一种尺寸可调的单分散纳米多孔Fe@C核壳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110524004B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201910818927.9

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种尺寸可调的单分散的具有纳米多孔Fe@C核壳结构的制备方法,将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)粉末加入到水和乙醇的混合溶液中搅拌均匀,得到澄清液;向澄清液中加入亚铁盐溶液,通入氩气并在冰水浴中搅拌30min,得到浅绿色溶液;逐滴加入硼氢化钠(NaBH4)溶液,将所得到的黑色产物离心洗涤并干燥,通过不同温度和保温时间的热处理,即可获得Fe@C核壳结构粉末。该方法工艺简单、成本低廉,通过对水和乙醇的混合溶液中的成分、反应时间以及热处理温度和时间的调控,得到尺寸可调的单分散的具有纳米多孔Fe@C核壳结构粉末表现出优异的电磁波吸收性能,适于大规模化的工业生产,具有良好的应用前景。

    一种具有光磁效应的锰掺杂氧化钼纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109879319B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201910060720.X

    申请日:2019-01-23

    Abstract: 本发明公开了具有光磁效应的锰掺杂氧化钼纳米材料的制备方法,涉及纳米材料制备领域,包括称取(NH4)6Mo7O24·4H2O倒入血清瓶,向其中加入去离子水充分搅拌均匀,再向溶液中加入C6H8O7·H2O并搅拌均匀得到溶液A;向溶液A中加入Mn(CH3COO)2并充分搅拌得到溶液B;转移溶液B至水热反应釜中加热一定时间后反应得到物质C;清洗物质C并进行热处理得到最终产物。本发明实施例制备的锰掺杂氧化钼复合材料的磁化强度较纯氧化钼颗粒显著提高,且在光辐射下该物质的磁化强度具有显著响应作用。在较低温下,光照作用会使纳米复合材料的磁化强度迅速降落并维持在特定大小,撤去光源后磁化强度又可立刻恢复至初始值。

    一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111041279A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911362777.1

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料及其制备方法,涉及磁性材料制备技术领域,公开了一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料,其化学式为Ni20Mn4-xB5+x,其中,x的原子百分比为0≤x≤2;还公开了一种具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料的制备方法,包括如下步骤:S100、根据Ni20Mn4-xB5+x合金的原子百分比分别称取纯度不低于99.9%的Ni、Mn、B原料;S200、熔炼原料得到Ni-Mn-B样品;S300、将样品热处理。本发明的具有负磁化现象的Ni-Mn-B合金材料的磁矩翻转的实现可以仅仅通过改变外加磁场的大小而不必改变外加磁场方向即可实现。

    一种尺寸可调的单分散纳米多孔Fe@C核壳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110524004A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910818927.9

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种尺寸可调的单分散的具有纳米多孔Fe@C核壳结构的制备方法,将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)粉末加入到水和乙醇的混合溶液中搅拌均匀,得到澄清液;向澄清液中加入亚铁盐溶液,通入氩气并在冰水浴中搅拌30min,得到浅绿色溶液;逐滴加入硼氢化钠(NaBH4)溶液,将所得到的黑色产物离心洗涤并干燥,通过不同温度和保温时间的热处理,即可获得Fe@C核壳结构粉末。该方法工艺简单、成本低廉,通过对水和乙醇的混合溶液中的成分、反应时间以及热处理温度和时间的调控,得到尺寸可调的单分散的具有纳米多孔Fe@C核壳结构粉末表现出优异的电磁波吸收性能,适于大规模化的工业生产,具有良好的应用前景。

    一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法

    公开(公告)号:CN107808767B

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201710934027.1

    申请日:2017-10-10

    Abstract: 本公开涉及一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法,包括:1、利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜;2、制备不同浓度的锰离子溶液,将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中,然后对锰离子溶液进行密封处理;3、将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃‑300℃加热装置中加热1‑4小时;4、将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。经本公开所述方法处理后的单层二硫化钼具有较强的铁磁性,可从侧面证明掺杂后的单层二硫化钼薄膜发生谷劈裂,跟已有的理论计算结果一致,使单层二硫化钼薄膜具备应用在谷电子学器件的可能。

    一种具有交换偏置效应的Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109321792A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811388856.5

    申请日:2018-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种具有交换偏置效应的Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料,属于磁性材料制备领域,其化学式为Mn50Ni50-xGax,其中x的原子百分比为2~14。本发明还公开了一种具有交换偏置效应的Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1、根据Mn50Ni50-xGax的原子百分比分别称取纯度不低于99.9%的Mn、Ni、Ga;步骤2、采用电弧熔炼或定向凝固法制备Mn、Ni、Ga得到Mn-Ni-Ga哈斯勒合金材料样品;步骤3、将得到的样品热处理和测试及表征。

    一种磁致伸缩合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN118726816A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410723089.8

    申请日:2024-06-05

    Abstract: 本发明属于磁致伸缩材料领域,具体涉及一种磁致伸缩合金及其制备方法,包括所述合金原子百分比是Ni55‑xCuxMn25Ga20,其中12≤x≤21。本发明选取Ni55Mn25Ga20为基体,并利用Cu元素取代Ni从而引入点缺陷,获得了Ni55‑xCuxMn25Ga20(12≤x≤21)的合金体系。通过Cu的掺杂,既可改善Ni‑Mn‑Ga合金的强韧性;也能作为点缺陷的引入使奥氏体基体产生局域晶格畸变,从而能够获得具有随机分布纳米畴的铁磁应变玻璃态,其在磁场的作用下能发生翻转,从而能获得优异的磁致伸缩性能。当Cu掺杂量14≤x≤17时,相比其它区间,其能够获得具有更低结构各向异性和更小转动能垒的多态纳米畴结构,并使合金的磁致伸缩性能得到了更大提高,有望用于微型智能磁致伸缩器件中。

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