公开(公告)号：CN105131940A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510563193.6

申请日：2015-09-08

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  蒋佐权 ,  董首成

IPC: C09K11/06 ,  C07D333/76 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了具有式I结构的有机发光材料以及采用具有式I结构的材料制备的发光器件。其中二苯并噻吩和螺双芴基团通过共价单键进行连接。式I所代表的化合物可以含有两个或更多个二苯并噻吩单元。本发明提供了式I所示化合物的制备方法以及式I所示化合物的发光器件的制备及器件结果。式I所示化合物具有良好的稳定性和物理化学性能。采用式I所示化合物制备的发光器件具有较高的发光效率。

公开(公告)号：CN105070841A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510429468.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王照奎 ,  廖良生 ,  龚秀

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，制备步骤如下：（1）衬底基片的清洗和臭氧处理；（2）空穴传输层的旋涂；（3）掺杂水的CH3NH3PbI3-xClx前驱体溶液的配置；（4）CH3NH3PbI3-xClx前驱体溶液的旋涂；（5）电子传输层的旋涂；（6）界面修饰层的旋涂；（7）金属阴极的蒸镀，即得到钙钛矿太阳能电池。本发明提供的制备方法得到的钙钛矿太阳能电池光电转化效率高、电池的稳定性好。

公开(公告)号：CN104993064A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510453985.8

申请日：2015-07-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 钱敏 ,  廖良生 ,  王照奎 ,  史晓波 ,  马杰 ,  柳渊

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种防短路的透明OLED器件及其制备方法。具体而言，本发明的OLED器件包括衬底、半透明阳极、兼作抗短路保护层的空穴注入层、空穴传输层、发光层、兼作间隔层的电子传输层、电子注入层和半透明阴极，其通过包括下列步骤的方法制备：1）衬底的预处理；2）阳极的蒸镀；3）空穴注入层的蒸镀；4）空穴传输层的蒸镀；5）发光层的蒸镀；6）电子传输层的蒸镀；7）电子注入层的蒸镀；和8）阴极的蒸镀。该器件利用了银的高透光性和相对高的导电性，有利于提高器件效率，同时优化了银电极的厚度，兼顾了导电能力和透光率；此外，使用氧化铼作为空穴注入层并同时优化其厚度，彻底解决了纯银电极的短路问题。

公开(公告)号：CN104600202A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510058560.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  马杰 ,  丁磊 ,  汤洵

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5092 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0097 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5353

Abstract: 本发明提供了一种倒置OLED器件结构，在基板上旋涂一层聚合物薄膜，使基底表面平整化，然后制备OLED透明阴极薄膜，在阴极之上采用真空蒸镀的方法形成一层强氧化性材料作为电子注入层，然后蒸镀一层超薄金属或金属氧化物薄膜作为阴极缓冲层，其次依次为n型掺杂的电子传输层，电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。该强氧化性材料电子注入层/金属或金属氧化物/n型掺杂的电子传输层的结构能够有效地降低倒置器件结构中空穴注入高势垒的问题，能够有效的降低器件的驱动电压，从而提高器件性能。

公开(公告)号：CN104538298A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410801923.7

申请日：2014-12-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陆广 ,  廖良生 ,  张青 ,  袁大星

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明公开低介电常数ZIF-8材料薄膜及其制备方法、用途，所述的制备方法包括以下步骤：（1）将衬底清洗，烘干；（2）将衬底进行亲水处理；（3）分别配制六水合硝酸锌水溶液和2-甲基咪唑的甲醇溶液；（4）取六水合硝酸锌水溶液及2-甲基咪唑的甲醇溶液反应，取出衬底，将表面反应液冲洗掉，吹干，即在衬底上制备得到ZIF-8薄膜；（5）重复步骤（4）至硅衬底表面ZIF-8薄膜的厚度为900-1100nm。制备得到的ZIF-8材料薄膜薄膜致密，缺陷少，具有很好的连续性；可在多种基底上制备，尤其是能够在单晶硅、多晶硅上制备获得，和现有的硅基集成电路有高度的兼容性。

公开(公告)号：CN104167491A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410312869.X

申请日：2014-07-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  王照奎 ,  许美凤

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/48 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/0001 ,  H01L2251/303

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物水溶性薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）将粉末状金属氧化物溶解在去离子水中得到混合溶液；（2）将上述混合溶液旋涂在基片表面上，退火得到金属氧化物水溶性薄膜；其中步骤（1）中所述金属氧化物选自MoO3、V2O5、GeO2、SrO2、CrO3中的一种，其优点在于，不仅制备方法简单，成本低廉，对环境友好且对于含该金属氧化物水溶性薄膜的器件与传统的器件相比，性能相当或更好，其稳定性也更好，从而克服了现有技术中溶解度较低影响其成为空穴注入层或其他的作用层的技术偏见，即溶解度较低并不影响它们成为空穴注入层或其他的作用层。

公开(公告)号：CN104157794A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410315334.8

申请日：2014-07-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  王照奎 ,  梁舰 ,  汤洵 ,  徐超

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0001 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0026

Abstract: 本发明公开了一种制备厚度可调控，功函数可调节的过渡金属氧化物薄膜的方法，其特征在于采用单一的过渡金属的铵盐化合物或多种这类铵盐化合物的混合物作为前驱体，用去离子水、双氧水或氨水进行溶解，再通过旋涂、浸泡、涂抹、刮擦和提拉法方式取得前驱体薄膜，最后通过退火、烘烤、光照或者臭氧处理的方式将前驱体转换成目标产物薄膜。该方法利用过渡金属的铵盐化合物的高溶解性，实现全溶液法制备薄膜，确保薄膜厚度可调节，其在制备时无需向前驱体溶液中引入多种有机材料，能够消除有机物残留对薄膜性质的影响，且退火温度更低。

公开(公告)号：CN103526179A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310533755.3

申请日：2013-10-30

Applicant: 苏州大学

Inventor： 叶超 ,  廖良生 ,  袁大星 ,  王响英

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/448 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明公开了一种多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，对其进行清洗，并将其置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，将气化后的D5环有机硅送入电子回旋共振等离子体设备中；调节电子回旋共振等离子体设备的控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并沿其运动方向在下游发生分解，在硅衬底表面上沉积形成多孔SiCOH薄膜；将多孔SiCOH薄膜真空热处理。本发明的制备方法克服了现有技术中高能量离子对薄膜的轰击所导致的薄膜损伤较大的缺点。由上述方法制备低介电常数薄膜材料的介电常数值为2.8，表面均匀，粗糙度低，绝缘性能和热稳定性好，并与微电子工艺具有较好的兼容性。

公开(公告)号：CN103333158A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310313828.8

申请日：2013-07-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  蒋佐权 ,  崔林松

IPC: C07D401/14 ,  C07D403/14 ,  C07D209/88 ,  C07D409/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了具有下式结构的N-苯基咔唑衍生物及其在电致磷光器件中的应用：其中，A为不包含任何基团、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、吡啶/吡嗪基；R1、R2为氢、二苯基磷氧基、氰基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-二苯并噻吩/呋喃基、4-二苯并噻吩/呋喃基。本发明的N-苯基咔唑衍生物，有效地缩小主体材料的共轭度，增加化合物分子量，使材料的二重态能级和玻璃化转变温度都得到了一定程度的提高，其极性可以通过推/拉电子基团加以调整，与常用的磷光主体材料相比较，磷光OLED器件性能得到了有效的提高，可广泛应用于有机电致发光领域。

公开(公告)号：CN117343074A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311138345.9

申请日：2023-09-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王雪东 ,  廖良生 ,  余悦

IPC: C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D333/08 ,  C07D333/74 ,  C07D209/80 ,  C07C253/34 ,  C07C255/09 ,  C07C255/61 ,  C07C255/31 ,  H10K30/00 ,  H10K30/87 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明公开了一种有机微纳米共晶及其制备方法与在近红外光吸收材料方面的应用，该有机微纳米共晶由给体分子和受体分子自组装形成，其制备方法包括以下步骤：(1)将给体分子、受体分子溶解于良有机溶剂中，得到均一溶液；(2)向步骤(1)制备的均一溶液中加入不良有机溶剂混合均匀，将混合后的液体滴加至基底上，待溶剂挥干后得到有机微纳米共晶。本发明通过简单溶液法制备得到上述有机微纳米共晶，制备方法简单且重复性好，且得到的共晶结晶性高、缺陷密度低；该有机微纳共晶具有近红外光吸收以及光电转化能力，可通过调节给体分子与受体分子的种类，实现共晶对740nm‑2500nm不同波段范围近红外光的吸收，在近红外光探测器方面具有良好的应用前景。