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公开(公告)号：CN107935593A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711385326.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B41/88
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3272 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C04B41/4539 , C04B41/0072
Abstract: 本发明公开了一种具有超低滞回电致应变铁电陶瓷材料及其制备方法，属于铁电陶瓷材料制备技术领域。该陶瓷介质材料的化学组成为(Nb0.85Ba0.15)(Nb0.85Ti0.15-xFex)O3，x为0.01～0.02。该铁电陶瓷材料可以在较低的温度下采用固相反应法制备合成，得到一种致密度高，具有超低滞回电致应变的铁电陶瓷。在30～120℃之间，测试电场最大值为60kV/cm时，其等效压电常数Smax/Emax为135到190pm/V，滞回度在所有温度点均小于10％。本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好。可以应用于对温度稳定性有高要求的高精度驱动器上，具有重大的经济价值。
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公开(公告)号：CN107500762A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710834950.8
申请日：2017-09-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/62675 , C04B2235/3236 , C04B2235/442 , C04B2235/94 , C04B2235/95 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种低滞回高温度稳定应变铁电陶瓷材料及其制备方法，属于电容器介质材料制备技术领域，该材料体系可以在较低的温度下烧结，在40kV/cm电场下室温应变为0.08％，等效压电常数为202pm/V。在30℃到120℃之间应变表现出很好的温度稳定性(应变温度变化率
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公开(公告)号：CN107473743A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710833317.7
申请日：2017-09-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/009 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/408 , H01G4/1227 , H01G4/1254
Abstract: 本发明公开了一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法，属于电容器介质材料制备技术领域，该材料体系可以在较低的温度下烧结，且其室温(25℃)介电常数超过5000，并且在较宽的温度范围内保持较高的介电常数，致密度高。同时，在此体系基础上进行后续的掺杂改性，有望在–55℃到125℃温度之间保持介电常数变化率小于±15％，即X7R陶瓷电容器的温度标准，具有作为MLCC陶瓷电容器瓷料粉体的潜质。该制备方法采用两步固相反应，操作简单，对设备要求低，在保证产物介电常数高的同时烧结温度相对较低(1300℃以下)，反应条件易控，重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107332460A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710108993.8
申请日：2017-02-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02N2/12
CPC classification number: H02N2/12
Abstract: 本发明公开一种高性能压电单晶贴片式环型超声电机用振子，包括多片扇形的压电单晶片，各扇形的压电单晶片围成环形，各压电单晶片均沿其厚度方向极化，相邻的两个压电单晶片极化方向相反，解决了现有压电陶瓷环型超声电机低温环境下的使用受限、用于大尺寸环型超声电机定子的单晶环难于加工、单晶各向异性的影响等问题，与环片式压电单晶环型超声电机相比较，贴片式高性能压电单晶环形超声电机性能有所提升，功率密度增大，输出力矩增大，并且加工装配工艺简便，结构紧凑。
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公开(公告)号：CN104761259B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510104554.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种线性电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。该压电陶瓷材料的组成表达式为：Ba0.85Ca0.15(Zr0.1Ti0.9)1-xFexO3，其中，x＝0.015～0.025。本发明采用固相合成的方法，以钛酸钡(BT)为基体，以Zr、Ca为掺杂剂得到了锆钛酸钡钙(BCZT)，在此基础上添加Fe2O3，得到一种居里温度在室温附近，具有明显弛豫特征和具有优良的线性电致应变响应特性的压电陶瓷。本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高。
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公开(公告)号：CN103833417B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410001009.4
申请日：2014-01-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明公开一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，通过高温老化与低温老化两步法稳定锆钛酸铅陶瓷中的缺陷分布，使畴壁对交流电场的响应降到最低，以达到最佳频率稳定性的目的。采用本工艺处理的锆钛酸铅电子陶瓷材料在高频段其介电性能具有以下特点：在10MHz到200MHz频段间的介电常数实部稳定在420-422之间，虚部稳定在1-2之间，介电常数在该频段的变化率为0.476%，可以认为其在高频段不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的电子陶瓷材料具有很好的介电性能稳定性，在近200MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于高频电子器件。
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公开(公告)号：CN101205139A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710199278.6
申请日：2007-12-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/624 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种具有钙钛矿结构的钛酸锶铋微波介电可调薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，以分析纯的醋酸锶、硝酸铋和钛酸四丁酯为起始原料，冰醋酸和乙二醇乙醚为溶剂，乙酰丙酮为稳定剂，合成化学组成为 BixSr1－1.5xTiO3的钛酸锶铋溶胶先体；利用快速热处理工艺技术，在基片上制备出具有钙钛矿结构的钛酸锶铋薄膜。利用铋对钛酸锶薄膜的微观结构改性，使薄膜在不降低可调特性的同时降低薄膜的介电损耗，提高薄膜的品质因子，从而得到新型的、可实用的微波介电可调薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1688004A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510041966.0
申请日：2005-04-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01G4/12 , H01B3/12 , C04B35/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种反铁电陶瓷电容器材料及其制备工艺。采用化合价为正四价的锡元素部分取代锆钛酸铅化合物Pb(Zr，Ti)O3中正四价的锆元素，用正三价的镧元素部分取代Pb(Zr，Ti)O3中的二价铅元素，形成具有铅空位的多组分固溶体。电荷和化合价平衡的化学组成式为(Pb1－3z/2Laz)[(Zr1－ySny)1－xTix]O3，其中x的变化量在0.06－0.20之间，y的变化量在0.20－0.40之间，z的变化量在0.02－0.08之间；或添加正二价的锶或钡元素部分取代Pb(Zr，Ti)O3中的二价铅元素，化学组成式为[(Pb1－wBw)1－3z/2Laz] [(Zr1－ySny)1－xTix]O3，其中B代表正二价的锶或钡元素，w的变化量在0.02－0.12之间。其制备方法采用常规的电子陶瓷制备工艺。本发明的材料制备的反铁电陶瓷电容器是一种非线性电容器，具有高储能密度和高输出功率的特点，可以用于电容器的小型化和高功率电脉冲放电电容器。
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