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公开(公告)号:CN110300078A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910584732.2
申请日:2019-07-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于课程学习的调制信号识别方法,主要解决现有技术因信号噪声导致识别率较低的问题。其方案为:获取训练的调制信号采样序列和对应标记数据,并对采样序列进行预处理;构建深度残差网络;将预处理后的采样序列作为深度残差网络的输入,采样序列的标记数据作为深度残差网络输出向量中最大分量对应的调制类型,利用课程学习的训练策略训练构建的深度残差网络,得到训练好的网络;将待识别的调制信号灰度图作为训练好的网络的输入,网络输出向量中最大分量所对应的调制类型即为识别出的调制类型。本发明加快了训练的速度,减小了因信号噪声过强对识别率的影响,提高了在强噪声环境下的调制识别性能,可用于电子对抗和无线电管理。
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公开(公告)号:CN109977519A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201910211202.3
申请日:2019-03-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子设计自动化领域,公开了一种以高能效为目标的多核芯片功率预算估计方法。本发明充分考虑了多核芯片静态功耗与温度之间的非线性关系,计算出的功率预算更为准确;由于传统的通过建立与芯片各个核心电源电压和频率相关,以芯片能效为目标的优化问题过于复杂,我们通过引入热影响因子,将这一优化问题转化为求解各个核心最高能效对应温度,将高能效优化问题简化为以温度为中心的优化问题;进而基于贪心算法,此方法可以得到在高能效下最大化性能的亮核分布;结合瞬态模型,本发明可以实时地以高能效为目标的对芯片功率预算进行估计。
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公开(公告)号:CN109685207A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811431592.7
申请日:2018-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
CPC classification number: G06N3/0635
Abstract: 本发明涉及信息控制技术领域,公开了一种基于循环神经网络的多核芯片热管理方法。本发明使用循环神经网络的方法建立多核芯片热模型,传统的循环神经网络在对考虑静态功耗的多核芯片建立热模型时存在长期依赖性问题;采用回声状态网络的方法避免此问题,对多核芯片建立精确的热模型。再将热模型与改进的模型预测控制方法相结合,对多核芯片进行有效的热管理。此方法从多核芯片系统读取芯片温度然后使用卡尔曼滤波器计算状态变量,再将此变量代入基于回声状态网络的模型预测控制方法中,根据目标温度计算出对应的所需动态功率输入分布。本发明中精确的回声状态网络模型和先进的模型预测控制方法相结合能够发挥热管理的最佳效果。
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公开(公告)号:CN105842539B
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201610164019.9
申请日:2016-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了一种基于FPGA‑TDC的电阻测量系统及方法,用于解决现有电阻测量系统及方法中存在测量精度及分辨率低的技术问题,该系统包括:依次连接的参考电压产生模块(1)、电阻‑时间转换模块(2)和FPGA‑TDC测量模块(3),及微小电容差测量模块(4);参考电压产生模块(1)包括由FPGA芯片、DAC芯片和仪用运算放大器芯片组成的参考电压产生电路,电阻‑时间转换模块(2)包括两个不同的子模块,FPGA‑TDC测量模块(3)搭建在FPGA芯片内部,微小电容差测量模块(4)包括由FPGA芯片和微小电容差测量芯片组成的微小电容差测量电路。本发明具有测量精度高和分辨率高的特点,可用于高分辨率的电阻测量领域。
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公开(公告)号:CN104950137B
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201510352953.9
申请日:2015-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 具有应力隔离结构的横向敏感加速度传感器芯片,包括:传感器本体;应力隔离元件,应力隔离元件包括一对横向设置的隔离梁和设置于所述隔离梁之间的隔离框,所述隔离梁两端与所述传感器本体相连,所述隔离框通过连接部与所述隔离梁相连;敏感元件,敏感元件包括质量块和一对横向设置的挠性梁,所述挠性梁连接所述质量块和所述隔离框;压敏电阻,压敏电阻以所述质量块的中心为对称中心对称设置于所述质量块的两侧,且位于连接部的宽度范围内;设置于所述传感器本体上的金属焊盘,所述压敏电阻通过引线与所述金属焊盘相连。本发明的传感器芯片具有结构合理,封装工艺简单,稳定性高,便于大规模、低成本生产的特点。
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公开(公告)号:CN107248903A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201710631401.0
申请日:2017-07-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于FPGA的TCP/IP首部校验装置及方法,用于解决现有技术中校验和计算方法存在数据误判的技术问题;校验装置包括在FPGA中实现的六个模块,待校验数据首部存储模块接收并存储TCP/IP数据包首部信息;接收数据首部校验模块判断校验信号的电平状态,为高电平时读取TCP/IP数据包首部信息进行接收校验计算;发送数据首部校验模块判断校验信号的电平状态,为低电平时读取TCP/IP数据包首部信息进行发送校验计算;特殊数据查找与去特殊处理模块获取去特殊化因子并发送;接收校验和整合模块及发送校验和整合模块通过整合去特殊化因子来获取并输出接收校验和及发送校验和。
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公开(公告)号:CN106933752A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201710137899.5
申请日:2017-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F12/14
Abstract: 本发明提出了一种SRAM型FPGA的加密装置及方法,用于解决现有加密装置成本高、对加密芯片加密能力要求高和加密方法具有局限性的技术问题;加密装置包括SRAM型FPGA、非易失性存储器件、片外SRAM、静态认证串号远程更换接口、静态认证串号输入按键和可拆除加密使能开关;加密方法为:配置SRAM型FPGA芯片;获取SRAM型FPGA的序列号;初始序列加密模块判断是否对SRAM型FPGA芯片进行第一次加密;加密认证模块实现两级认证操作;初始序列加密模块更新安全信息和成功配置次数,并向用户逻辑模块发送认证成功信号;加密模块随时准备更换静态认证串号。本发明成本低、易于实现、通用性强、加密可靠。
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公开(公告)号:CN106899234A
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201710299690.9
申请日:2017-05-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提出了一种压电式多向振动能量收集装置,用于解决现有压电式能量收集装置存在的收集方向单一和频带宽度窄的技术问题,包括固定座、设置在固定座上的支架、内梁、外梁、弹性元件、支撑杆、环形元件、第一磁性块和第二磁性块;内梁包括第一弹性基板、粘贴在第一弹性基板固定端的第一压电片和粘贴在第一压电片上的第一电极;外梁包括第二弹性基板、粘贴在第二弹性基板固定端的第二压电片和粘贴在第二压电片上的第二电极;第二弹性基板固定在支架上,第一弹性基板、弹性元件和支撑杆位于第二弹性基板的缺口内,且第一弹性基板与第二弹性基板垂直;第一弹性基板的固定端与弹性元件的自由端固定,并通过环形元件悬挂在支撑杆的自由端。
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公开(公告)号:CN105842539A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610164019.9
申请日:2016-03-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了一种基于FPGA?TDC的电阻测量系统及方法,用于解决现有电阻测量系统及方法中存在测量精度及分辨率低的技术问题,该系统包括:依次连接的参考电压产生模块(1)、电阻?时间转换模块(2)和FPGA?TDC测量模块(3),及微小电容差测量模块(4);参考电压产生模块(1)包括由FPGA芯片、DAC芯片和仪用运算放大器芯片组成的参考电压产生电路,电阻?时间转换模块(2)包括两个不同的子模块,FPGA?TDC测量模块(3)搭建在FPGA芯片内部,微小电容差测量模块(4)包括由FPGA芯片和微小电容差测量芯片组成的微小电容差测量电路。本发明具有测量精度高和分辨率高的特点,可用于高分辨率的电阻测量领域。
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公开(公告)号:CN104950137A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510352953.9
申请日:2015-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 具有应力隔离结构的横向敏感加速度传感器芯片,包括:传感器本体;应力隔离元件,应力隔离元件包括一对横向设置的隔离梁和设置于所述隔离梁之间的隔离框,所述隔离梁两端与所述传感器本体相连,所述隔离框通过连接部与所述隔离梁相连;敏感元件,敏感元件包括质量块和一对横向设置的挠性梁,所述挠性梁连接所述质量块和所述隔离框;压敏电阻,压敏电阻以所述质量块的中心为对称中心对称设置于所述质量块的两侧,且位于连接部的宽度范围内;设置于所述传感器本体上的金属焊盘,所述压敏电阻通过引线与所述金属焊盘相连。本发明的传感器芯片具有结构合理,封装工艺简单,稳定性高,便于大规模、低成本生产的特点。
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