公开(公告)号：CN104596679A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410589610.X

申请日：2014-10-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 河合宏纪 ,  神谷俊幸 ,  松沢明

IPC: G01L1/16 ,  B25J19/02

Abstract: 本发明提供传感器元件、力检测装置、机器人、电子部件输送装置、电子部件检查装置以及部件加工装置，其中，电荷输出元件具有：第1传感器，其具有由Y型切割水晶板构成的第1压电板、和分别设置于该第1压电板的两面的第1电极层；第2传感器，其具有由X型切割水晶板构成的第2压电板、和分别设置于该第2压电板的两面的第2电极层；以及第3传感器，其具有由Y型切割水晶板构成的第3压电板、和分别设置于该第3压电板的两面的第3电极层，并具备将第1传感器、第2传感器以及第3传感器沿层叠方向层叠的层叠体。

公开(公告)号：CN103994845A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410053005.0

申请日：2014-02-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 神谷俊幸 ,  松本隆伸 ,  冈秀明 ,  河合宏纪

IPC: G01L1/16 ,  B25J9/06 ,  B25J19/00

Abstract: 本发明提供小型且降低了输出漂移的力检测装置、使用了该力检测装置的机械手以及移动体。力检测装置（1a）具备根据接受的外力来输出电荷Q的电荷输出元件（10a）；具有第一开关元件（23）和第一电容器（22），且将电荷Q转换为电压V并输出上述电压的转换输出电路（20）；具有第二开关元件（33）和第二电容器（32），并输出补偿用信号Voff的补偿用信号输出电路（30）；以及基于从转换输出电路（20）输出的电压V和从补偿用信号输出电路（30）输出的补偿用信号Voff，来检测外力的外力检测电路（40a）。第二电容器（32）的静电容量比第一电容器（22）的静电容量小。

公开(公告)号：CN103105250A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210443024.5

申请日：2012-11-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本隆伸 ,  神谷俊幸 ,  冈秀明 ,  河合宏纪 ,  下平泰裕

IPC: G01L1/16 ,  G01L5/16

CPC classification number: G01L5/167 ,  B25J13/085 ,  B25J19/028 ,  G01L5/226

Abstract: 本发明涉及传感器元件、力检测装置以及机器人。在设为α轴、与上述α轴正交的β轴以及与上述α轴与上述β轴正交的γ轴作为空间坐标轴情况下，传感器元件是将压电基板和电极在上述γ轴方向上层叠而形成的，传感器元件具备连接部，连接部被配置成上述电极的外沿部的一部分与上述压电基板的外沿部的一部分重叠，在上述γ轴方向上观察时上述连接部被配置成彼此不重叠，在上述压电基板的外周部的一部分形成有将上述连接部与外部连接部电连接的配线。通过本发明能够得到可缩小配线空间的小型的力检测装置。

公开(公告)号：CN102735375A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210103779.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 土屋和博 ,  神谷俊幸

IPC: G01L1/16 ,  B25J19/02 ,  B25J13/08

CPC classification number: G01L1/16 ,  B25J9/1694 ,  B25J13/085 ,  B25J19/028 ,  G01L5/226 ,  Y10S901/46

Abstract: 本发明提供一种传感器装置、力检测装置以及机器人。传感器装置具备：传感器元件，该传感器元件层叠压电体与电极而形成；以及收纳所述传感器元件的第一容器与第二容器，该传感器装置还具有按压部，该按压部利用所述第一容器及第二容器在所述压电体及所述电极的层叠方向上按压所述传感器元件。

公开(公告)号：CN100409445C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200510073237.3

申请日：2005-06-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  神谷俊幸

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，虽然是叠式的但甚至在达到必要的尺寸实现精细化时仍具有允许的漏泄电流。该半导体装置包括电容器部(102)，该电容器部(102)包括设置在位于衬底(100)上的杂质层(117)上的SiO2层(119)上的下部电极(111)、设置在下部电极(111)上的铁电层(109)；以及设置在铁电层(109)上的上部电极(107)。该半导体装置还包括：SiO2层(118)，使上部电极(107)和布线(105)电气绝缘；接触孔(103a)，形成W塞(113)，用于在杂质层(117)和下部电极(111)之间电连接；以及接触孔(103b)，用于在上部电极(107)和布线(105)之间电连接。在电容器部(102)的平面图中，接触孔(103a)和接触孔(103b)位于相互偏离的位置上。