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公开(公告)号：CN101840706A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010175197.4
申请日：2010-05-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种解决磁记录颗粒超顺磁状态的方法，其特征在于：在磁记录颗粒外包裹一层能使其磁矩钉扎的反铁磁材料，所述反铁磁材料与磁记录颗粒之间通过界面磁矩耦合，使磁记录颗粒的磁矩沿同一方向排列。该方法能克服磁性颗粒纳米尺度下的热扰动，人为提高磁性颗粒的单轴各项异性能，解决超顺磁状态下记录不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN101510630A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910058735.9
申请日：2009-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种LTCC叠层微带贴片天线，属于天线技术领域，涉及低温共烧陶瓷(LTCC)技术，特别涉及一种用于无线电接收的低剖面微带贴片天线。包括三层LTCC基片：第一层基片上开有同轴馈电孔，其上表面是第一辐射金属贴片，下表面是反射底板；第二层基片上均匀开有气孔；第三层基片的上表面是第二层辐射金属贴片。还包括同轴馈电针，同轴馈电针从底部插入同轴馈电孔，与第一层基片第一层辐射贴片接触，且与反射底板之间绝缘。所述第一、二和三层LTCC基片按照从下往上第一、二和三的顺序通过LTCC叠层和等静压工艺后先形成一个整体，再经低温共烧后形成一个整体。本发明可以有效拓展微带天线的带宽；增强两层辐射贴片之间的耦合；提高天线的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101319390A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810044640.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60－100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。
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公开(公告)号：CN101230446A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710050348.1
申请日：2007-10-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe3O4缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时，利用Fe3O4缓冲层发生从Fe3O4到Fe2O3活性相变所释放的热量促进尖晶石结构铁氧体薄膜的结晶，从而降低尖晶石结构铁氧体薄膜的退火晶化处理温度，使之与现代微电子工艺相兼容；同时，Fe3O4缓冲层属尖晶石结构氧化物薄膜，与尖晶石结构铁氧体薄膜晶格匹配，从而使得Fe3O4缓冲层的引入不影响尖晶石结构铁氧体薄膜良好的电磁特性。本发明可用于制备集成磁性器件。
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公开(公告)号：CN100399600C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410022254.X
申请日：2004-04-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米晶材料的快速循环晶化(简称RRTA)装置和方法，利用本发明提供的制备纳米晶材料快速循环晶化(RRTA)装置，首先确定薄膜样品17的保温温度Ta，然后，制备出一系列纳米晶材料的快速循环晶化结果，通过对它进行比较分析，就可以得到：循环次数和升温速率与晶粒大小的关系，确定最佳循环次数和最佳升温速率；最后，按照最佳循环次数和最佳升温速率就可以制备出经过快速循环晶化的纳米晶材料。采用本发明提供的方法和装置可以制备出性能优良的纳米晶粒材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373531C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410022261.X
申请日：2004-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/203 , C23C14/34 , B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成份的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN1929048A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610021761.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01F1/34
Abstract: 本发明在常规高磁导率NiZn铁氧体配方、制备工艺和掺杂方式基础上提供一种兼具高磁导率和高居里温度的NiZn铁氧体材料及其制备方法。所述材料以金属氧化物为原料采用氧化物湿法工艺制成，原料包括Fe2O3、NiO、ZnO、CuO和WO3，各组分的含量为：Fe2O3在50.5～51mol％之间，NiO在13.5～14mol％之间，ZnO在31.5～32mol％之间，CuO在3.5～4.5mol％之间，WO3在0.1～0.3mol％之间。本发明通过降低主配方中ZnO的含量，显著提高了铁氧体的居里温度；同时一方面通过优化配方中Fe2O3和CuO的含量，合理控制材料的磁晶各向异性常数以及烧结密度，另一方面通过提高粉料的预烧温度以及采用特殊的掺杂氧化物WO3来达到改善铁氧体微观结构，达到提高磁导率的目的。采用本发明所述材料可以制备各种高性能宽频带器件。
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公开(公告)号：CN1641811A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410021666.1
申请日：2004-01-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种n层磁芯的I型薄膜变压器阵列及其制备方法，它是由多个I型n层磁芯的薄膜变压器制作在同一基片上，构成本发明的I型薄膜变压器阵列；其制备方法采用高精度的薄膜制造技术，以物理或化学气相沉积的方法，在基片上制作多层厚度为纳米级或微米级的金属、金属氧化物薄膜，形成磁芯和绕组。本发明的n层磁芯的I型薄膜变压器阵列具有品质高、电感量大、损耗小、体积小、频带宽、绝缘性能好、与半导体集成电路制造工艺兼容等特点，可应用于通信、计算机、消费类电子系统。
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公开(公告)号：CN119170366A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410878948.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，具体为一种高介高饱和磁化强度NiCuZn基微波旋磁铁氧体材料及其制备方法。本发明以尖晶石铁氧体为基础，通过引入Mn2+和Nb5+替代与Ba0.6Sr0.4TiO3复合，控制Ba0.6Sr0.4TiO3的掺杂量，有效提高NiCuZn铁氧体的介电常数并兼顾控制铁磁共振线宽，满足微波铁氧体器件小型化的需求；并通过添加适量的Bi2O3作为烧结助剂，优化烧结材料的致密化程度，进一步利于降低铁磁共振线宽和提升介电常数；最终烧结的高介高饱和磁化强度NiCuZn基微波旋磁铁氧体材料4πMs为2905～3554Gs，介电常数22～31.6，铁磁共振线宽251～820Oe，兼备高介、高饱和磁化强度和低铁磁共振线宽，为微波铁氧体器件的进一步小型化提供了基础，非常利于高频段的小型化环行器和隔离器的研发和生产。
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公开(公告)号：CN113098473B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110226043.1
申请日：2021-03-01
Applicant: 电子科技大学 , 上海麦歌恩微电子股份有限公司
IPC: H03K17/95
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。
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