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公开(公告)号：CN119789555A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411898965.7
申请日：2024-12-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于对数复合天线集成的碲化铌太赫兹光电探测器及制备方法，是利用机械剥离得到的碲化铌材料通过干法转移转移到本征高阻硅衬底上，利用紫外光刻技术制作源、漏电极以及相应的天线结构，并利用电子束蒸发等工艺，制备成对数复合天线碲化铌太赫兹光电探测器。相较于传统的对数天线，该对数复合天线结构对太赫兹波的场强增益更高，使得该对数复合天线碲化铌太赫兹光电探测器对太赫兹波有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112129787B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010966408.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法。利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，实现了高效、可靠地制备高质量的TEM样品。利用PPC的物理特性，在微区转移平台的辅助下，可以定点地对目标样品进行微区精准操作。这种全新的方法无须使用强酸强碱进行腐蚀，转移过程中不会对材料和碳膜造成损伤。该工艺适用于不同类型的材料，包括薄膜材料、二维材料、纳米线等。本发明的优点在于精准定点转移、无水接触、样品损伤小、有机残留少、适用面广、成本低、效率快、成功率高。
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公开(公告)号：CN114519373B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210123355.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用红外长波焦平面探测器的干涉信号去噪方法。通过红外焦平面探测器和迈克尔逊干涉仪搭建的傅里叶光谱仪采集得到干涉信号。用卡尔曼滤波算法对探测器每一探测元每一时刻的输出进行滤波处理，然后再对每一段滤波结果值求平均，进一步滤除其他噪声；最后排序重构成干涉图。整个去噪方法简单易行，相比于之前直接对多组光谱数据求均值来提高光谱信噪比的方法，该方法在干涉图傅里叶变化成光谱图之前，对干涉信号中的噪声进行抑制，可进一步滤除随机噪声并保留原始光谱特征。为未来采用长波焦平面探测器的傅里叶光谱仪干涉信号处理提供技术基础。
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公开(公告)号：CN110729375B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910850370.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本发明的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN116314428A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310325851.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/112 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L23/66
Abstract: 本发明公开的是基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件，在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs缓冲层、AlxGa1‑xAs势垒层、Si的δ掺杂底层、AlxGa1‑xAs的隔离层、InxGa1‑xAs的沟道层、AlxGa1‑xAs的隔离层、Si的δ掺杂层、AlxGa1‑xAs势垒层、未掺杂的AlAs层、未掺杂的GaAs层、掺杂Si的AlAs势垒层和掺杂Si的GaAs帽层。源极、漏极分别于GaAs缓冲层以及各个势垒层两端接触形成欧姆接触，并在沟道层之间形成的二维电子气通道。其主要特征是InGaAs/AlGaAs形成的二维电子气具有非常高的电子迁移率，并可与太赫兹波产生等离子共振，增强了太赫兹波的吸收，并提高了光电转换效率。本发明的优点是设计的阵列器件不仅可以实现较高的响应，还实现了较优秀的均匀性特征，以此为基础的线阵列芯片利于大规模集成拓展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116263517A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111514743.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器，其结构包括衬底、底部布拉格反射层、谐振腔层、下电极、介电间隔层、上电极、可互相静电栅控的石墨烯双层结构及顶部布拉格反射层。该吸收器基于法布里‑珀罗腔共振，在底部和顶部布拉格反射层之间的谐振腔层内形成共振模式。该共振模式的辐射损耗速率主要由布拉格反射层的构成组分、周期数以及石墨烯的费米能级共同决定，而吸收损耗速率由石墨烯的费米能级决定。共振模式的带宽由辐射损耗速率和吸收损耗速率的大小共同决定。通过构建组分以及周期数合适的布拉格反射层、调控石墨烯的费米能级，使系统达到临界耦合，可以实现从可见到中红外可调谐的超窄带完美吸收。
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公开(公告)号：CN114420783A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210123375.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
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公开(公告)号：CN113964235A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111127775.1
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/075
Abstract: 本发明公开了一种原子层厚度调控二维材料PtSSe掺杂特性的方法。本方法通过机械剥离减薄二维材料PtSSe，随着原子层厚度的减薄，二维原子层材料的掺杂类型从p型转变成i型，继而转变成n型，载流子浓度从1012cm‑2变化到1011cm‑2。可控掺杂关键点是制备不同厚度的二维材料，随着二维材料厚度的变化，材料中发生应力变化，使得二维材料PtSSe点缺陷种类发生变化，实现二维材料掺杂。而且，二维材料PtSSe的厚度仅改变0.8nm，掺杂浓度发生明显变化，实现了二维材料原子层厚度的掺杂。本发明的优点在于简单、无损伤、单原子层可控地实现了二维原子层半导体材料掺杂类型和掺杂浓度的连续变化。
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公开(公告)号：CN110931577A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911093633.0
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种纵向渐变的等离子激元增强红外宽谱吸收的人工微结构。其关键在于陷光结构与等离子激元结合，先通过对碲镉汞样品进行微纳加工使表面形成周期性柱状结构，然后在微结构表面沉积金薄膜。由于棱柱的侧面存在梯度，造成沉积后棱柱斜面处的金薄膜横向和纵向厚度不同(横向厚度远小于纵向厚度)。周期性排列的人工微结构在时变电场下，棱柱表面的金薄层产生的等离子激元与邻近棱柱的等离子激元发生共振，产生一种横向传播的模式。本专利中设计的表面微结构比传统陷光结构的表面微结构具有更小的几何尺寸，能进一步减小由材料体积所导致的本征暗电流，同时保持高量子效率，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110824603A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911093529.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种用于定向辐射荧光的纳米手性光学天线及制备方法，包括衬底、金属微结构和自由电子。金属微结构的手性单元按照一定的方式排布在衬底上，自由电子则垂直打在金属微结构上。本发明通过用不同能量的自由电子来激励手性金属微结构产生手性阴极荧光辐射，然后利用纳米手性光学天线阵列结构对电磁波的导向作用来对产生的手性偏振光的发射方向进行控制。本发明成功将不同手性的阴极荧光发射到不同的空间立体角上，实现了左旋与右旋偏振光的分离，并可以通过改变单元的排布来控制发射的角度，提升了亚波长尺度手性偏振光的可操作性，便于降低光电器件的尺寸，提高集成性。
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