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公开(公告)号：CN115639722A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211361864.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，其中，光刻胶组合物通过添加含多羟基苯基化合物的添加剂，一方面提高了非曝光区的溶解速率，解决了显影后光刻胶图形表面有残留物的问题，另一方面由于光刻胶组合物的结构上可交联的羟基数目多，曝光区交联密度大，使曝光区与非曝光区，溶解速率差距进一步增大，提高了光刻胶的对比度，从而解决了显影后光刻胶图形的间隔区出现桥接缺陷的问题。将本申请的光刻胶组合物用作深紫外KrF负型光刻胶时，其具有更高的分辨率和更好的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN113341650B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110707464.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 北京北旭电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶及图案化方法，属于光刻技术领域。光刻胶包括树脂材料和感光剂，树脂材料发生去保护反应时能够产生羧酸和/或酚羟基。感光剂包括第一感光化合物和第二感光化合物，第一感光化合物的结构如式I所示，第二感光化合物如式II所示。图案化方法包括：采用光刻胶形成光刻胶层，并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对光刻胶层进行曝光，然后显影去除光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。光刻胶在具有较好的光敏性和固化后透过率的情况下，能够兼具较好的曝光后环境稳定性。
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公开(公告)号：CN112778437B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN113485072A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。
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公开(公告)号：CN113233758A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110715723.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京北旭电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种玻璃组合物、玻璃原粉及其制备方法、以及玻璃粉及其制备方法，属于电池封接材料领域。玻璃组合物按质量百分比计包括：56～68％的SiO2，10～20％的BaO，1～6％的B2O3，6～8％的Na2O，4～6％的K2O，3～5％的Al2O3，以及0.5～1％的Li2O。玻璃粉通过玻璃组合物制备得到，能够较好地与金属极柱匹配封接，且具有更好的耐电解液侵蚀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113105330A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110409013.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种酚类化合物以及制备方法和应用、光刻胶，属于光刻技术领域。本申请的酚类化合物能够对光刻胶的分辨率进行改善，同时使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为较好的感光度、更大的对比度、侧壁角较垂直的形貌及更大的工艺窗口。光刻胶包括10～30wt％酚醛树脂、2～10wt％重氮萘醌感光剂、0.1～5wt％流平剂、40～80wt％溶剂和0.1～10wt％酚类化合物。
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公开(公告)号：CN112799280A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011643470.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/022 , G03F7/023 , C07C309/66 , C07C309/65
Abstract: 本申请提供硝基苯甲醇磺酸酯化合物作为增速剂在光刻胶中的应用、用于制备光刻胶的组合物，属于半导体材料技术领域。硝基苯甲醇磺酸酯化合物在受热后会分解产生路易斯质子酸，使其能够作为增速剂添加到酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶和化学放大光刻胶中，提升光刻胶的感光速度，光刻胶的感光能力提升20％以上。在酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶中，增速剂能够在胶膜底部释放的相对浓度更高的路易斯质子酸，从而弥补了胶膜底部生成的茚酸不足的缺陷，帮助树脂在胶膜底部快速溶解。在化学放大光刻胶中，增速剂和产酸剂协同作用在曝光区域沿着胶膜厚度纵向方向产生良好的路易斯质子酸环境，从而提升光刻胶感光速度和消除图形不垂直等形貌缺陷。
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公开(公告)号：CN112778437A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN112624907A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011403906.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芳烷基酚树脂及其制备方法，所述制备方法包括：在酸性催化剂的条件下，酚和双环戊二烯或甲基双环戊二烯进行反应，然后加入烷基酚后升温，并滴加卤苄进行反应，最后加入终止剂，并加热至一定的温度，脱除体系中的多余的酚和小分子物质，即得到所述芳烷基酚树脂。本发明制备得到的芳烷基酚树脂，其软化点为50‑140℃；所述树脂中引入双环戊二烯或甲基双环戊二烯，增加树脂的耐热性，引入C4‑C20的烷基链或烯烃链实现了分子内的增韧。本发明还公开了上述芳烷基酚树脂在电子封装材料、环氧塑封领域的应用。
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公开(公告)号：CN113946099B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202111145605.6
申请日：2021-09-28
Applicant: 北京北旭电子材料有限公司 , 北旭(湖北)电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种正性光刻胶组合物，基于所述正性光刻胶组合物的总重量，所述正性光刻胶组合物包括：酚醛树脂10‑20wt％，感光化合物4‑6wt％，交联剂5‑10wt％，流平剂0.05‑0.10wt％，粘附性促进剂0.05‑0.10wt％，溶剂65‑80wt％；其中，所述酚醛树脂为线性酚醛树脂，结构式如式I所示，其中，n1为自然数，85≤n1≤170。本申请提供的正性光刻胶组合物，具有高耐热的特性，耐热温度可达到230‑250℃，可用于具有高温工艺的生产流程，在曝光工艺中能够形成良好的图形形貌，同时具有良好的均一性，用于外围电路时，能够有效减少磨边时崩坏不良的发生。
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