入ZnO电子传输层，并用氢等离子体处理该ZnO电子传输层。氢扩散到ZnO材料中形成浅施主能级，提高了ZnO的载流子浓度，使ZnO的电阻率降低，减小了聚合物太阳能电池的串联电阻，提高了电池的填充因子。另一方面，氢等离子体处理后ZnO表面由于氢终止，其费米能级上升，功函数减小，使得聚合物太阳能电池的开路电压提高。增大的填充因子和开压使聚合物太阳能电池的效率得到明显提高。
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公开(公告)号：CN102810643A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110148122.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 欧贝黎新能源科技股份有限公司
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种改善聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，有机物的溶剂采用氯苯和二氯苯的混合溶剂，有机物溶液的具体配制包括如下步骤：分别称量质量比为1∶1聚噻吩(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)，先后置于同一试剂瓶中；注入按一定比例混合的氯苯/二氯苯混合溶剂；将混合好的溶液放在磁力搅拌器上，搅拌使之混合均匀，溶液配制完毕。
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公开(公告)号：CN102723400A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110458268.6
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO3衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO3外延薄膜；3)控制BiFeO3外延薄膜中Bi与Fe的原子百分比，调节BiFeO3外延薄膜与SrTiO3衬底的晶格失配度；4)控制生长富Bi组分的BiFeO3外延薄膜的厚度，调节BiFeO3外延薄膜的面内双轴应力。
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公开(公告)号：CN102623643A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210101838.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层，该氧化锌掺铝层为阴极；步骤2：在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧，旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物，形成光敏层；步骤3：在光敏层上通过热蒸发沉积一层氧化钼层；步骤4：通过热蒸发，在氧化钼层上沉积银层，该银层为阳极，完成反型聚合物太阳电池的制备。其是通过表面改性Au颗粒，解决其不能稳定分散于非极性溶剂的问题，增强电池对太阳光的吸收能力。提高聚合物太阳电池的寿命及光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102623604A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105020.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上电极，该上电极制作在石墨烯层的一侧边缘上；一下电极，该下电极制作在p-GaN层一侧的台面上。石墨烯具有高达97％的可见光透射率和优异的导电性及机械性能，可以自然铺展于纳米棒之间而不轻易断裂，形成良好的接触和连接作用，因此是一种良好的透明电极材料。将化学气相沉积生长的大面积连续石墨烯转移到ZnO纳米棒阵列的上方，石墨烯在ZnO纳米棒的支撑下自然铺展，简单地形成发光二极管的电极层，同时还能起到电流扩展层的作用。
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