公开(公告)号：CN102569398B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN105280813A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510423238.X

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L45/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/028 ,  H01L31/113 ,  H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H01L33/34 ,  H01L45/04 ,  Y02E10/547

Abstract: 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。

公开(公告)号：CN102956694A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC: H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。

公开(公告)号：CN102479804A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110389294.8

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  郑现钟 ,  梁喜准

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。

公开(公告)号：CN102060292A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010541911.7

申请日：2010-11-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 禹轮成 ,  徐大卫 ,  裴秀康 ,  徐顺爱 ,  郑现钟 ,  姜世拉 ,  许镇盛 ,  郑明姬

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。