公开(公告)号：CN108291132B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201680071078.X

申请日：2016-10-28

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K3/00 ,  H01L21/306 ,  C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。

公开(公告)号：CN112851687A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011369987.6

申请日：2020-11-30

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金捘演 ,  崔炯钟 ,  梁仲焕 ,  徐辅民 ,  洪太良 ,  金进喜 ,  申龂澈

IPC: C07D491/147 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本公开涉及有机化合物、包含该化合物的有机发光二极管和装置，具体涉及具有下述化学式1的结构的有机化合物，以及包含该有机化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。该有机化合物包括电子受体的三嗪部分和与该三嗪部分分开的电子供体的稠合杂芳族部分。该有机化合物在单个分子中包括电子受体部分和电子供体部分，因此电子可以在该分子中移动。另外，由于所述有机化合物包括刚性稠合杂芳环，有机化合物的三维变形受限，因此该化合物可具有优异的发光效率和色纯度。[化学式1]

公开(公告)号：CN111727187A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201980002935.4

申请日：2019-05-30

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑光柱 ,  金星秀 ,  刘贤英 ,  河宗陈 ,  李锡宗 ,  李春永

IPC: C07D403/10 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供化合物以及包含该化合物的有机发光器件，其具有电化学稳定性以及热稳定性，因而寿命特性优秀，并在低驱动电压下，也具有高发光效率。

公开(公告)号：CN109690863A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780054968.4

申请日：2017-09-06

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金载润 ,  任亨奎 ,  李钟贤 ,  韩知成

IPC: H01M10/0567 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明可以提供一种电解液添加剂，该电解液添加剂包含用于形成膜的锂化合物以及来自含有氮原子的化合物的阴离子与Cs+或Rb+的盐。本发明还提供一种非水性电解液，该非水性电解液包含锂盐、非水性有机溶剂和所述电解液添加剂，其中，所述电解液添加剂还可以包含二氟双草酸磷酸锂，并且可以提供一种锂二次电池，包括：包含正极活性材料的正极；包含负极活性材料的负极；插入在所述正极与所述负极之间的隔膜；以及所述非水性电解液。包括根据本发明的电解液添加剂的二次电池可以具有改善的高温输出特性。

公开(公告)号：CN108291132A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680071078.X

申请日：2016-10-28

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K3/00 ,  H01L21/306 ,  C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08

CPC classification number: C09K3/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。

公开(公告)号：CN108231573A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN108102654A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

CPC classification number: C09K13/08 ,  C09K13/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  C09K13/04

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。