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公开(公告)号：CN104239633B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410461969.9
申请日：2014-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种钎焊空洞对微波器件传输性能影响的预测方法，包括：1)确定微波器件结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定空洞的位置坐标；3)确定空洞的直径与高度；4)建立微波器件的电磁分析模型；5)确定馈电端口面的尺寸并设置电磁计算边界条件；6)计算微波器件的传输性能参数；7)判断当前的空洞尺寸下，微波器件传输性能是否满足要求，若不满足要求，根据上一次的空洞直径与高度以及当前的微波传输性能，更新空洞的直径与高度，直至满足要求。该方法通过优化钎焊空洞的直径与高度，可以使微波器件的传输性能达到工程设计的指标要求，同时可以对空洞尺寸是否满足工程设计的指标要求，进行快速、有效地判定。
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公开(公告)号：CN106654566A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710007844.2
申请日：2017-01-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种飞行器天线罩的快速厚度设计方法，至少包括如下步骤：将天线罩的厚度按照罩体的高度方向进行离散化；计算天线扫描过程中各个离散点处的入射角；依据步骤二计算各个离散点处的厚度值；计算天线的远场，并从中提取增益G1和主波束位置B1这些电性能指标；根据天线罩的结构参数和材料参数，用传输线理论计算罩体的透射系数并根据已知的天线口径场E(x,y)，计算透过天线罩后的口径场E′(x,y)：根据步骤四计算带罩天线的远场F′(θ,φ)，绘制远场方向图，并从该远场方向图中提取增益G2和主波束位置B2这些电性能指标，进而确定天线罩引起的增益损失TL和瞄准误差BSE；判断所得天线罩设计方案的电性能指标和厚度分布是否满足预设要求。
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公开(公告)号：CN103970943B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410174889.5
申请日：2014-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于器件布局的有源相控阵天线Z型流道冷板设计方法，包括：1)确定各发热器件的位置；2)确定Z型流道的纵向和横向流道位置；3)确定T/R组件Z型流道几何模型；4)计算线阵的温度分布和压降；5)判断是否满足天线热设计指标。本发明提出一种Z型流道冷板的设计方法，通过计算阵面温度分布，判断Z型流道冷板是否满足热设计要求。该方法设计的Z型流道与传统的Z型流道相比，具有更好的散热能力，发热器件最高温度更低，并且有效降低冷板的压降，能够满足天线热设计指标，也能明显降低泵功，增强天线平台工作能力；该方法能够针对不同发热器件分布设计相应的Z型流道，以达到有源相控阵天线的温度要求，具有实际的工程意义。
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公开(公告)号：CN106096181A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610471138.9
申请日：2016-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G01R19/00
Abstract: 本发明涉及基于随机波模型的非理想金属表面位移电流计算方法，其包括以下步骤：(1)确定非理想金属表面形貌误差信息；(2)建立非理想金属表面形貌误差模型；(3)在非理想金属表面两端接入理想电流源；(4)计算两相邻波峰之间的等效电容值；(5)计算两相邻波峰之间的等效电阻值；(6)计算两相邻波峰之间的电压值ΔU；(7)计算整个非理想表面的位移电流值。
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公开(公告)号：CN105760600A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610089283.0
申请日：2016-02-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了基于机电耦合的星载有源相控阵天线组件热功耗确定方法，包括：确定天线结构参数、材料属性及电磁参数；确定T/R组件热参数；确定天线阵元相位中心；建立天线热模型，施加热载荷及边界条件，计算太空环境下的天线温度场分布；转换热单元类型，建立天线结构有限元模型，施加温度载荷及结构约束，计算天线阵面热变形；确定天线相位参考点，提取阵元相位中心节点位移，基于机电耦合模型计算变形天线的增益损失；判断是否超出允许范围，修改T/R组件的热参数；确定T/R组件热功耗最大值。本发明能有效确定星载有源相控阵天线组件的热功耗，不仅对星载有源相控阵天线的组件设计提供指导，还可根据天线结构温度场分布，对组件位置布局提供指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105740502A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610041167.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种载荷变形下的圆柱共形阵列天线电性能预测方法，包括：确定圆柱共形阵列天线的结构参数和电磁参数，并进行结构载荷变形分析，计算变形后阵元的新位置，建立阵元直角坐标系及阵元球坐标系，及两坐标系之间的转换矩阵，求出阵元直角坐标系下的阵元方向图；确定阵元直角坐标系与阵列直角坐标系的转换矩阵，求出阵列直角坐标系下的阵元方向图；确定阵元激励幅度和相位，计算每个阵元的空间相位差，计算远区场强分布方向图；建立机电耦合模型计算天线电性能参数；判断计算出的电性能参数是否满足要求。本发明可用于定量评价载荷环境下天线结构变形对圆柱共形阵列天线电性能的影响，从而指导圆柱共形阵列天线的结构设计。
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公开(公告)号：CN105629034A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610164475.3
申请日：2016-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R19/00
Abstract: 本发明属于电磁传输技术领域，具体是非理想金属表面，具体涉及基于方波模型的非理想金属表面位移电流计算方法。基于方波模型的非理想金属表面位移电流计算方法，包括以下步骤：(1)确定非理想金属表面形貌误差信息；(2)建立非理想金属表面形貌误差模型；(3)在非理想金属表面两端接入电流源；(4)计算两相邻波峰之间的等效电容值；(5)计算两相邻波峰之间的等效电阻值；(6)计算两相邻波峰之间的电压值；(7)计算整个非理想表面的位移电流值。
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公开(公告)号：CN103488817B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310393511.X
申请日：2013-09-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种变形大型单反射面天线的馈源位置补偿方法，主要解决单反射面天线因热变形引起的电性能下降问题。其方案是：（1）根据天线结构参数，建立未变形单反射面天线有限元模型；（2）计算在其上加载温度载荷后发生变形的节点坐标；（3）提取变形后主反射面的节点坐标和单元信息，建立天线热变形主反射面的电磁模型；（4）在天线热变形主反射面的电磁模型中，计算未补偿时的电性能；（5）利用遗传算法，对变形后主反射面的变形参量进行优化，由变形参量得馈源位置及指向，计算天线补偿后的电性能；（6）比较补偿前后天线的电性能，判断电性能提高量是否满足要求，是，为最佳馈源位置；否，重新设置优化参数再计算，直至满足要求。
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公开(公告)号：CN104239633A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410461969.9
申请日：2014-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种钎焊空洞对微波器件传输性能影响的预测方法，包括：1)确定微波器件结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定空洞的位置坐标；3)确定空洞的直径与高度；4)建立微波器件的电磁分析模型；5)确定馈电端口面的尺寸并设置电磁计算边界条件；6)计算微波器件的传输性能参数；7)判断当前的空洞尺寸下，微波器件传输性能是否满足要求，若不满足要求，根据上一次的空洞直径与高度以及当前的微波传输性能，更新空洞的直径与高度，直至满足要求。该方法通过优化钎焊空洞的直径与高度，可以使微波器件的传输性能达到工程设计的指标要求，同时可以对空洞尺寸是否满足工程设计的指标要求，进行快速、有效地判定。
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公开(公告)号：CN104182636A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410419309.4
申请日：2014-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列天线辐射场和散射场综合低副瓣快速实现方法，包括：1)确定阵列天线结构参数、电磁工作参数，以及阵面布局参数；2)确定阵列天线初始的稀疏排布方案，得到阵列天线单元稀疏排布矩阵；3)计算阵列天线的辐射场和散射场口面相位差；4)计算阵列天线的辐射方向图函数，并计算此稀疏排布方案下阵列天线辐射场的最大副瓣电平；5)计算阵列天线的散射方向图函数，并计算此稀疏排布方案下阵列天线散射场的最大副瓣电平；6)判断此阵列天线稀疏排布方案下的辐射场和散射场是否同时满足低副瓣要求，直至得到同时实现阵列天线辐射场和散射场低副瓣要求的最优稀疏排布方案。此方法可同时实现阵列天线辐射场和散射场的低副瓣性能。
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